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纳米粒子单层膜作掩模的纳米刻蚀技术研究 被引量：1

Research on Preparation of Nanoparticle Monolayer Masks and Nanolithography
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摘要 采用LB(langmuir-blodgett)排布技术制备了大面积高密度的FePt纳米粒子单层膜,利用纳米粒子单层膜作为掩模,通过反应离子刻蚀技术进行了纳米刻蚀研究.实验结果表明,采用纳米粒子单层膜作为掩模,通过控制反应离子刻蚀条件可以实现纳米级(小于50nm)的纳米点阵和纳米柱的刻蚀.
作者 王英 杨明来 张效岩 蔡炳初 徐东 张亚非
机构地区 上海交通大学 保定天河电子技术有限公司
出处 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期391-393,共3页 China Mechanical Engineering
基金 上海交通大学青年教师校内科研启动基金资助项目
关键词 LB膜 纳米粒子 掩模 纳米刻蚀
分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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参考文献8

二级参考文献54

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共引文献13

同被引文献28

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引证文献1

二级引证文献1

中国机械工程
2005年 第z1期

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