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硅薄膜沉积中等离子体辉光功率和阻抗的测试分析 被引量：4
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作者 张晓丹 张发荣 +2 位作者 Amanatides Elefterious Mataras Dimitris 赵颖 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期5309-5313,共5页
采用改进的电压和电流测试方法对衬底电极外加不同电压Vs的射频等离子体中的阻抗和功率消耗进行了测试分析.结果表明:在射频电极施加恒定的电压Vel时,随衬底电极外加电压Vs的增加,辉光的电流在增加,结果导致阻抗在减小;另外,通过计算分... 采用改进的电压和电流测试方法对衬底电极外加不同电压Vs的射频等离子体中的阻抗和功率消耗进行了测试分析.结果表明:在射频电极施加恒定的电压Vel时,随衬底电极外加电压Vs的增加,辉光的电流在增加,结果导致阻抗在减小;另外,通过计算分析发现:仅有一小部分功率用于辉光,大部分功率消耗在匹配器和电缆上.通过对等离子体电学特性的综合测试分析也说明:在保证有足够多的硅烷时,衬底电极外加电压Vs增加时将会提高薄膜的沉积速率. 展开更多
关键词 等离子体 辉光功率 阻抗 诊断
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