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P埋层技术研究 被引量：1
1
作者 廉亚光 郝景晨 郑晓光 《半导体情报》 1994年第6期12-15,共4页
介绍了在Ｓｉ￣＋注入的ｎ－ＧａＡｓ沟道层下面用Ｂｅ￣＋或Ｍｇ￣＋注入以形成ｐ埋层。采用此方法做出了阈值电压０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ，也做出了夹断电压－０．４～－０．６Ｖ、跨导大... 介绍了在Ｓｉ￣＋注入的ｎ－ＧａＡｓ沟道层下面用Ｂｅ￣＋或Ｍｇ￣＋注入以形成ｐ埋层。采用此方法做出了阈值电压０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ，也做出了夹断电压－０．４～－０．６Ｖ、跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。 展开更多
关键词 P埋层 砷化镓 增强型 耗尽型 场效应晶体管
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反应溅射WSi＿xN＿y薄膜的特性 被引量：1
2
作者 王立侠 梁春广 +1 位作者 马振昌 宗婉华 《半导体情报》 1994年第6期24-28,共5页
对ＷＳｉ＿ｘＮ＿ｙ薄膜的制备工艺以及Ｎ＿２分压对ＷＳｉ＿ｘＮ＿ｙ膜的组分、结构、应力、电阻率等方面的影响作了分析研究。尝试性地对淀积完毕真空室中充Ｎ＿２造成靶面氮化的情况作了实验分析。ＡＥＳ测试了膜的组分，ＸＲＤ分析... 对ＷＳｉ＿ｘＮ＿ｙ薄膜的制备工艺以及Ｎ＿２分压对ＷＳｉ＿ｘＮ＿ｙ膜的组分、结构、应力、电阻率等方面的影响作了分析研究。尝试性地对淀积完毕真空室中充Ｎ＿２造成靶面氮化的情况作了实验分析。ＡＥＳ测试了膜的组分，ＸＲＤ分析了膜的结构，四探针法测得膜的电阻率。 展开更多
关键词 反应溅射 N2分压 集成电路 WSixNy薄膜 薄膜
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