期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
真空共蒸发沉积制备酞菁铜-酞菁铅复合膜及性能研究 被引量:2
1
作者 季振国 朱玲 +4 位作者 汪茫 阙端麟 王家为 郭伟民 刘焕明 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2002年第3期182-185,共4页
本文通过真空共蒸发制备了酞菁铜 酞菁铅复合膜。光电子谱测试发现真空共蒸发制备的复合膜中同时具有铜和铅的成分 ,相对含量与源中酞菁铜与酞菁铅的含量有关。光吸收谱分析表明复合膜的吸收带 (Q带 )明显发生宽化 ,其波长覆盖范围扩展... 本文通过真空共蒸发制备了酞菁铜 酞菁铅复合膜。光电子谱测试发现真空共蒸发制备的复合膜中同时具有铜和铅的成分 ,相对含量与源中酞菁铜与酞菁铅的含量有关。光吸收谱分析表明复合膜的吸收带 (Q带 )明显发生宽化 ,其波长覆盖范围扩展到 6 0 0~ 12 0 0nm。进一步分析表明复合膜的吸收谱并不是酞菁铜和酞菁铅吸收谱的简单叠加 ,尤其是在近红外波段复合膜的吸收有所加强 ,吸收边有明显的红移现象 ,本文对这一现象进行了简单的描述。 展开更多
关键词 真空共蒸发沉积 制备 酞菁铜-酞菁铅 复合膜 性能 电荷转移 有机光电材料 光吸收谱
下载PDF
X光照引起的Cu2p_(3/2)光电子峰位移及酞菁铜分子内的电荷转移
2
作者 季振国 袁骏 +3 位作者 许倩斐 汪茫 阙端麟 郭伟民 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2001年第1期14-16,共3页
用光电子谱研究了X光辐照下酞菁铜分子内的电荷转移情况。通过改变X光源的功率 ,发现高功率下Cu 2p3/ 2的光电子峰相对于低功率下的Cu 2p3/ 2 峰有 0 11eV的位移。由此推断在X光辐照下 ,有负电荷从铜原子转移到分子的其他部分。这一现... 用光电子谱研究了X光辐照下酞菁铜分子内的电荷转移情况。通过改变X光源的功率 ,发现高功率下Cu 2p3/ 2的光电子峰相对于低功率下的Cu 2p3/ 2 峰有 0 11eV的位移。由此推断在X光辐照下 ,有负电荷从铜原子转移到分子的其他部分。这一现象有助于解释金属酞菁在光照下分子内的电荷转移机理及光导现象。 展开更多
关键词 金属酞菁 电荷转移 光电子谱 酞菁铜 光电子峰位移 X光辐照
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部