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题名rGO负载银包覆铜/n-Si的肖特基接触特性研究
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作者
冯伟
张会
李亚鹏
王荟琪
李仕琳
武泽园
杨旋
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机构
陕西理工大学材料科学与工程学院
陕西理工大学矿渣综合利用环保技术国家地方联合工程实验室
飞机起落架先进制造与航空部件性能试验研究中心
陕西省高校起落架及飞机结构件制造与试验工程研究中心
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出处
《功能材料》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第11期11203-11208,11226,共7页
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基金
陕西省科技厅重点研发项目(2024GX-YBXM-376)。
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文摘
为获得整流特性好、性价比高的肖特基异质结,采用化学还原法制备还原氧化石墨烯负载银包覆铜纳米(rGO/Cu@AgNPs)复合材料,通过旋涂法制备出rGO/Cu@AgNPs/n-Si肖特基异质结,探究rGO/Cu@AgNPs作为电极材料的肖特基接触特性,采用XRD、FT-IR、SEM和EDS等方法进行测试分析。对rGO负载3种不同质量比的Cu@AgNPs进行对比分析,结果表明,当(Cu(NO_(3))_(2)·3H_(2)O和AgNO_(3))的质量比为5∶1.5时,银颗粒对铜颗粒的包覆效果好,形成的包覆颗粒在石墨烯的表面和层间分散性较好,经电流-电压(I-V)测试分析及计算得出该肖特基异质结理想因子为1.43,势垒高度为0.642 eV,表明制备的异质结表现出良好的整流效果。
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关键词
化学还原法
还原氧化石墨烯
Cu@Ag纳米粒子
肖特基异质结
电学特性
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Keywords
chemical reduction method
reduced graphene oxide
Cu@Ag nanoparticles
Schottky heterojunction
electrical characteristic
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分类号
TB332
[一般工业技术—材料科学与工程]
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