目的:探讨常规根管预备后使用半导体激光进行根管内照射对根尖封闭性能的影响。方法:选择新鲜拔除的单根管牙60颗,分6组(n=10),去除牙冠,常规根管预备。A、B组,半导体激光1 W照射20 s;C、D组,超声荡洗1 min;E、F组,不做任何处理,作为对...目的:探讨常规根管预备后使用半导体激光进行根管内照射对根尖封闭性能的影响。方法:选择新鲜拔除的单根管牙60颗,分6组(n=10),去除牙冠,常规根管预备。A、B组,半导体激光1 W照射20 s;C、D组,超声荡洗1 min;E、F组,不做任何处理,作为对照组。常规热牙胶垂直加压法充填6组牙根。微渗漏实验对根充后的A、C、E组牙的根尖封闭性能进行评估,扫描电镜观察B、D、F组牙根剖面。结果:A、C、E组根管微渗漏(mm)分别为1.70±0.82、2.02±0.40和4.56±2.76(A vs E,P<0.01;C vs E,P<0.05,A vs C,P>0.05),扫描电镜观察到激光组大部分牙本质小管发生熔融、缩小或封闭,超声荡洗组大部分牙本质小管内有糊剂或牙胶进入。结论:半导体激光进行根管内照射可以显著提高根充后根尖的封闭性能。展开更多
文摘目的:探讨常规根管预备后使用半导体激光进行根管内照射对根尖封闭性能的影响。方法:选择新鲜拔除的单根管牙60颗,分6组(n=10),去除牙冠,常规根管预备。A、B组,半导体激光1 W照射20 s;C、D组,超声荡洗1 min;E、F组,不做任何处理,作为对照组。常规热牙胶垂直加压法充填6组牙根。微渗漏实验对根充后的A、C、E组牙的根尖封闭性能进行评估,扫描电镜观察B、D、F组牙根剖面。结果:A、C、E组根管微渗漏(mm)分别为1.70±0.82、2.02±0.40和4.56±2.76(A vs E,P<0.01;C vs E,P<0.05,A vs C,P>0.05),扫描电镜观察到激光组大部分牙本质小管发生熔融、缩小或封闭,超声荡洗组大部分牙本质小管内有糊剂或牙胶进入。结论:半导体激光进行根管内照射可以显著提高根充后根尖的封闭性能。
