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全固源分子束外延生长InP和InGaAsP 被引量：1
1
作者 郝智彪 卢京辉 +1 位作者 任在元 罗毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期1193-1197,共5页
在国产分子束外延设备的基础上 ,利用新型三温区阀控裂解源炉 ,对 In P及 In Ga As P材料的全固源分子束外延 (SSMBE)生长进行了研究。生长了高质量的 In P外延层 ,表面缺陷密度为 65cm- 2 ,非故意掺杂电子浓度约为 1× 1 0 16cm- 3... 在国产分子束外延设备的基础上 ,利用新型三温区阀控裂解源炉 ,对 In P及 In Ga As P材料的全固源分子束外延 (SSMBE)生长进行了研究。生长了高质量的 In P外延层 ,表面缺陷密度为 65cm- 2 ,非故意掺杂电子浓度约为 1× 1 0 16cm- 3.In P外延层的表面形貌、生长速率及 p型掺杂特性与生长温度密切相关 .研究了 In Ga As P外延材料的组分特性 ,发现在一定温度范围内生长温度对 族原子的吸附系数有较大影响 .最后得到了晶格匹配的 In0 .56Ga0 .4 4 As0 .94 P0 .0 6材料 ,低温光致发光谱峰位于 1 50 7nm,FWHM为 9.8me V. 展开更多
关键词 分子束外延 INP INGAASP 全固源
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基于AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器 被引量：5
2
作者 郭智博 汪莱 +1 位作者 郝智彪 罗毅 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1089-1092,共4页
制作了栅极修饰金属Pt的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的氢气传感器。栅极Pt采用溅射的方法制作,主要起到形成肖特基接触并催化氢气裂解的作用。器件的栅极敏感区域尺寸为5μm×400μm,对常温下氢气浓度为2×10-6至6216×... 制作了栅极修饰金属Pt的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构的氢气传感器。栅极Pt采用溅射的方法制作,主要起到形成肖特基接触并催化氢气裂解的作用。器件的栅极敏感区域尺寸为5μm×400μm,对常温下氢气浓度为2×10-6至6216×10-6的氢气/氮气混合气进行了检测。结果表明,在VGS=-1.5 V,VDS=1 V的工作偏压下,10倍的氢气浓度变化平均引起33.9%的灵敏度变化量。同时,器件对2×10-6的氢气具有6.3%的灵敏度,表现出了具有竞争力的低浓度检测极限。 展开更多
关键词 ALGAN GAN高电子迁移率晶体管 氢气传感 灵敏度 恢复特性
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基于电吸收调制器的全光开关门模型和实验研究
3
作者 俸彦鸣 霍力 +1 位作者 杨彦甫 娄采云 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1118-1123,共6页
全光开关门是全光3R再生、全光解复用、全光逻辑门和全光波长变换的重要组成模块,而基于电吸收调制器(EAM)的全光开关门具有偏振无关和码型效应小等优点。依据光生裁流子的输运方程,建立了体材料EAM中的交叉吸收调制(XAM)模型。通过该... 全光开关门是全光3R再生、全光解复用、全光逻辑门和全光波长变换的重要组成模块,而基于电吸收调制器(EAM)的全光开关门具有偏振无关和码型效应小等优点。依据光生裁流子的输运方程,建立了体材料EAM中的交叉吸收调制(XAM)模型。通过该模型利用时域有限差分法,研究了EAM在高功率超短光脉冲抽运作用下形成的开关门特性,对不同EAM偏置电压、抽运光功率和脉冲宽度下的开关门进行了分析。同时,进行了开关门特性与偏置电压大小和抽运脉冲功率之间关系的实验研究。实验结果与理论预期相符合。EAM光开关用于光3R再生,使40Gb/s残余色散或偏振模色散恶化信号得到再生。 展开更多
关键词 光通信 高速光信号处理 全光开关门 电吸收调制器 交叉吸收调制
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