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瞬态脉冲电场传感器研发现状与展望 被引量：6
1
作者 严雪飞 朱长青 王佳 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2019年第3期356-362,共7页
综述了瞬态脉冲电场传感器的研发现状.分别对直接感应式的电场传感器和电光调制式的电场传感器的研究现状和特点进行了分析,对比了各种类型传感器的优缺点,指出瞬态脉冲电场传感器还应该在超宽带、大线性动态范围、微干扰以及三维全向... 综述了瞬态脉冲电场传感器的研发现状.分别对直接感应式的电场传感器和电光调制式的电场传感器的研究现状和特点进行了分析,对比了各种类型传感器的优缺点,指出瞬态脉冲电场传感器还应该在超宽带、大线性动态范围、微干扰以及三维全向测试等方面进行深入研究和探讨,在此基础上对其发展前景进行了展望. 展开更多
关键词 瞬态脉冲电场 测试传感器 三维传感器 电光调制
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磁控溅射工艺对二氧化钒薄膜生长及场致相变性能的影响 被引量：6
2
作者 何长安 王庆国 +2 位作者 曲兆明 卢聘 王妍 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第12期12179-12183,共5页
为揭示VO2薄膜场致相变规律,指导氧化钒工业化规模制造与应用,使用磁控溅射直流溅射工艺在蓝宝石衬底上制备了VO2薄膜。对薄膜进行了XRD及SEM测试,分析了溅射氧分压、溅射温度及溅射压强对晶体组份、晶粒的生长趋势及晶体表面结构的影... 为揭示VO2薄膜场致相变规律,指导氧化钒工业化规模制造与应用,使用磁控溅射直流溅射工艺在蓝宝石衬底上制备了VO2薄膜。对薄膜进行了XRD及SEM测试,分析了溅射氧分压、溅射温度及溅射压强对晶体组份、晶粒的生长趋势及晶体表面结构的影响规律。对VOx薄膜的场致相变特性进行了测试研究,分析了VOx薄膜的导电开关特性,总结了溅射氧氩比对其临界相变电场区间及电导率变化倍数的影响规律。得出结论,基片温度对成膜速度和晶粒大小及晶粒间隙有很大影响,溅射气压对薄膜表面晶体生长的均匀性影响显著,氧分压是影响薄膜组份的重要因素,氧氩比会影响薄膜的场致相变电导率变化倍数和临界相变电压区间。 展开更多
关键词 二氧化钒薄膜 磁控溅射 晶体生长 XRD 溅射气压 氧气分压 场致相变
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三维脉冲电场传感器的时域校准及不确定度评定 被引量：3
3
作者 严雪飞 朱长青 +2 位作者 欧渊 石根柱 王佳 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期4054-4061,共8页
为了满足脉冲电场的校准需求,以三维脉冲传感器为例,建立了一套基于GTEM室的时域校准系统,并对传感器进行了时域校准和不确定度评定。该不确定度分析考虑了场均匀性、输入电压、测量距离以及传感器和标准电场之间的相互关系等因素,通过... 为了满足脉冲电场的校准需求,以三维脉冲传感器为例,建立了一套基于GTEM室的时域校准系统,并对传感器进行了时域校准和不确定度评定。该不确定度分析考虑了场均匀性、输入电压、测量距离以及传感器和标准电场之间的相互关系等因素,通过不确定度合成,得出了在置信概率>95%时,校准的总不确定度为5.82%。并在此基础上,对三维脉冲电场进行了时域校准,校准结果表明:传感器的线性度良好,拟合的确定系数为0.998。该研究对于分析电场传感器的时域校准有一定的参考意义。 展开更多
关键词 脉冲电场 三维传感器 GTEM室 时域校准 不确定度
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线面结构天线的电磁建模与计算 被引量：2
4
作者 严雪飞 朱长青 《微波学报》 CSCD 北大核心 2018年第1期6-10,20,共6页
应用矩量法对线面结构的天线进行建模,针对天线中的不同结构,选用了不同的基函数进行建模,对于线结构和面结构,分别采用了经典的三角形基函数和RWG矢量基函数。而对于线面结合处这一复杂结构,在分析传统线面基函数表达式的基础上推导出... 应用矩量法对线面结构的天线进行建模,针对天线中的不同结构,选用了不同的基函数进行建模,对于线结构和面结构,分别采用了经典的三角形基函数和RWG矢量基函数。而对于线面结合处这一复杂结构,在分析传统线面基函数表达式的基础上推导出一种新的基函数,该基函数中增加了描述天线粗细的项,且其散度为一常数,避免了复杂的差分计算,有效解决了传统线面结合基函数分析粗天线模型时误差大且存在奇异点的缺点。在此基础上,给出了线面结构天线阻抗矩阵及散射场的计算方法。最后通过两个天线的算例验证了该算法的正确性和通用性。 展开更多
关键词 天线 矩量法 线面结构 基函数
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基于磁控溅射法的二氧化钒薄膜制备技术优化及应用 被引量：2
5
作者 何长安 王庆国 +4 位作者 曲兆明 邹俊 郭松茂 娄华康 王妍 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期629-632,589,共5页
将磁控溅射法和真空退火工艺相结合,在Al2O3陶瓷基片上制备出VXOY薄膜,降低了实验对仪器精度的要求,提高了实验的成功率。对基片进行磁控溅射镀膜,在管式炉中进一步氧化处理生成表面均匀的V2O5,然后进行高温退火处理,对不同退火条件下... 将磁控溅射法和真空退火工艺相结合,在Al2O3陶瓷基片上制备出VXOY薄膜,降低了实验对仪器精度的要求,提高了实验的成功率。对基片进行磁控溅射镀膜,在管式炉中进一步氧化处理生成表面均匀的V2O5,然后进行高温退火处理,对不同退火条件下生成的薄膜进行X射线衍射仪(XRD)表征和电子显微镜(SEM)观察。研究表明,通过对磁控溅射和真空退火工艺两个过程的控制参数优化设计,实现了高重复性VO2薄膜的制备;薄膜组份均匀性得到了显著改善;退火温度在475℃到525℃区间时可生成相变性能较好的VO2薄膜;退火温度为500℃、退火时间110 min时,薄膜表面晶体结构最好,晶粒大小均匀。实验结果对VO2薄膜高重复性制备及卫星表面应用具有指导意义。 展开更多
关键词 二氧化钒薄膜 退火处理 磁控溅射 晶体生长 卫星设计
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