半导体激光器的最新进展及其应用 被引量：13

1

作者 李学千 《长春光学精密机械学院学报》 1997年第4期56-63,共8页

在最近十几年来，半导体激光器已成为世界上发展最快的一门激光技术。由于半导体激光器的独特性能，使得它目前在国民经济中展现出了一系列的优点，并已获得了广泛的应用。本文简述了半导体激光器的发展历史，介绍了半导体激光器的重要... 在最近十几年来，半导体激光器已成为世界上发展最快的一门激光技术。由于半导体激光器的独特性能，使得它目前在国民经济中展现出了一系列的优点，并已获得了广泛的应用。本文简述了半导体激光器的发展历史，介绍了半导体激光器的重要特征，阐述了目前主要的高功率半导体激光器结构。研究了国内外高功率半导体激光器的开发现状，列出了半导体激光器当前的各种应用，对半导体激光器的发展趋势进行了预测。最后，对发展我国高功率半导体激光器提出了一些看法。 展开更多

关键词 高功率 半导体激光器 激光

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高功率阵列半导体激光器的光纤耦合输出 被引量：13

2

作者 薄报学 曲轶 +3 位作者 高欣 王玲 宋晓伟 高鼎三 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期468-470,共3页

采用柱透镜对 10单元阵列半导体激光器的输出光束进行了有效收集和预准直及与多模光纤之间的耦合实验。激光器采用 80 8nm波长、15 0 μm条宽的发射单元 ,周期为 10 0 0 μm,与 2 0 0 μm芯径平端光纤阵列的耦合效率高达 75 % ,光纤输... 采用柱透镜对 10单元阵列半导体激光器的输出光束进行了有效收集和预准直及与多模光纤之间的耦合实验。激光器采用 80 8nm波长、15 0 μm条宽的发射单元 ,周期为 10 0 0 μm,与 2 0 0 μm芯径平端光纤阵列的耦合效率高达 75 % ,光纤输出功率 7.5 W。分析了影响耦合效率的主要因素。 展开更多

关键词 高功率阵列 光纤耦合 半导体激光器

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808nm波长光纤耦合高功率半导体激光器 被引量：9

3

作者 薄报学 高欣 +3 位作者 王玲 张宝顺 王玉霞 张兴德 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期193-196,共4页

采用柱透镜对半导体激光器（ＬＤ）的输出光束进行了有效收集、预准直及多模光纤之间的耦合实验。采用８０８ｎｍ波长，１５０μｍ条宽结构的激光器件，与２００μｍ芯径平端光纤的耦合效率高达９０％以上，光纤输出功率为１．０Ｗ。

关键词 大功率LD 光纤耦合 预准直 半导体激光器

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红外精确制导技术的现状及发展趋势 被引量：5

4

作者 李忠辉 李军 +2 位作者 李辉 徐莉 张兴德 《长春光学精密机械学院学报》 2000年第4期19-24,共6页

介绍了红外精确制导技术及红外探测器的基本原理、类型 ,综述了各国的研究现状和发展趋势 。

关键词 精确制导 探测器 半自动制导 点源寻的制导 成像制导 红外

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大功率半导体激光光束整形技术及其在泵浦方面的应用 被引量：4

5

作者 薄报学 高鼎三 +2 位作者 宋晓伟 王玲 曲轶 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期263-265,共3页

在分析大功率半导体激光器的光束输出特性的基础上，针对Nd:YVO4/KTP腔内倍频激光器的泵浦光源要求，研究了大功率半导体激光器光束输出的多种整形方法，同时比较了不同泵浦光束形状对Nd:YVO4/KTP腔内倍频激光器输出效率的影响。

关键词 光束整形 半导体激光器 腔内倍频 转换效率 泵浦

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高功率无铝半导体激光器 被引量：4

6

作者 杨进华 张兴德 任大翠 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期80-84,共5页

InGaAsP/GaAs激光器能抑制暗线缺陷的形成 ,器件的突然失效及缓慢退化有所减少。研究表明 ,高功率无铝半导体激光器比有铝的AlGaAs/GaAs激光器具有更高的可靠性。文章分析比较了高功率有铝和无铝半导体激光器的优缺点 ,介绍了波长为 80 ... InGaAsP/GaAs激光器能抑制暗线缺陷的形成 ,器件的突然失效及缓慢退化有所减少。研究表明 ,高功率无铝半导体激光器比有铝的AlGaAs/GaAs激光器具有更高的可靠性。文章分析比较了高功率有铝和无铝半导体激光器的优缺点 ,介绍了波长为 80 8nm的高功率无铝半导体激光器的发展及国内外目前的研究状况。 展开更多

关键词 半导体激光器 量子阱 砷化镓 铝

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具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器 被引量：5

7

作者 高欣 曲轶 +2 位作者 薄报学 张宝顺 张兴德 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期388-389,392,共3页

研制出利用液相外延方法生长８０８ ｎｍ ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ 分别限制单量子阱激光器，其室温连续输出功率达到４ Ｗ，室温工作的特征温度达到２１８ Ｋ。

关键词 半导体激光器 液相外延 分别限制单量子阱 特征温度

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高功率无铝半导体激光器 被引量：3

8

作者 朱宝仁 张宝顺 +1 位作者 薄报学 张兴德 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期189-192,共4页

介绍了单量子阱 (SQW )分别限制异质结构 (SCH)的InGaAsP/GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用一种改进的液相外延 (LPE)技术 ,在( 1 0 0 )GaAs衬底上制成的InGaAsP/GaAsSQWSCH激光器。主要参数如下 :发射波长λ =80 8± 4nm ,... 介绍了单量子阱 (SQW )分别限制异质结构 (SCH)的InGaAsP/GaAs半导体激光器所得到的最新成果。利用一种改进的液相外延 (LPE)技术 ,在( 1 0 0 )GaAs衬底上制成的InGaAsP/GaAsSQWSCH激光器。主要参数如下 :发射波长λ =80 8± 4nm ,阈值电流密度J =30 0A/cm2 ,对于条宽W =1 0 0 μm的激光器 ,连续输出功率最大达到 展开更多

关键词 无铝 高功率 半导体激光器 SQW SCH

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漫射近似理论的有效使用范围分析 被引量：2

9

作者 万春明 《光学技术》 CAS CSCD 2002年第2期137-138,共2页

利用蒙特卡罗方法模拟了半无限大生物组织内部深度分辨的光能流率的分布情况。分析了漫射近似理论的有效使用范围。当组织厚度大于 3/ 2个光子的平均自由程时 ,应用漫射近似理论能得到很好的结果 ,反之 ,漫射理论不能使用。也就是说 ,... 利用蒙特卡罗方法模拟了半无限大生物组织内部深度分辨的光能流率的分布情况。分析了漫射近似理论的有效使用范围。当组织厚度大于 3/ 2个光子的平均自由程时 ,应用漫射近似理论能得到很好的结果 ,反之 ,漫射理论不能使用。也就是说 ,当组织厚度z >0 1875cm时 ,应用漫射理论能得到很好的结果 ;当组织厚度z <0 1875cm时 。 展开更多

关键词 漫射近似理论 蒙特卡罗方法 平均自由程 光能流率 光波 生物组织

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InGaAsP/GaAs单量子阱SCH半导体激光器的液相外延 被引量：5

10

作者 薄报学 朱宝仁 +3 位作者 张宝顺 高欣 任大翠 张兴德 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期21-24,共4页

利用一种改进的液相外延技术进行了ＧａＡｓ衬底上ＩｎＧａＡｓＰ材料的生长，１０Ｋ温度下光荧光半宽度（ＦＷＨＭ）为１４ｍｅＶ，获得了阈值电流密度为３００Ａ／ｃｍ２的ＳＣＨ多层结构外延片，宽台面激光器最大连续输出功率达到２... 利用一种改进的液相外延技术进行了ＧａＡｓ衬底上ＩｎＧａＡｓＰ材料的生长，１０Ｋ温度下光荧光半宽度（ＦＷＨＭ）为１４ｍｅＶ，获得了阈值电流密度为３００Ａ／ｃｍ２的ＳＣＨ多层结构外延片，宽台面激光器最大连续输出功率达到２．１Ｗ。 展开更多

关键词 液相外延 半导体激光器 激光器结构

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半导体微碟激光器设计原理与工艺制作 被引量：3

11

作者 吴根柱 杜宝勋 +2 位作者 杨进华 任大翠 张兴德 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期563-567,共5页

用经典量子电动力学理论初步研究了半导体碟型微腔激光器的设计原理 ,采用光刻、反应离子刻蚀和选择化学腐蚀等现代微加工技术制备出抽运阈值功率很低且品质因数很高的低温光抽运InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器。这种激光器制作工艺... 用经典量子电动力学理论初步研究了半导体碟型微腔激光器的设计原理 ,采用光刻、反应离子刻蚀和选择化学腐蚀等现代微加工技术制备出抽运阈值功率很低且品质因数很高的低温光抽运InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器。这种激光器制作工艺简单 ,对有效光子状态密度调制较大 ,是比较理想的半导体微腔激光器。 展开更多

关键词 半导体微碟激光器 设计原理 工艺制作 有效光子状态密度 光抽运 电偶极子 品质因数

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半导体/超晶格分布布拉格反射镜的特性研究 被引量：2

12

作者 晏长岭 钟景昌 +3 位作者 赵英杰 苏伟 黎荣晖 任春燕 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期289-293,共5页

在n+ GaAs (10 0 )衬底上由分子束外延技术 (MBE)生长了以 [GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/ [GaAs/AlAs]半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) ,并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量。从实验获得的DBR的反射谱... 在n+ GaAs (10 0 )衬底上由分子束外延技术 (MBE)生长了以 [GaAs/AlAs]超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的新型AlAs/ [GaAs/AlAs]半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) ,并对此DBR的光、电学特性进行了实验测量。从实验获得的DBR的反射谱中得出 ,其反射谱中心波长为 85 0nm ,19周期此DBR的峰值反射率高达 99 5 % ,反射带宽度为 90nm左右。与此同时 ,由自行设计的二次钨丝掩模质子注入形成 15× 15 μm2 正方形电流注入区对 p型DBR的串联电阻进行了测量 ,克服了化学湿腐蚀法中腐蚀深度不易控制及侧面同时被腐蚀的缺点。实验得出此 p型DBR的串联电阻仅为 5 0Ω左右。由此可见 ,此DBR在保持高的反射率的同时具有较低的串联电阻。最后 ,对DBR的串联电阻与温度关系的实验研究表明 ,此DBR的串联电阻受温度的影响不大。 展开更多

关键词 分布布拉格反射镜 DBR 超晶格 分子束外延 MBE 串联电阻 半导体激光器 特性研究 GAAS/ALAS 砷化镓/砷化铝

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液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究 被引量：4

13

作者 杨进华 高欣 +2 位作者 李忠辉 吴根柱 张兴德 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期214-217,共4页

用改进的液相外延法生长了大功率 In Ga As P/Ga As半导体激光器 ,实验测量和理论分析都表明用该方法生长的单量子阱分别限制异质结构 ,达到了设计要求 ,阈值电流密度为 30 0 A/cm2 ,斜率效率达 1 .32 W/A。

关键词 液相外延 大功率 半导体激光器 材料生长 INGAASP/GAAS 阈值电流密度 斜率效率

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MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器 被引量：2

14

作者 吴根柱 张子莹 +1 位作者 任大翠 张兴德 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1057-1062,共6页

用 MOCVD方法生长了 In Ga As/ In Ga As P多量子阱微碟激光器外延片 ,用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径 9.5μm的 In Ga As/ In Ga As P微碟激光器 ,并详细介绍了整个制备工艺过程 .在液氮温度下用氩离子激... 用 MOCVD方法生长了 In Ga As/ In Ga As P多量子阱微碟激光器外延片 ,用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径 9.5μm的 In Ga As/ In Ga As P微碟激光器 ,并详细介绍了整个制备工艺过程 .在液氮温度下用氩离子激光器泵浦方式实现了低阈值光泵激射 ,测出单个微碟激光器的阈值光功率为 15 0μW,激射波长约为 1.6μm,品质因数 Q=80 0 ,激射光谱线宽为 2 nm,同时指出微碟激光器激射线宽比 F- 展开更多

关键词 微碟激光器 多量子阱光泵 MOCVD生长 INGAAS/INGAASP

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InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响 被引量：3

15

作者 李忠辉 李梅 +3 位作者 王玲 高欣 王玉霞 张兴德 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期90-91,95,共3页

利用LP MOCVD生长InGaAsP/InGaP/GaAsSCH SQW结构 ,制作了宽接触条形激光器 ,研究发现微分量子效率在中等腔长范围内有极大值 ;腔长较短时 。

关键词 分别限制结构 阈值电流密度 外微分量子效率

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940nm高功率列阵半导体激光器 被引量：2

16

作者 曲轶 石家纬 +3 位作者 薄报学 高欣 张宝顺 张兴德 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期276-278,共3页

利用分子束外延生长方法生长出InGaAs/GaAs应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续(500μs,100Hz)输出功率达到27W(室温),峰值波长为939～941nm,并分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。

关键词 分子束外延 输出功率 列阵半导体激光器 高功率

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850nm有源区无铝高功率SCH-SQW激光器 被引量：2

17

作者 李忠辉 王玉霞 +3 位作者 王玲 高欣 王向武 张兴德 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期5-6,共2页

设计并制作了条宽 10 0 μm ,腔长 1mm的有源区无铝高功率SCH SQW激光器 ,室温连续输出功率达 1W ,阈值电流密度为 46 0A/cm2 ,外微分量子效率为 0 6 8W/A ,激射波长为 849nm(腔面未镀膜 )。

关键词 有源区 分别限制单量子阱 阈值电流 激射波长无铝高功率SCH-SQW激光器

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堆积式列阵半导体激光器 被引量：1

18

作者 赵英杰 黎荣晖 +1 位作者 晏长岭 钟景昌 《长春光学精密机械学院学报》 1999年第2期17-20,共4页

本文介绍堆积式列阵半导体激光器， 着重在ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ 系列激光器。由于它们的Ｔ。小， 受环境温度影响大， 用一般结构制作列阵器件是很困难的。而采用大光腔结构的激光器， 它的Ｔ０ 值可达１００ ～１４０Ｋ， 单个１－... 本文介绍堆积式列阵半导体激光器， 着重在ＧａＩｎＡｓＰ／ＩｎＰ 系列激光器。由于它们的Ｔ。小， 受环境温度影响大， 用一般结构制作列阵器件是很困难的。而采用大光腔结构的激光器， 它的Ｔ０ 值可达１００ ～１４０Ｋ， 单个１－３μｍ 激光器，脉冲峰值功率超过３ｗ （ 瓦）［ １］ ， 单个１－５５μｍ 激光器， 脉冲峰值功率超过２ Ｗ［ ２］ 。我们用它们的芯片研制堆积列阵激光器在研制中发现， 列阵的输出功率小于各单元器件输出功率之和； 而减小的比率随着单元数目增加而增加。我们制成３ ×４ 单元的１－３μｍ 列阵激光器， 其脉冲峰值功率大于２４ Ｗ； ４ ×４ 单元的１－５５μｍ 列阵激光器， 它的脉冲峰值功率大于２０ Ｗ。 展开更多

关键词 半导体激光器 大光腔结构 堆积列阵 激光器

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高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器 被引量：1

19

作者 朱宝仁 张兴德 +2 位作者 薄报学 张宝顺 杨忠和 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第12期1614-1617,共4页

介绍了研究分别限制结构的（ＳＣＨ）ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术，基于量子阱（ＱＷ）结构的ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ激光器，可用短时间液相外延（ＬＰＥ）技术制造。在（１００）Ｇ... 介绍了研究分别限制结构的（ＳＣＨ）ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ半导体激光器所得到的最新成果。利用引进的俄国技术，基于量子阱（ＱＷ）结构的ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ激光器，可用短时间液相外延（ＬＰＥ）技术制造。在（１００）ＧａＡｓ衬底上制成的ＩｎＧａＡｓＰ－ＧａＡｓ分别限制结构的激光器，主要参数如下：发射波长λ＝８０８ｎｍ，阈值电流密度Ｊ＝３００Ａ／ｃｍ２，对于条宽ｗ＝１００μｍ的激光器，连续功率为１～２Ｗ。对制成的激光器，进行连续１０００ｈ的实际寿命试验。 展开更多

关键词 半导体激光器 高功率 分别限制结构

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InGaAsP/GaAs单量子阱半导体激光器光学特性的研究 被引量：2

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作者 杨进华 任大翠 +2 位作者 张剑家 杜宝勋 张兴德 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期687-690,共4页

用改进的液相外延方法 L PE 生长了无铝的 In Ga As P/Ga As分别限制单量子阱半导体激光器 ,测量其远场分布近似为高斯分布 .用缓变波导理论分析了产生这种分布所对应的光波导结构的折射率分布模型 ,并简单解释了其生成原因 。

关键词 半导体激光器 单量子阱 INGAASP/GAAS

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