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TGS热释电晶体生长工艺研究 被引量：3
1
作者 于杰 陈敬超 +1 位作者 周晓龙 陈春荣 《昆明理工大学学报（理工版）》 2004年第6期27-30,共4页
目前对TGS晶体进行改性研究是克服其自身弱点的途径 ,而生长均匀、无缺陷的TGS单晶是该研究工作的基础 .利用水溶法生长了纯TGS单晶体 ,系统地论述了晶体生长的装置和工艺过程 .分析了晶体生长过程中出现各种缺陷的原因 .测定了晶体的... 目前对TGS晶体进行改性研究是克服其自身弱点的途径 ,而生长均匀、无缺陷的TGS单晶是该研究工作的基础 .利用水溶法生长了纯TGS单晶体 ,系统地论述了晶体生长的装置和工艺过程 .分析了晶体生长过程中出现各种缺陷的原因 .测定了晶体的热释电性能的主要参数 .结果表明此方法生长的晶体达到工业应用的技术要求 .从而指出生长均匀、无缺陷TGS单晶体工艺过程中的各个影响因素和应注意的事项 。 展开更多
关键词 TGS 晶体生长 热释电
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