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基于GaN工艺的3.3~3.6 GHz Doherty功率放大器MMIC设计
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作者 王为民 姚小江 +3 位作者 方志明 马若愚 谭小媛 郑子龙 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第4期614-620,共7页
基于GaN工艺设计了一款饱和输出功率为44 dBm、功率回退为9 dB的非对称Doherty功率放大器。为了提高增益,在Doherty功率放大器前方增加驱动级。通过对主放大器的输出匹配电路进行阻抗匹配优化设计,去掉λ/4阻抗变换线;辅助功放输出阻抗... 基于GaN工艺设计了一款饱和输出功率为44 dBm、功率回退为9 dB的非对称Doherty功率放大器。为了提高增益,在Doherty功率放大器前方增加驱动级。通过对主放大器的输出匹配电路进行阻抗匹配优化设计,去掉λ/4阻抗变换线;辅助功放输出阻抗采用RC网络等效代替,控制输出匹配电路相位为0°,确保关断时为高阻状态;合路点的最佳阻抗直接选取50Ω,从而去掉λ/4阻抗变换线。芯片仿真结果表明,在3.3~3.6 GHz时,Doherty功率放大器的饱和输出功率达到44 dBm以上,功率增益达到25 dB以上,功率附加效率(PAE)达到50%以上;功率回退为9 dB时,PAE达到34.7%以上。Doherty功率放大器的版图尺寸为3.4 mm*3.3 mm,驱动级功率放大器的版图尺寸为1.5 mm*1.7 mm。 展开更多
关键词 DOHERTY功率放大器 非对称 GAN MMIC 5G
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