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题名射频溅射功率对非晶Zn-Sn-O薄膜性能的影响
被引量：2
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作者
岳兰
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机构
贵州民族大学材料科学与工程学院贵州省普通高等学校光电信息分析与处理特色重点实验室
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出处
《半导体光电》
CAS
北大核心
2019年第5期661-664,670,共5页
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基金
国家自然科学基金项目(61504031)
贵州省普通高等学校光电信息分析与处理特色重点实验室项目(KY[2016]003)
+2 种基金
贵州省科学技术基金项目(黔科合LH字[2014]7388,黔科合LH字[2014]7389)
贵州省教育厅青年成长人才项目(黔教合字[2016]155)
贵州民族大学科研基金项目(15XRY009)
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文摘
使用射频磁控溅射法,基于不同溅射功率(58、79、116、148和171W)条件在玻璃基底上室温制备了Zn-Sn-O(ZTO)薄膜,并探讨了溅射功率对薄膜的结构、电学性能和光学性能的影响。结果表明,提高溅射功率有助于提升薄膜的沉积速率;XRD分析表明不同溅射功率条件下制备的ZTO薄膜均具备稳定的非晶结构;随着溅射功率的增加,薄膜的电阻率下降,光学吸收边"红移"(光学禁带宽度从3.77eV减小到3.62eV);整体来看,在58~148W溅射功率范围内制备的ZTO薄膜具备较好的可见光透明性,其在380~780nm可见光范围内的平均透过率均超过85%。
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关键词
ZTO薄膜
射频磁控溅射
溅射功率
电学性能
光学性能
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Keywords
zinc-tin-oxide thin films
radio frequency magnetron sputtering
sputtering power
electrical properties
optical properties
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分类号
TN321.5
[电子电信—物理电子学]
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题名无机氧化物沟道层/有机介质层混合型薄膜晶体管
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作者
岳兰
董泽刚
孟繁新
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机构
贵州民族大学材料科学与工程学院贵州省普通高等学校光电信息分析与处理特色重点实验室
中国振华集团永光电子有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第11期857-862,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61504031)
贵州省科学技术基金资助项目(20147388,20147389)
+2 种基金
贵州省教育厅青年成长人才项目(2016155)
贵州民族大学科研基金资助项目(15XRY009)
贵州省普通高等学校光电信息分析与处理特色重点实验室项目(KY2016003)
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文摘
基于低成本溶液法的浸渍提拉成膜工艺以无机In-Al-Zn-O(IAZO)为沟道层,以有机聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为介质层,研制了无机/有机混合型薄膜晶体管(TFT),探究了PMMA厚度对IAZO TFT电学特性和电学稳定性的影响。结果表明,具备较薄PMMA介质层的TFT呈现出更优越的工作特性(饱和迁移率大于20 cm2·V^-1·s^-1,电流开关比高于104),然而随着介质层厚度的减薄,经过疲劳测试后的器件电学稳定性却明显退化。此外,有机PMMA介质层(厚度390 nm)叠加于无机IAZO沟道层有一定的增透效果:IAZO/PMMA双层薄膜在可见光区(波长400~700 nm)的平均透过率(95.0%)高于单层IAZO的平均透过率(93.0%),表明所选用的IAZO和PMMA材料在制备全透明器件方面具备一定的应用潜力。
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关键词
薄膜晶体管
溶液法
聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)
介质层厚度
电学稳定性
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Keywords
thin-film transistor
solution method
polymethyl methacrylate (PMMA)
dielectric layer thickness
electrical stability
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分类号
TN321.5
[电子电信—物理电子学]
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题名浸渍提拉法制备有机介质层铝铟锌氧薄膜晶体管
- 3
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作者
岳兰
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机构
贵州民族大学材料科学与工程学院贵州省普通高等学校光电信息分析与处理特色重点实验室
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出处
《半导体光电》
CAS
北大核心
2018年第1期86-90,共5页
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基金
国家自然科学基金项目(61504031)
贵州省科学技术基金项目(黔科合LH字[2014]7388)
+1 种基金
贵州民族大学科研基金项目(15XRY009)
贵州省教育厅青年成长人才项目(黔教合字[2016]155)
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文摘
利用溶液法的浸渍提拉工艺制备了以有机聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为介质层、非晶铝铟锌氧化物(a-AIZO)为沟道层的顶栅共面结构薄膜晶体管(TFT),研究了沟道层退火温度对TFT性能的影响机理。结果表明:较低退火温度(如300和350℃)下处理的沟道层中存在未彻底分解的金属氢氧化物,其以缺陷态形式存在于TFT沟道层内或沟道层/介质层界面处,对导电沟道中电子进行捕获或散射,劣化TFT的迁移率、电流开关比以及亚阈值摆幅。综合来看,退火温度高于400℃下制备的a-AIZO适用于TFT器件的沟道层,相应的器件呈现出较高的迁移率(大于20cm2/(V·s))、较低的亚阈值摆幅(小于0.5V/decade)以及高于104的电流开关比。
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关键词
薄膜晶体管
非晶氧化物半导体
浸渍提拉法
有机介质层
沟道层退火温度
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Keywords
thin-film transistor
amorphous oxide semiconductors
dip coating
organicdielectric layer
annealing temperature of active layer
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分类号
TN321.5
[电子电信—物理电子学]
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