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新型半导体材料BaSi2的结构及其热电性能的研究
1
作者 徐虎 谢泉 +1 位作者 杨子义 熊锡成 《纳米科技》 2011年第6期60-66,共7页
正交相的BaSi2是一种新型半导体材料，具有较小的热传导系数、较大的光学吸收系数和适合的带隙值，是一种潜在的热电材料和理想太阳能电池材料，有着广阔的应用前号。文章介绍了正交相BaSi2晶体结构、电学特性，综述了近年来对其热电性... 正交相的BaSi2是一种新型半导体材料，具有较小的热传导系数、较大的光学吸收系数和适合的带隙值，是一种潜在的热电材料和理想太阳能电池材料，有着广阔的应用前号。文章介绍了正交相BaSi2晶体结构、电学特性，综述了近年来对其热电性质的研究状况，并就当前BaSi2究中存在的问题和研究动向做了简要讨论。 展开更多
关键词 BaSi2 晶体结构 热电性质 热电材料
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Mg2Si晶体结构及消光特性的研究 被引量：21
2
作者 余志强 谢泉 +1 位作者 肖清泉 赵珂杰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期6889-6893,共5页
基于高能X射线的散射理论,研究了Mg2Si晶体的结构和消光特性.结果表明,Mg2Si晶体具有反萤石结构,当衍射指数H,K和L奇偶混合时其散射光就会出现系统消光,而当衍射指数H,K和L全为偶数或者全为奇数时,其散射光就会出现衍射.在实际应用中对... 基于高能X射线的散射理论,研究了Mg2Si晶体的结构和消光特性.结果表明,Mg2Si晶体具有反萤石结构,当衍射指数H,K和L奇偶混合时其散射光就会出现系统消光,而当衍射指数H,K和L全为偶数或者全为奇数时,其散射光就会出现衍射.在实际应用中对研究具有反萤石结构的晶体具有重要意义. 展开更多
关键词 散射理论 消光特性 反萤石结构 衍射
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Al掺杂浓度对CrSi_2电子结构及光学性质的影响 被引量：20
3
作者 闫万珺 周士芸 +3 位作者 谢泉 郭本华 张春红 张忠政 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期163-171,共9页
采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对不同Al掺杂浓度CrSi2的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算表明:Al掺杂使得CrSi2的晶格常数a和b增大,c变化不大,晶格体积增大;Cr(Si1-xAlx)2仍然... 采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对不同Al掺杂浓度CrSi2的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算表明:Al掺杂使得CrSi2的晶格常数a和b增大,c变化不大,晶格体积增大;Cr(Si1-xAlx)2仍然是间接带隙半导体,掺杂使得费米面向价带移动,且随着掺杂量的增大而更深地嵌入价带中,费米能级附近的电子态密度主要由Cr的3d态电子贡献。光学性质计算表明,随着掺杂量的增大,Cr(Si1-xAlx)2的静态介电常数、第一介电峰、折射率n0逐渐增大,平均反射效应减弱,表明Al掺杂有效增强了CrSi2对光的吸收,能够提高其光电转换效率。计算结果为CrSi2光电材料的应用和设计提供了理论指导。 展开更多
关键词 光学材料 CrSi2 电子结构 光学性质 掺杂 第一性原理
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掺杂Mg_2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算 被引量：17
4
作者 陈茜 谢泉 +1 位作者 杨创华 赵凤娟 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期229-235,共7页
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法系统计算了Mg2Si及掺Ag、Al的能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明,未掺杂Mg2Si属于间接带隙半导体,禁带宽度为0.2994 eV,其价带主要由Si的3p及Mg的3s、3p态电子构成,导带主要由Mg... 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法系统计算了Mg2Si及掺Ag、Al的能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明,未掺杂Mg2Si属于间接带隙半导体,禁带宽度为0.2994 eV,其价带主要由Si的3p及Mg的3s、3p态电子构成,导带主要由Mg的3s、3p及Si的3p态电子构成,静态介电常数为18.89,折射率为4.3460。掺Ag后Mg2Si为p型半导体,价带主要由Si的3p,Mg的3s、3p及Ag的3p、4d、5s态电子构成,静态介电常数为11.01,折射率为3.3175。掺Al后Mg2Si为n型半导体,导带主要由Mg的3s、3p,Si的3p及Al的3p态电子构成,Al的3s态电子贡献相对较小,静态介电常数为87.03,折射率为9.3289。通过掺杂有效调制了Mg2Si的电子结构,计算结果为Mg2Si光电材料的设计与应用提供了理论依据。 展开更多
关键词 光学材料 MG2SI 光学性质 电子结构 掺杂 第一性原理
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应力调制下β-FeSi_2电子结构及光学性质 被引量：14
5
作者 闫万珺 张春红 +4 位作者 桂放 张忠政 谢泉 郭本华 周士芸 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期243-249,共7页
采用第一性原理赝势平面波方法对应力调制下β-FeSi2的电子结构及光学性质进行了计算,全面分析了应力对β-FeSi2能带结构、电子态密度和光学性质的影响。在各向同性应力的作用下,压缩晶格使β-FeSi2的导带向高能区漂移,带隙变宽,拉伸晶... 采用第一性原理赝势平面波方法对应力调制下β-FeSi2的电子结构及光学性质进行了计算,全面分析了应力对β-FeSi2能带结构、电子态密度和光学性质的影响。在各向同性应力的作用下,压缩晶格使β-FeSi2的导带向高能区漂移,带隙变宽,拉伸晶格使导带向低能区漂移,带隙变窄,且当拉伸应力增加到-25GPa时,费米能级穿过了价带和导带,β-FeSi2由半导体变成了导体;压缩晶格会使各光学参数发生蓝移,增大β-FeSi2的吸收系数和光电导率,降低反射率,而拉伸晶格会导致红移,增大静态介电常数,折射率n0和反射率,降低吸收系数。施加应力可以调节β-FeSi2的电子结构和光学性质,是改变和控制β-FeSi2的光电传输性能的有效手段。 展开更多
关键词 材料 Β-FESI2 电子结构 光学性质 应力 第一性原理
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锰掺杂二硅化铬电子结构和光学性质的第一性原理计算 被引量：15
6
作者 周士芸 谢泉 +1 位作者 闫万珺 陈茜 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期2848-2853,共6页
采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法计算了锰掺杂二硅化铬(CrSi2)体系的能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明未掺杂CrSi2属于间接带隙半导体,间接带隙宽度ΔEg=0.35eV;Mn掺杂后费米能级进入导带,带隙变窄,且间... 采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法计算了锰掺杂二硅化铬(CrSi2)体系的能带结构、态密度和光学性质。计算结果表明未掺杂CrSi2属于间接带隙半导体,间接带隙宽度ΔEg=0.35eV;Mn掺杂后费米能级进入导带,带隙变窄,且间接带隙宽度ΔEg=0.24eV,CrSi2转变为n型半导体。光学参数发生改变,静态介电常数由掺杂前的ε1(0)=32变为掺杂后的ε1(0)=58;进一步分析了掺杂对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质的影响,为CrSi2材料掺杂改性的研究提供了理论依据。 展开更多
关键词 光学材料 CrSi2 电子结构 光学性质 掺杂 第一性原理
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Co掺杂β-FeSi_2电子结构及光学性质的第一性原理研究 被引量：12
7
作者 闫万珺 周士芸 +3 位作者 谢泉 桂放 张春红 郭笑天 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期165-171,共7页
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对不同Co含量的β-FeSi2的能带结构,态密度、分态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算结果表明,Co掺杂使得β-FeSi2的晶格常数a增大,b和c变化不大,晶格体积增大... 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对不同Co含量的β-FeSi2的能带结构,态密度、分态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算结果表明,Co掺杂使得β-FeSi2的晶格常数a增大,b和c变化不大,晶格体积增大。Fe1-xCoxSi2的能带结构变为直接带隙,禁带宽度从0.74 eV减小到0.07 eV,Co的掺入削弱了Fe的3d态电子,但费米能级附近的电子态密度仍主要由Fe的3d态电子贡献。此外,Co掺杂导致β-FeSi2的晶格体积增大,这对掺杂后β-FeSi2的带隙变窄起到一定的调制作用。光学性质的计算表明,Co掺入后介电函数虚部ε2(ω)向低能方向偏移,且光学跃迁强度明显减弱,吸收边发生了红移,光学带隙随Co含量增加而减小。计算结果为β-FeSi2光电材料的设计和应用提供了理论依据。 展开更多
关键词 材料 Β-FESI2 电子结构 光学性质 掺杂 第一性原理
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Mg_2Si半导体薄膜的热蒸发制备 被引量：10
8
作者 余宏 谢泉 +1 位作者 肖清泉 陈茜 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1204-1207,共4页
采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜。研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响。首先在Si(111)衬底上沉积380nm Mg膜,然后在退火炉低真空10-1～10-2Pa氛围400℃退火,退火时间分别为3、4、5、6和7h。通过X射... 采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜。研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响。首先在Si(111)衬底上沉积380nm Mg膜,然后在退火炉低真空10-1～10-2Pa氛围400℃退火,退火时间分别为3、4、5、6和7h。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和拉曼光谱仪对薄膜的结构、形貌和光学性质进行了表征。结果表明,采用电阻式热蒸发方法成功地制备了半导体Mg2Si薄膜,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性。最强衍射峰出现在40.12°位置,随着退火时间的延长,Mg2Si(220)衍射峰强度先逐渐变强后变弱,退火4h时该峰强度最强。在256和690cm-1附近有两个Mg2Si拉曼特征峰,退火时间为4和7h时,256cm-1附近Mg2Si拉曼特征峰较强。 展开更多
关键词 Mg2Si薄膜 热蒸发 退火时间 择优生长
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Mg2Si电子结构及光学性质的第一性原理计算 被引量：10
9
作者 陈茜 谢泉 +2 位作者 闫万珺 杨创华 赵凤娟 《中国科学（G辑）》 CSCD 2008年第7期825-833,共9页
采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了Mg2Si基态的电子结构、态密度和光学性质.计算结果表明Mg2Si属于间接带隙半导体,禁带宽度为0.2994eV;其价带主要由Si的3p以及Mg的3s,3p态电子构成,导带主要由Mg的3s,3p以及Si的3p态电子... 采用基于第一性原理的赝势平面波方法系统地计算了Mg2Si基态的电子结构、态密度和光学性质.计算结果表明Mg2Si属于间接带隙半导体,禁带宽度为0.2994eV;其价带主要由Si的3p以及Mg的3s,3p态电子构成,导带主要由Mg的3s,3p以及Si的3p态电子构成;静态介电常数ε1(0)=18.89;折射率n0=4.3460;吸收系数最大峰值为356474.5cm-1;并利用计算的能带结构和态密度分析了Mg2Si的介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数的计算结果,为Mg2Si的设计与应用提供了理论依据。 展开更多
关键词 MG2SI 第一性原理 电子结构 光学性质
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压电传感器前置信号接收电路设计 被引量：10
10
作者 金浩 张晋敏 +2 位作者 唐华杰 谢泉 董珍时 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2014年第12期10-12,共3页
基于压电传感器AC192设计了一种信号读取电路,用于桥梁道路以及机械动力系统健康状态监控与检测。该信号读取电路主要用于压电传感器振动时微弱信号的检测,转换成数字信号前进行滤波转换信号的调理等利用MCU控制多路复用开关解决了系统... 基于压电传感器AC192设计了一种信号读取电路,用于桥梁道路以及机械动力系统健康状态监控与检测。该信号读取电路主要用于压电传感器振动时微弱信号的检测,转换成数字信号前进行滤波转换信号的调理等利用MCU控制多路复用开关解决了系统多频段场合使用问题,用加入高通偏置电压方法实现了单电源供电高通有源滤波,从而使整个系统更加稳定。该电路经过实际应用检测,符合现场诊断要求。 展开更多
关键词 压电传感器 电流源 信号检测 单电源供电
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Ru_2Si_3电子结构及光学性质的第一性原理计算 被引量：7
11
作者 崔冬萌 谢泉 +2 位作者 陈茜 赵凤娟 李旭珍 《中国科学（G辑）》 CSCD 北大核心 2009年第10期1431-1438,共8页
采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法系统地计算了正交相Ru2Si3的电子结构、态密度和光学性质,计算结果表明Ru2Si3是一种直接带隙半导体,禁带宽度为0.51eV;其能态密度主要由Ru的4d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;静态... 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法系统地计算了正交相Ru2Si3的电子结构、态密度和光学性质,计算结果表明Ru2Si3是一种直接带隙半导体,禁带宽度为0.51eV;其能态密度主要由Ru的4d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;静态介电函数ε1(0)=16.83;折射率n0=4.1025;吸收系数最大峰值为2.8×105cm-1;并利用计算的能带结构和态密度分析了Ru2Si3材料的介电函数、反射谱、折射率以及消光系数等光学性质,为Ru2Si3光电材料的设计与应用提供了理论依据. 展开更多
关键词 Ru2Si3 第一性原理 电子结构 光学性质
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面向智能家居的无线语音控制系统设计 被引量：9
12
作者 肖清泉 顾竟成 《贵州大学学报（自然科学版）》 2020年第4期65-71,共7页
在嵌入式系统下借助语音识别技术设计一套无线控制系统,通过此系统对传统家电进行一些常规的语音与界面人机交互操作,实现包括多设备交互控制、网络连接、数据显示等功能,这将极大提升家居生活的便利性和舒适性。系统采用基于高级精简... 在嵌入式系统下借助语音识别技术设计一套无线控制系统,通过此系统对传统家电进行一些常规的语音与界面人机交互操作,实现包括多设备交互控制、网络连接、数据显示等功能,这将极大提升家居生活的便利性和舒适性。系统采用基于高级精简指令集机器(advanced RISC machine,ARM)处理器+Linux+语音识别库+无线传感器网络的方案,主要包括硬件电路设计和软件开发,控制系统利用语音识别技术对声音进行识别,借助ZigBee模块进行主控系统与终端设备的交互。与传统产品相比,该交互式家居语音控制系统提供多样的识别、交互模式,创新的控制模式及更大范围的识别距离。 展开更多
关键词 智能家居 ARM LINUX 语音识别 Qt开发 ZIGBEE
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Sc掺杂正交相Ca_2Si电子结构及光学性质的第一性原理 被引量：7
13
作者 冉耀宗 高冉 +3 位作者 黄浦 谢泉 陈茜 丰云 《光谱实验室》 CAS CSCD 2012年第6期3500-3507,共8页
采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对块体及掺Sc的正交相Ca2Si的电子结构和光学性质进行了系统计算。计算结果表明,掺Sc后的Ca2Si能带向低能端偏移,形成n型半导体,正交相结构能隙变为0.6084eV,相比块体Ca2Si带隙加... 采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对块体及掺Sc的正交相Ca2Si的电子结构和光学性质进行了系统计算。计算结果表明,掺Sc后的Ca2Si能带向低能端偏移,形成n型半导体,正交相结构能隙变为0.6084eV,相比块体Ca2Si带隙加宽了一倍,但仍为直接带隙半导体。Ca2Si掺杂Sc后,正交相导带主要是Ca的4s、3d态和Sc的3d、3p态电子构成,静态介电常数变大,折射率也变大,吸收系数相比块体在低能段基本无变化,在高能段虽吸收系数减小,但仍保持105数量级且大于β-FeSi2的吸收系数,说明Ca2Si在太阳能电池上具有较好的应用前景。通过掺杂有效调制了Ca2Si的电子结构和光学性质,计算结果为Ca2Si光电材料的设计与应用提供了理论依据。 展开更多
关键词 Ca2Si 正交相 掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理
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稀土元素(La,Y)掺杂GaN的第一性原理计算 被引量：6
14
作者 王坤 肖清泉 +2 位作者 张晋敏 王立 贺腾 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2020年第3期453-459,共7页
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土元素La,Y单掺杂和La和Y共掺杂GaN的晶格常数、电子结构及光学性质进行了计算与分析.计算结果表明:掺杂改变了GaN的能带结构,未掺杂和Y掺杂形成导带底和价带顶位于G点的直接带隙... 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土元素La,Y单掺杂和La和Y共掺杂GaN的晶格常数、电子结构及光学性质进行了计算与分析.计算结果表明:掺杂改变了GaN的能带结构,未掺杂和Y掺杂形成导带底和价带顶位于G点的直接带隙半导体,而La掺杂和La和Y共掺杂形成导带底位于G点,价带顶位于Q点的间接带隙半导体.可以通过掺杂元素来调制GaN的禁带宽度和带隙类型,掺杂均提高GaN在低能区的静态介电常数、反射率、折射率,使光子的跃迁强度增大,说明稀土元素La,Y掺杂可有效调制GaN的光电性质. 展开更多
关键词 GAN 掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理
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β-FeSi_2/Si异质结的制备及性质研究 被引量：5
15
作者 郑旭 张晋敏 +3 位作者 熊锡成 张立敏 赵清壮 谢泉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1469-1471,共3页
采用直流磁控溅射和真空退火方法制备β-FeSi2/Si异质结,首先在n型Si(100)衬底上沉积Fe膜,经真空退火形成β-FeSi2/Si异质结,Fe膜厚度约238nm,退火后形成的β-FeSi2薄膜厚度约为720nm。利用XRD、SEM和红外光谱仪分别研究了β-FeSi2薄膜... 采用直流磁控溅射和真空退火方法制备β-FeSi2/Si异质结,首先在n型Si(100)衬底上沉积Fe膜,经真空退火形成β-FeSi2/Si异质结,Fe膜厚度约238nm,退火后形成的β-FeSi2薄膜厚度约为720nm。利用XRD、SEM和红外光谱仪分别研究了β-FeSi2薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质。霍尔效应结果表明,制备的β-FeSi2薄膜为n型导电,载流子浓度为9.51×1015cm-3,电子迁移率为380cm2/(V.s)。 展开更多
关键词 磁控溅射 β-FeSi2/Si异质结 输运性质
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硅基外延OsSi_2电子结构及光电特性研究 被引量：6
16
作者 余志强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第21期378-385,共8页
基于第一性原理密度泛函理论的赝势平面波方法,对Si(111)基外延稳定正交相OsSi_2的能带结构、态密度以及光电特性进行了研究.研究结果表明,Si(111)基外延稳定正交相的OsSi_2是一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.625 eV;其价带主要是由硅的... 基于第一性原理密度泛函理论的赝势平面波方法,对Si(111)基外延稳定正交相OsSi_2的能带结构、态密度以及光电特性进行了研究.研究结果表明,Si(111)基外延稳定正交相的OsSi_2是一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.625 eV;其价带主要是由硅的3s,3p态电子和锇的5d态电子构成,导带主要由锇的5d态电子与硅的3s,3p态电子构成;其静态介电函数为15.065,折射率为3.85,吸收系数最大峰值为3.9665×10~5cm^(-1).利用理论计算的能带结构和态密度研究了Si(111)基外延稳定正交相OsSi_2的介电函数、折射率、吸收系数、光电导率和能量损失函数的变化规律,为Si(111)基外延OsSi_2的应用提供了理论基础. 展开更多
关键词 第一性原理 OsSi2 电子结构 光电特性
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CrSi2电子结构及光学性质的第一性原理计算 被引量：3
17
作者 周士芸 谢泉 +1 位作者 闫万珺 陈茜 《中国科学（G辑）》 CSCD 北大核心 2009年第2期175-180,共6页
采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明CrSi2属于一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.353eV;其能态密度主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;... 采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,对CrSi2的能带结构、态密度和光学性质进行了理论计算,能带结构计算表明CrSi2属于一种间接带隙半导体,禁带宽度为0.353eV;其能态密度主要由Cr的3d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;同时也计算了CrSi2的介电函数、反射率、折射率及吸收系数等.经比较,计算结果与已有的实验数据符合较好. 展开更多
关键词 CrSi2 电子结构 光学性质 第一性原理
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K掺杂立方相Ca2Si电子结构及光学性能的研究 被引量：5
18
作者 丰云 谢泉 +3 位作者 高冉 王永远 沈向前 陈茜 《纳米科技》 2012年第1期1-6,共6页
基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,采用广义梯度近似（GGA）对掺K的立方相Ca2Si的电子结构和光学性能,包括能带结构、态密度、介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率及能量损失函数进行理论计算,结果表明,掺K后立方... 基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,采用广义梯度近似（GGA）对掺K的立方相Ca2Si的电子结构和光学性能,包括能带结构、态密度、介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率及能量损失函数进行理论计算,结果表明,掺K后立方相Ca2Si的能带向高能方向发生了偏移,形成直接带隙的P型半导体,禁带宽度为0.6230eV,光学带隙变宽,价带主要是Si的3p、Ca的4s、3d以及K的3p、4s态的贡献;静态介电函数ε1（0）=14.4;折射率n0=3.8;吸收系数最大峰值为3.47×105cm-1。通过掺杂调制材料电子结构和光电性能,为Ca2Si材料光电性能的开发与应用提供了理论依据。 展开更多
关键词 Ca2Si 掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理
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K掺杂正交相Ca_2Si电子结构和光学性质的第一性原理计算 被引量：5
19
作者 丰云 谢泉 +3 位作者 高冉 沈向前 王永远 陈茜 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第9期155-160,共6页
采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似(GGA),对K掺杂正交相Ca2Si前后的电子结构和光学性质进行比较分析。计算表明,掺K后正交相Ca2Si的能带向高能方向发生了偏移,形成直接带隙的p型半导体,禁带宽度为0.4318 eV,光学带隙变宽;掺... 采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似(GGA),对K掺杂正交相Ca2Si前后的电子结构和光学性质进行比较分析。计算表明,掺K后正交相Ca2Si的能带向高能方向发生了偏移,形成直接带隙的p型半导体,禁带宽度为0.4318 eV,光学带隙变宽;掺杂K后价带主要是Si的3p态,Ca的3d、4s态以及K的3p、4s态的贡献。并利用计算的能带结构和态密度分析了K掺杂正交相Ca2Si前后的复介电函数、能量损失函数、反射光谱及吸收光谱,结果显示掺K增强了材料对太阳光谱中红外波段的能量利用。研究结果说明掺杂是改变材料电子结构和光电性能的有效手段,为Ca2Si材料光电性能的开发与应用提供了理论依据。 展开更多
关键词 Ca2Si 掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理
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机械合金化制备Fe_3Si金属间化合物的研究进展 被引量：4
20
作者 马瑞 谢泉 +1 位作者 万明攀 黄晋 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2016年第6期5-8,11,共5页
综述了用机械合金化法制备金属间化合物Fe_3Si的研究现状和发展情况。介绍了球磨时间、球料比、分散剂等球磨参数对Fe_3Si机械合金化过程的影响,同时还介绍了热处理工艺对Fe_3Si合金的影响,以及Fe_3Si机械合金化后粉体的成形烧结工艺及... 综述了用机械合金化法制备金属间化合物Fe_3Si的研究现状和发展情况。介绍了球磨时间、球料比、分散剂等球磨参数对Fe_3Si机械合金化过程的影响,同时还介绍了热处理工艺对Fe_3Si合金的影响,以及Fe_3Si机械合金化后粉体的成形烧结工艺及性能。讨论了制备金属间化合物Fe_3Si机械合金化的发展前景。 展开更多
关键词 FE3SI 金属间化合物 机械合金化
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