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一种适用于低压差分信号驱动电路的带隙基准源设计 被引量：3
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作者 王轩 刘洁 +2 位作者 赖晓玲 周国昌 王倩琼 《微电子学与计算机》 北大核心 2020年第2期75-79,共5页
针对低压差分信号驱动电路对共模电压和参考电流的需求,提出了一种新型带隙基准源结构,可在一个基准模块内同时提供带隙基准电压和基准电流.对传统带隙基准进行了改进,优化了基准电压和基准电流的温度特性.仿真结果显示,所设计的基准源... 针对低压差分信号驱动电路对共模电压和参考电流的需求,提出了一种新型带隙基准源结构,可在一个基准模块内同时提供带隙基准电压和基准电流.对传统带隙基准进行了改进,优化了基准电压和基准电流的温度特性.仿真结果显示,所设计的基准源电路具有较好的温度特性,在温度范围为-40℃~125℃时,基准电压的温漂系数为17.4 ppm/℃,电流基准的温漂系数为63.3 ppm/℃.作为参考电压与电流基准,可有效保证LVDS信号的稳定性. 展开更多
关键词 带隙基准源 低压差分信号 电压源 电流源
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基于TCAD模型仿真的65纳米CMOS标准单元单粒子闩锁效应防护设计
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作者 安刚 唐硕 +3 位作者 王轩 史合 王倩琼 邓星星 《微电子学与计算机》 2021年第5期73-79,共7页
为提高标准单元在空间辐射条件下抗单粒子闩锁能力,基于65 nm CMOS工艺使用TCAD工具建立了4种保护环结构的3D模型.设计对比了多种抗单粒子闩锁加固方法,对抗辐照性能和设计开销进行了优化.仿真结果显示,使用半封闭型保护环结构可在满足... 为提高标准单元在空间辐射条件下抗单粒子闩锁能力,基于65 nm CMOS工艺使用TCAD工具建立了4种保护环结构的3D模型.设计对比了多种抗单粒子闩锁加固方法,对抗辐照性能和设计开销进行了优化.仿真结果显示,使用半封闭型保护环结构可在满足抗辐照要求的情况下最小化设计开销,同时通过模拟辐照仿真对该结构的关键设计参数进行了优化.基于提出的版图加固设计标准单元开发了测试芯片并完成了重粒子试验,经过99.8 MeV*cm^(2)/mg重离子辐照未观察到闩锁现象. 展开更多
关键词 单粒子闩锁 CMOS TCAD LET 重离子试验
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