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表面预处理对SiO_2/Si结构上APCVD生长SiC薄膜的影响(英文)
被引量：
1
1
作者
贾护军
杨银堂
+1 位作者
柴常春
李跃进
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期510-513,509,共5页
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系在SiO2／Si复合衬底上进行了SiC薄膜的APCVD生长。实验结果表明，H2表面预处理温度过高或时间过长会导致衬底表面SiO2层熔化再结晶或被腐蚀掉。通过“先硅化再碳化”的工艺方法可以较好地解决SiO2／Si复合...
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系在SiO2／Si复合衬底上进行了SiC薄膜的APCVD生长。实验结果表明，H2表面预处理温度过高或时间过长会导致衬底表面SiO2层熔化再结晶或被腐蚀掉。通过“先硅化再碳化”的工艺方法可以较好地解决SiO2／Si复合衬底上SiC成核困难以及粘附性差的问题，同时还可以有效抑制SiO2中的O原子向SiC生长膜扩散。选择预处理温度和薄膜生长温度为1180℃、H2预处理、SiH4硅化和C3H8碳化时间均为30s的最佳生长条件时，可以得到〈111〉晶向择优生长的多晶3C-SiC外延薄膜，薄膜生长速率约为2．0～2．5nm／min．
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关键词
碳化硅薄膜
常压化学气相淀积
表面预处理
硅化
碳化
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职称材料
题名
表面预处理对SiO_2/Si结构上APCVD生长SiC薄膜的影响(英文)
被引量：
1
1
作者
贾护军
杨银堂
柴常春
李跃进
机构
西安电子科技大学
教育部
宽
禁带
半导体
材料
与
器件
重点
实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期510-513,509,共5页
基金
Project supported by the National Defense Pre-research Foundation of China(No.41308060105)and Foundation of Xi’an Applied materials
文摘
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系在SiO2／Si复合衬底上进行了SiC薄膜的APCVD生长。实验结果表明，H2表面预处理温度过高或时间过长会导致衬底表面SiO2层熔化再结晶或被腐蚀掉。通过“先硅化再碳化”的工艺方法可以较好地解决SiO2／Si复合衬底上SiC成核困难以及粘附性差的问题，同时还可以有效抑制SiO2中的O原子向SiC生长膜扩散。选择预处理温度和薄膜生长温度为1180℃、H2预处理、SiH4硅化和C3H8碳化时间均为30s的最佳生长条件时，可以得到〈111〉晶向择优生长的多晶3C-SiC外延薄膜，薄膜生长速率约为2．0～2．5nm／min．
关键词
碳化硅薄膜
常压化学气相淀积
表面预处理
硅化
碳化
Keywords
SiC thin film
APCVD
surface pretreatment
silicification
carbonization
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
表面预处理对SiO_2/Si结构上APCVD生长SiC薄膜的影响(英文)
贾护军
杨银堂
柴常春
李跃进
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
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职称材料
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