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大功率GaAs MESFET 非线性模型的选择: 1; 作者杨晓平刘佑宝《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1998年第2期1-5,共5页; 对Curtic准静态、Materka、Statz以及修正Curtic－Rodriguez四种非线性模型进行比较，通过分析各种模型DC、CV、RF特性，发现修正的Curtic-Rodriguez模型精度最好，适用的偏置范围最宽，是大功率MESFET非线性模型的理想选择。; 关键词 MESFET 非线性模砷化镓大功率; 下载PDF 职称材料

一种高速智能通讯接口电路的设计与实现: 2; 作者岳兆坚黄士坦《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1996年第4期27-31,共5页; 本文介绍一种可与主机并行工作的高速智能通讯接口电路的硬件设计和电路智能通讯原理以及它的底层通讯程序，本电路特别适用于在控制环境复杂、速度要求很高的实时系统中进行数据通讯和数据采集。; 关键词接口电路设计智能通讯电路; 下载PDF 职称材料

结构化风格在逻辑模拟中的应用: 3; 作者方晨沈绪榜于敦山《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1996年第6期19-22,共4页; 本文论述了结构化设计思想在逻辑模拟中的应用，并用结构化设计思想对模拟对象进行层次划分，并用实际模拟过程作进一步论证。在本文的结尾做了理论性的总结。; 关键词逻辑模拟结构化层次划分集成电路设计; 下载PDF 职称材料

薄膜SOI RESURF结构击穿电压分析被引量：3: 4; 作者李文宏罗晋生《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期161-168,共8页; 提出了基于二维Ｐｏｉｓｓｏｎ方程的薄膜ＳＯＩ降低表面电场（ＲＥＳＵＲＦ结构解析物理模型．并在该模型基础上，给出了一种分析薄膜ＳＯＩＲＥＳＵＲＦ结构击穿电压的方法．利用这一方法计算了漂移区长度较长的薄膜ＳＯＩＲＥＳＵ... 展开更多; 关键词 SOI RESURF结构击穿电压薄膜; 下载PDF 职称材料

栅结漏电流对GaAs MMIC中平面肖特基二极管C-V特性的影响: 5; 作者田彤罗晋生林金庭《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期103-106,共4页; 构造了考虑栅结漏电流影响的平面肖特基二极管电容计算模型，并用此模型对同一结构不同漏电流的肖特基二极管作了计算分析。计算结果显示，所构造模型与实验结果符合得很好，同时揭示出栅结漏电流对Ｃ—Ｖ特性确有影响。这种影响表现为... 展开更多; 关键词砷化镓微波集成电路肖特基二极管 MMIC; 下载PDF 职称材料

TFSOIRESURF器件电势和电场分布的解析研究: 6; 作者李文宏罗晋生《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期432-436,共5页; 在物理模型的基础上,对TFSOIRESURF器件的电势和电场分布进行了解析分析,系统研究了漂移区掺杂浓度、漂移区长度、埋层SiO2 厚度和SOI层厚度等结构参数同电势和电场分布的关系,并首次定量分析了在工艺加工过程中必然引入的场SiO2 界面... 展开更多; 关键词 SOI RESURF器件解析模型电势电场; 下载PDF 职称材料

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