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梯形截面硅脊形波导的模式特性及其等离子体色散效应 被引量:19
1
作者 刘育梁 刘恩科 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第8期727-732,共6页
本文运用有效折射率法和WKB法对具有梯形状截面的硅脊形波导的模式特性作了分析,导出了TE模和TM模的模方程以及截止方程,并运用一阶微扰法对因波导顶部注入载流子而引起的模式调制的大小作了数值估计。其结果可为全硅光波导器件的研制... 本文运用有效折射率法和WKB法对具有梯形状截面的硅脊形波导的模式特性作了分析,导出了TE模和TM模的模方程以及截止方程,并运用一阶微扰法对因波导顶部注入载流子而引起的模式调制的大小作了数值估计。其结果可为全硅光波导器件的研制提供指导。 展开更多
关键词 波导 等离子体 色散效应
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涂覆扩散型SrTiO_3基陶瓷晶界叠加势垒模型 被引量:8
2
作者 邹秦 孟中岩 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期185-190,共6页
根据涂覆扩散型SrTiO_3基陶瓷的晶界结构特点、热扩散分布与压敏电压的关系,提出了两晶粒之间的n-n′-i-n′-n的物理模型以及晶界叠加势垒模型。以此模型推导了晶界势垒高度与扩散层深度的公式,对实验数据、晶界势垒... 根据涂覆扩散型SrTiO_3基陶瓷的晶界结构特点、热扩散分布与压敏电压的关系,提出了两晶粒之间的n-n′-i-n′-n的物理模型以及晶界叠加势垒模型。以此模型推导了晶界势垒高度与扩散层深度的公式,对实验数据、晶界势垒高度及其在晶界的分布进行了模拟,其结果明确地说明了扩散层深度增加,晶界势垒高度提高,从而VlmA提高,并证明了叠加势垒模型比Schottky势垒模型更加合理。 展开更多
关键词 陶瓷 晶界势垒 钛酸锶 涂覆扩散型
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离子注入聚酯薄膜的导电和介电性能的研究 被引量:11
3
作者 席保锋 俞秉莉 +1 位作者 屠德民 吴洪才 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第1期41-46,共6页
离子注入导电聚合物在电子和电气工程中有着巨大的潜在应用价值.正确使用其导电性,不仅应查明电导机理,而且应了解使用这种导体给连接器件带来的影响,迄今后者尚未引起人们的注意.本文以聚酯为试样,经不同剂量 As 离子注入后,研究了薄... 离子注入导电聚合物在电子和电气工程中有着巨大的潜在应用价值.正确使用其导电性,不仅应查明电导机理,而且应了解使用这种导体给连接器件带来的影响,迄今后者尚未引起人们的注意.本文以聚酯为试样,经不同剂量 As 离子注入后,研究了薄膜的导电和介电性能,试验结果表明,电导的机理是导电微粒之间的隧道效应,电导率的温度关系可用σ=σ。exp(-b/T^(1/2))表示;离子注入聚酯薄膜的介质损耗具有松驰特性,损耗角正切的最大值达到0.45,松驰频率随着离子注入剂量的增加而增加.最后作者以等效电路和电子迁移速度分别讨论了松弛损耗的机理. 展开更多
关键词 高聚物 导电 离子注入 薄膜 介电
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纳米硅薄膜退火特性 被引量:11
4
作者 余明斌 何宇亮 +1 位作者 刘洪涛 罗晋生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期634-639,共6页
对使用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)法在不同淀积条件下制备的非晶硅(a-Si:H)、微晶硅(μc-Si:H)和纳米硅(nc-Si:H)薄膜在200—600℃温度范围进行常规退火研究。用共振核反应技术测量了样品中氢含量C_H值及退火对氢含量及其分布的... 对使用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)法在不同淀积条件下制备的非晶硅(a-Si:H)、微晶硅(μc-Si:H)和纳米硅(nc-Si:H)薄膜在200—600℃温度范围进行常规退火研究。用共振核反应技术测量了样品中氢含量C_H值及退火对氢含量及其分布的影响。通过室温下对暗电导率的测量得到退火对nc-si:H薄膜电导率的影响,并与a-Si:H,μc-Si:H薄膜的退火行为作了比较。使用紫外/可见/近红外分光光度计对样品透射率进行了测量,分析计算得到了退火温度T_a与ac-Si:H薄膜光学带隙E_g^(opt)值变化之间的关系。 展开更多
关键词 硅薄膜 纳米 退火性能
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(Sr,Ca)TiO_3系复合功能陶瓷的涂覆离子热扩散 被引量:11
5
作者 邹秦 刘阳春 孟中岩 《材料科学进展》 EI CAS CSCD 1993年第6期541-545,共5页
采用碱金属离子液相涂覆热扩散方法,研究了涂覆离子、热扩散条件等对(Sr,Ca)TiO_3系陶瓷电性能的影响;用电子探针(EPA)分析了涂覆离子在晶粒边界的浓度分布;根据中间夹层的双 Schottky势垒模型,对测量出的C—V特性进行了计算和拟合,求... 采用碱金属离子液相涂覆热扩散方法,研究了涂覆离子、热扩散条件等对(Sr,Ca)TiO_3系陶瓷电性能的影响;用电子探针(EPA)分析了涂覆离子在晶粒边界的浓度分布;根据中间夹层的双 Schottky势垒模型,对测量出的C—V特性进行了计算和拟合,求得各种热扩散条件下的晶界势垒高度。讨论了扩散条件、电性能、晶界势垒之间的内在联系。 展开更多
关键词 热扩散 涂层 功能陶瓷 离子
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有效折射率法的研究 被引量:6
6
作者 孙飞 刘润民 李国正 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期34-37,共4页
分析了有效折射率法及其计算偏差的产生原因 ,提出了一种改进方法。这种方法克服了有效折射率法的由计算顺序不同导致的计算结果不一致的问题 ,并使计算精度有所提高。
关键词 有效折射率法 波导 传播常数 集成光路
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大截面单模半导体脊形交叉波导传输特性 被引量:10
7
作者 刘育梁 刘恩科 +1 位作者 刘志敏 罗晋生 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期292-295,共4页
运用光束传播法和有效折射率法分析了大截面单模半导体脊形交叉波导结构的传输特性,对Y形,X形和加宽X形结构进行了比较.结果表明,在小交叉角时,三种结构具有相似的传输特性;在大交叉角时,它们表现出较大的差异.而在Y型结构... 运用光束传播法和有效折射率法分析了大截面单模半导体脊形交叉波导结构的传输特性,对Y形,X形和加宽X形结构进行了比较.结果表明,在小交叉角时,三种结构具有相似的传输特性;在大交叉角时,它们表现出较大的差异.而在Y型结构中,不存在模式干涉. 展开更多
关键词 半导体波导 交叉 传输 光束传播法
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纳米红外辐射材料的研究现状 被引量:1
8
作者 康青 张良莹 姚熹 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期39-40,34,共3页
综述了当前纳米红外辐射材料的研究现状,强调了在理论和实践上寻求调控材料红外特性的方法和途径。
关键词 纳米材料 红外辐射材料 表面特性
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用火花电阻计算高压毫微秒脉冲放电参量 被引量:4
9
作者 翁明 王桂芹 《真空电子技术》 北大核心 1996年第3期23-26,共4页
本文用火花电阻公式研究了高压毫微秒脉冲参量(脉冲幅值、前沿、宽度)与储能电容的关系。结果表明,用火花电阻等效亚纳秒脉冲放电管击穿后的状态是合适的。
关键词 毫微秒脉冲 气体放电 火花电阻
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纳米硅薄膜的电致发光和光致发光 被引量:6
10
作者 余明斌 李雪梅 +6 位作者 何宇亮 徐士杰 刘剑 罗晋生 魏希文 郑厚植 戌霭伦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第12期913-916,共4页
对用PECVD方法控制生长条件制备的纳米硅薄膜材料的发光性质进行了初步研究.在膜的纵向加直流偏压,暗场环境下可清楚地看到材料的电致发光现象.在同一套测量系统中分别测量了纳米硅材料的电致发光光谱和光致发光光谱,并用La... 对用PECVD方法控制生长条件制备的纳米硅薄膜材料的发光性质进行了初步研究.在膜的纵向加直流偏压,暗场环境下可清楚地看到材料的电致发光现象.在同一套测量系统中分别测量了纳米硅材料的电致发光光谱和光致发光光谱,并用Lambda9紫外/可见/近红外分光光度计测量了样品的透射谱。 展开更多
关键词 纳米硅薄膜 硅薄膜 电致发光 光致发光
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应变Si_(1-x)Ge_x层本征载流子浓度和有效态密度的解析计算 被引量:6
11
作者 张万荣 曾峥 罗晋生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期314-318,共5页
计算了应变Si1-xGex层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。用解析方法研究了它们与Ge组分x和温度T的依赖关系。发现随Ge组分x的增加,导带和价带有效态密度随之快速减小,而本征载流于浓度却随之而近乎指数式地增... 计算了应变Si1-xGex层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。用解析方法研究了它们与Ge组分x和温度T的依赖关系。发现随Ge组分x的增加,导带和价带有效态密度随之快速减小,而本征载流于浓度却随之而近乎指数式地增加。而且,温度T越低,导带和价带有效态密度随Ge组分x的增加而减小得越快,而本征载流于浓度上升得越快。同时还发现,具有大Ge组分x的应变Si1-xGex层,其用Si相应参数归一化的导带和价带有效态密度及它们的积对温度T的依赖关系弱,而具有小Ge组分x的应变Si1-xGex层,上述归一化参数对温度T的依赖关系强,这和目前仅有的文献[8]中,它们与温度依赖关系的定性研究结果相一致。 展开更多
关键词 硅锗合金 应变 有效态密度 本征载流子浓度
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纳米Si薄膜的结构及压阻效应 被引量:8
12
作者 何宇亮 林鸿溢 +4 位作者 武旭辉 余明斌 于晓梅 王珩 李冲 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 1996年第1期33-38,共6页
使用HREM及STM技术检测了纳米Si薄膜的微结构纳米Si薄膜由大量的细微Si晶粒以及大量的晶粒间界面区组成.这一特殊的结构造成纳米Si薄膜具有较大的压阻效应及较高氢含量.本文分析讨论了薄膜微结构对其压阻效应的作用。
关键词 压阻效应 微结构 简支梁法 硅薄膜 纳米硅薄膜
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SOI梯形大截面单模脊形波导的研制 被引量:8
13
作者 赵策洲 刘恩科 李国正 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第7期783-784,共2页
报道了硅片直接键合SOI单模梯形大截面脊形波导的研制.对于波长为1.3μm的光,这种脊形波导的传输损耗小于0.85dB/cm.
关键词 SOI 脊形波导 集成光学 制备
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离子注入聚合物薄膜电导机理的研究 被引量:5
14
作者 吴洪才 席保锋 屠德民 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期85-92,共8页
在颗粒型电导模型中,现有的离子注入聚合物电导公式只有低场强和高场强两种形式。作者们发现在离子注入聚合物的电导和场强关系中,可明显分成三个区域。本文根据金属颗粒电位悬浮的特点,在金属-绝缘-金属系统上,推出了低、中和高场强作... 在颗粒型电导模型中,现有的离子注入聚合物电导公式只有低场强和高场强两种形式。作者们发现在离子注入聚合物的电导和场强关系中,可明显分成三个区域。本文根据金属颗粒电位悬浮的特点,在金属-绝缘-金属系统上,推出了低、中和高场强作用下离子注入聚合物的电导公式。并以不同As^+注入剂量的聚酯(PET)薄膜,在经过不同百分比的拉伸后,研究了电导的场强曲线、温度曲线以及颗粒间距离对电导的影响。实验结果证实了理论分析。 展开更多
关键词 离子注入 聚合物 薄膜 电导机理
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单片机与PC机简易串行通信的实现 被引量:4
15
作者 张建平 李创社 +1 位作者 曹建章 宋建平 《现代电子技术》 1996年第4期31-33,共3页
介绍单片机与PC机在近距离通信时的一种简易有效的实现方法。
关键词 单片机 微机 串行通信 接口
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超突变结构变容二极管雪崩击穿电压的研究 被引量:5
16
作者 朱长纯 钱伟 谢永桂 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第5期17-24,共8页
在改进的超突变结变容二极管掺杂分布模型的基础上,对超突变结构的雪崩击穿电压进行了理论研究并用二分法进行了详细的数值计算,得出了实用的击穿电压和交叉浓度的关系曲线及数据表.本文的推导和计算充分考虑了现行变容管的制作工艺,从... 在改进的超突变结变容二极管掺杂分布模型的基础上,对超突变结构的雪崩击穿电压进行了理论研究并用二分法进行了详细的数值计算,得出了实用的击穿电压和交叉浓度的关系曲线及数据表.本文的推导和计算充分考虑了现行变容管的制作工艺,从而获得了优于Kannma和Soukup的掺杂分布模型和计算结果. 展开更多
关键词 变容二极管 击穿电压 数值计算
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用甲酸盐/柠檬酸盐制备(Sr_(1-x)Ca_x)TiO_3微粉的研究 被引量:5
17
作者 邹秦 刘阳春 +1 位作者 李明红 孟中岩 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期166-172,共7页
本文采用甲酸盐/柠檬酸盐溶液酒精脱水的方法制备出均匀的、结晶的、立方钙钛矿结构的(Sr1-xCax)TiO3微粉.借助于XRD、SEM、TEM及粒度分析等现代分析手段,研究了粉末的相结构、粒度、组成以及微观形态.研究... 本文采用甲酸盐/柠檬酸盐溶液酒精脱水的方法制备出均匀的、结晶的、立方钙钛矿结构的(Sr1-xCax)TiO3微粉.借助于XRD、SEM、TEM及粒度分析等现代分析手段,研究了粉末的相结构、粒度、组成以及微观形态.研究表明,(Sr1-xCax)TiO3粉末的粒径和组成与溶液的pH值、焙烧温度、酒精与溶液的比例,以及酒精清洗、干燥步骤等因素有关.此外,还考察了粉末的烧结性能. 展开更多
关键词 半导体陶瓷 陶瓷粉末 制备
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Ge0.05Si0.95/Si异质结平面光波导中的光场分析 被引量:5
18
作者 刘淑平 李国正 刘恩科 《计算物理》 CSCD 北大核心 1996年第3期355-358,共4页
对Si/Ge005Si095/Si及Air/Ge005Si095/Si异质结光波导中的光场进行了理论分析与计算
关键词 光波导 光场 锗/硅异质结
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LPCVD制备SIPOS薄膜淀积工艺的研究 被引量:3
19
作者 刘红侠 郝跃 朱秉升 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期309-311,共3页
SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础 .
关键词 掺氧半绝缘多晶硅 LPCVD 薄膜淀积
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Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格红外探测器最佳结构 被引量:5
20
作者 李国正 张浩 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期242-244,共3页
通过对GexSi1-x/Si超晶格机理的研究,算出了GexSi1-x/Si超晶格红外探测器的最佳结构参数,以对1.3μm红外光有最大的利用率。
关键词 半导体材料 异质结 红外探测器 应变层超晶格
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