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题名蓝宝石衬底上SiO_2薄膜的制备与光学性能
被引量：4
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作者
冯丽萍
刘正堂
孙金池
崔虎
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机构
西北工业大学材料学院光电信息功能材料实验室
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出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第8期1012-1015,共4页
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基金
国防"十五"预研基金资助项目 ( 41 31 2 0 40 40 2 )。
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文摘
以硅单晶为靶材 ,高纯的Ar和O2 气分别为溅射气体和反应气体 ,采用射频磁控反应溅射法 ,在蓝宝石衬底上制备了SiO2 薄膜 ,溅射的工艺参数范围是 :射频功率为 5 0～ 1 0 0W ,样品托背面温度为 2 5～ 40 0℃ ,沉积速率为 4～ 6nm/min。对影响薄膜质量的工艺参数进行了分析 ,探索出使蓝宝石镀膜后的红外透过率有最大幅度提高的最佳工艺条件。结果表明 ,所制备的SiO2 薄膜与蓝宝石衬底结合牢固 ;在 3～ 5 μm波段对蓝宝石衬底有明显的增透作用。与其它镀膜技术相比 ,射频磁控反应溅射法可以在较低的温度下制备出SiO2 薄膜。
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关键词
二氧化硅薄膜
蓝宝石
磁控反应溅射
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Keywords
Argon
Film preparation
Infrared transmission
Magnetron sputtering
Optical properties
Oxygen
Sapphire
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分类号
TN213
[电子电信—物理电子学]
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