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H_2S气敏材料研究进展 被引量：27
1
作者 方国家 刘祖黎 +1 位作者 吉向东 姚凯伦 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第6期769-775,共7页
本文综述了固体电解质、氧化物半导体（体材、厚膜、薄膜）型H2S气敏材料的研究进展及其应用．特别介绍了常温薄膜型H2S气敏材料的最新研究动态．
关键词 气敏材料 薄膜型 常温化 硫化氢 传感器
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Y_2O_3-SnO_2常温气敏薄膜的Sol-Gel制备及性能研究 被引量：5
2
作者 方国家 刘祖黎 +3 位作者 吉向东 王汉忠 黄宜军 姚凯伦 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期69-74,共6页
以无机盐ＳｎＣｌ２·２Ｈ２Ｏ，Ｙ（ＮＯ３）３·６Ｈ２Ｏ为原料，无水乙醇为溶剂，采用溶胶－凝胶工艺制备了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜．采用差热－失重分析研究了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２干凝胶粉末的热分解、晶化过程．研... 以无机盐ＳｎＣｌ２·２Ｈ２Ｏ，Ｙ（ＮＯ３）３·６Ｈ２Ｏ为原料，无水乙醇为溶剂，采用溶胶－凝胶工艺制备了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜．采用差热－失重分析研究了Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２干凝胶粉末的热分解、晶化过程．研究了Ｙ２Ｏ３－ＳｎＯ２薄膜的电学和气敏性能．从实验中得到了Ｙ２Ｏ３掺杂份量对ＳｎＯ２薄膜电学及气敏性能的影响．实验表明Ｙ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜在常温下对ＮＯｘ具有较好的灵敏度和选择性，并具有较好的响应恢复性能；在常温下对Ｈ２Ｓ气体也具有一定的灵敏度． 展开更多
关键词 sol-gel工艺 Y2O3-SnO2薄膜 制备 气敏元件 气
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脉冲准分子激光大面积扫描沉积V_2O_5光电薄膜及光谱分析 被引量：3
3
作者 方国家 刘祖黎 +2 位作者 王又青 夏清华 姚凯伦 《红外技术》 CSCD 北大核心 2000年第5期5-9,共5页
采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术 ,在透明导电玻璃 (ITO)及Si(1 1 1 )单晶基片上沉积了尺寸达 4× 4cm2 ,具有高c轴 (0 0 1 )取向生长的V2 O5薄膜。采用X射线衍射 (XRD)、拉曼光谱 (RS)、傅里叶红外光谱 (FT IR)对沉积及不同... 采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术 ,在透明导电玻璃 (ITO)及Si(1 1 1 )单晶基片上沉积了尺寸达 4× 4cm2 ,具有高c轴 (0 0 1 )取向生长的V2 O5薄膜。采用X射线衍射 (XRD)、拉曼光谱 (RS)、傅里叶红外光谱 (FT IR)对沉积及不同温度下退火处理的样品结构和光谱特性进行了研究。 展开更多
关键词 V2O5薄膜 脉冲准分子激光 大面积扫描沉积
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常温H_2S气敏薄膜的溶胶-凝胶制备及性能研究 被引量：1
4
作者 王汉忠 方国家 吉向东 《襄樊学院学报》 2000年第5期29-33,共5页
以无机盐ＳｎＣｌ_２·２Ｈ_2０为主体原料，以Ｚｎ（ＣＨ_3ＣＯＯ）２·２Ｈ_2Ｏ为掺杂剂，无水乙醇为溶剂，采用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）工艺制备了 ＺｎＯ－ＳｎＯ_2薄膜；采用 ＤＴＡ－ＴＧ及ＸＲＤ等分析手段研究了 ... 以无机盐ＳｎＣｌ_２·２Ｈ_2０为主体原料，以Ｚｎ（ＣＨ_3ＣＯＯ）２·２Ｈ_2Ｏ为掺杂剂，无水乙醇为溶剂，采用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）工艺制备了 ＺｎＯ－ＳｎＯ_2薄膜；采用 ＤＴＡ－ＴＧ及ＸＲＤ等分析手段研究了 ＺｎＯ－ＳｎＯ_2薄膜的热分解和晶化过程，对ＺｎＯ－ＳｎＯ_2薄膜的结构进行了表征．研究了ＺｎＯ－ＳｎＯ_2薄膜的电学、气敏性能及机理．实验证明，ＺｎＯ－ＳｎＯ_2薄膜在常温下对Ｈ_2Ｓ气体具有很好的气敏性能． 展开更多
关键词 ZnO掺杂 气敏性能 溶胶-凝胶工艺 硫化氢 氧化锌-氧化锡薄膜 DTA-TG分析 XRD分析 热分解
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