报道了利用100Kev高剂量N^+在不同的温度条件下注入C膜合成新型超硬材料β-C_3N_4的新结果.对这种新材料进行了X射线光电子能谱,Fourier变换红外光谱、Raman光谱、剖面透射电子显微镜、Rutherford背散射谱、X射线衍射及Vickers显微硬度...报道了利用100Kev高剂量N^+在不同的温度条件下注入C膜合成新型超硬材料β-C_3N_4的新结果.对这种新材料进行了X射线光电子能谱,Fourier变换红外光谱、Raman光谱、剖面透射电子显微镜、Rutherford背散射谱、X射线衍射及Vickers显微硬度等测量.结果表明利用100Kev高剂量N^+注入C膜成功地合成了埋层氮化碳CN_(?)膜中C≡N共价键的形成导致膜的硬度明显提高.最后利用Implantation of Reactive Ions into Silicon (IRIS)计算程序模拟了相同条件的N^+注入C膜合成埋层β-C_3N_4的形成过程,结果与实验符合较好.展开更多
文摘报道了利用100Kev高剂量N^+在不同的温度条件下注入C膜合成新型超硬材料β-C_3N_4的新结果.对这种新材料进行了X射线光电子能谱,Fourier变换红外光谱、Raman光谱、剖面透射电子显微镜、Rutherford背散射谱、X射线衍射及Vickers显微硬度等测量.结果表明利用100Kev高剂量N^+注入C膜成功地合成了埋层氮化碳CN_(?)膜中C≡N共价键的形成导致膜的硬度明显提高.最后利用Implantation of Reactive Ions into Silicon (IRIS)计算程序模拟了相同条件的N^+注入C膜合成埋层β-C_3N_4的形成过程,结果与实验符合较好.
