研究了低压化学气相沉积法(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)制备TOPCon电池用多晶硅层的原理及优劣。TOPCon电池是一种高效率、低成本、适用于规模化生产的n型电池,其背面钝化层采用了隧穿氧化层与n型多晶硅层的叠层结构...研究了低压化学气相沉积法(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)制备TOPCon电池用多晶硅层的原理及优劣。TOPCon电池是一种高效率、低成本、适用于规模化生产的n型电池,其背面钝化层采用了隧穿氧化层与n型多晶硅层的叠层结构。LPCVD法作为制备TOPCon电池背面多晶硅层的一种重要方法,其工艺原理简单、成膜速率快、市场应用广,但该方法存在绕镀问题,需要复杂的绕镀清洗工艺;石英件耗材更换频繁、价格昂贵,增加了电池成本。综合计算成本结果可知,LP法相较于PECVD法,电池单瓦成本略低0.01元/W;LPCVD法相较于PVD法,电池单瓦成本略高0.003元/W。展开更多
文摘研究了低压化学气相沉积法(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,LPCVD)制备TOPCon电池用多晶硅层的原理及优劣。TOPCon电池是一种高效率、低成本、适用于规模化生产的n型电池,其背面钝化层采用了隧穿氧化层与n型多晶硅层的叠层结构。LPCVD法作为制备TOPCon电池背面多晶硅层的一种重要方法,其工艺原理简单、成膜速率快、市场应用广,但该方法存在绕镀问题,需要复杂的绕镀清洗工艺;石英件耗材更换频繁、价格昂贵,增加了电池成本。综合计算成本结果可知,LP法相较于PECVD法,电池单瓦成本略低0.01元/W;LPCVD法相较于PVD法,电池单瓦成本略高0.003元/W。
