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超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型
被引量：
5
1
作者
韩名君
柯导明
+2 位作者
迟晓丽
王敏
王保童
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第9期469-476,共8页
本文根据超短沟道MOSFET的工作原理,在绝缘栅和空间电荷区引入两个矩形源,提出了亚阈值下电势二维分布的定解问题.通过半解析法和谱方法相结合,首次得到了该定解问题的二维半解析解,解的结果是一个特殊函数,为无穷级数表达式.该模型的...
本文根据超短沟道MOSFET的工作原理,在绝缘栅和空间电荷区引入两个矩形源,提出了亚阈值下电势二维分布的定解问题.通过半解析法和谱方法相结合,首次得到了该定解问题的二维半解析解,解的结果是一个特殊函数,为无穷级数表达式.该模型的优点是避免了数值分析时的方程离散化,表达式不含适配参数、运算量小、精度与数值解的精度相同,可直接用于电路模拟程序.文中计算了沟道长度是45—22nm的MOSFET电势、表面势和阈值电压.结果表明,新模型与Medici数值分析结果相同.
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关键词
半解析法
电势
阈值电压
MOSFET
原文传递
题名
超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型
被引量：
5
1
作者
韩名君
柯导明
迟晓丽
王敏
王保童
机构
安徽大学
电子信息
工程
学院
芜湖
职业技术学院
电子信息
工程系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第9期469-476,共8页
基金
国家自然科学基金(批准号:61076086)
高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:2103401110008)资助的课题~~
文摘
本文根据超短沟道MOSFET的工作原理,在绝缘栅和空间电荷区引入两个矩形源,提出了亚阈值下电势二维分布的定解问题.通过半解析法和谱方法相结合,首次得到了该定解问题的二维半解析解,解的结果是一个特殊函数,为无穷级数表达式.该模型的优点是避免了数值分析时的方程离散化,表达式不含适配参数、运算量小、精度与数值解的精度相同,可直接用于电路模拟程序.文中计算了沟道长度是45—22nm的MOSFET电势、表面势和阈值电压.结果表明,新模型与Medici数值分析结果相同.
关键词
半解析法
电势
阈值电压
MOSFET
Keywords
semi-analytical method
potential
threshold voltage
MOSFET
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
超短沟道MOSFET电势的二维半解析模型
韩名君
柯导明
迟晓丽
王敏
王保童
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
5
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