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在Al_xGa_(1-x)As/GaAs太阳电池中的Mg掺杂和接触扩散特性
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作者 罗江财 刘宗光 《功能材料》 EI CAS CSCD 1993年第1期76-79,共4页
研究了液相外延生长的高铝含量的Al_xGa_(1-x)/GaAs结构中的Mg掺杂特性,测量了各种接触扩散时间所对应的载流子浓度分布和表面质量。表明用Mg掺杂和接触扩散,能得到合适的结深和较高的载流子浓度的P-GaAs层。如果母液组份和生长温度恒定... 研究了液相外延生长的高铝含量的Al_xGa_(1-x)/GaAs结构中的Mg掺杂特性,测量了各种接触扩散时间所对应的载流子浓度分布和表面质量。表明用Mg掺杂和接触扩散,能得到合适的结深和较高的载流子浓度的P-GaAs层。如果母液组份和生长温度恒定,并适当控制接触扩散时间,可以制备出重复性好的均匀高质量P-N结。 展开更多
关键词 Mg掺杂 接触扩散 浓度 太阳能电池
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