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无掩模光刻技术的前景 被引量：9
1
作者 翁寿松 缪彩琴 《电子工业专用设备》 2005年第8期1-3,共3页
介绍了无掩模光刻技术的现状、存在的问题和前景展望;说明了无掩模光刻技术的最大优点即是降低掩模成本;同时还介绍了电子束光刻技术及其改进。
关键词 无掩模光刻 电子束光刻 掩模版
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白色发光二极管及其驱动电路 被引量：11
2
作者 翁寿松 《电子元器件应用》 2004年第5期15-17,共3页
介绍白色发光二极管(LED)的特性、优点、种类,用途和前景。讨论不同的白色LED驱动电路。不同尺寸的LCD和不同电池的电压应采取不同的白色LED驱动电路。
关键词 白色发光二极管 白色发光二极管驱动电路 LCD背光 应用
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SIP和SOC 被引量：11
3
作者 缪彩琴 翁寿松 《电子与封装》 2005年第8期9-12,共4页
本文介绍了SIP和SOC的定义、优缺点和相互关系。SIP是当前最先进的IC封装,MCP 和SCSP是实现SIP最有前途的方法。同时还介绍了MCP和SCSP的最新发展动态。
关键词 系统级封装 系统级芯片 多芯片封装 叠层芯片尺寸封装
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铜互连及其相关工艺 被引量：11
4
作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2004年第3期14-16,36,共4页
介绍了铜互连、金属间低K绝缘层和CMP工艺。ITRS2001/1999对铜互连、金属间低K绝缘层和CMP工艺提出了具体的要求和进程。ITRS2001比ITRS1999整整提前了一年。铜互连和金属间低K绝缘层可解决布线RC延迟问题,CMP可解决晶圆表面不平整问题... 介绍了铜互连、金属间低K绝缘层和CMP工艺。ITRS2001/1999对铜互连、金属间低K绝缘层和CMP工艺提出了具体的要求和进程。ITRS2001比ITRS1999整整提前了一年。铜互连和金属间低K绝缘层可解决布线RC延迟问题,CMP可解决晶圆表面不平整问题。IC特征尺寸、铜互连层厚度、金属间低K绝缘层厚度和Cu/低K鄄CMP所用研磨膏粒子尺寸都已步入纳米级,从而进一步提高了高端IC的密度和速度。 展开更多
关键词 铜互连 低K绝缘层 化学机械抛光 RC延迟
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ITRS 2001与芯片特征尺寸的缩小 被引量：11
5
作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2002年第11期1-4,共4页
2001《国际半导体技术指南(ITRS)》规划出半导体技术未来15年内的发展。它主要强调芯片特征尺寸的进一步缩小,2001年0.13μm,2004年90nm,2007年70nm,2010年50nm,2013年30nm,2016年22nm。阻碍芯片特征尺寸缩小的关键是光学光刻技术,为此... 2001《国际半导体技术指南(ITRS)》规划出半导体技术未来15年内的发展。它主要强调芯片特征尺寸的进一步缩小,2001年0.13μm,2004年90nm,2007年70nm,2010年50nm,2013年30nm,2016年22nm。阻碍芯片特征尺寸缩小的关键是光学光刻技术,为此,世界各强国加速开发下一代光学光刻技术,如157nm光学光刻、电子束光刻(EBL)和极紫外线(EUVL)光刻等。展望了缩小芯片特征尺寸的前景和存在的问题。 展开更多
关键词 芯片 特征尺寸 国际半导体技术指南 摩尔定律 集成电路
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90nm工艺及其相关技术 被引量：11
6
作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2003年第4期40-44,共5页
ITRS2001规划2004年实现90nm工艺,英特尔、AMD等世界顶级半导体公司将于2003年采用90nm工艺量产微处理器和逻辑器件。这样使ITRS2001整整提前了一年。90nm工艺包括193nm光刻技术、高k绝缘材料、高速多层铜互连技术、低k绝缘材料、应变... ITRS2001规划2004年实现90nm工艺,英特尔、AMD等世界顶级半导体公司将于2003年采用90nm工艺量产微处理器和逻辑器件。这样使ITRS2001整整提前了一年。90nm工艺包括193nm光刻技术、高k绝缘材料、高速多层铜互连技术、低k绝缘材料、应变硅技术和电压隔离技术等新技术。193nm光刻技术是实现90nm工艺达量产的最关键技术,为此,必须采用193nmArFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。讨论了90nm工艺达量产的难点,如掩模版成本较高、成品率较低和应用面暂时不宽等。 展开更多
关键词 90nm工艺 ArF光刻机 高k/低k绝缘材料 铜互连技术 应变硅技术 电压隔离技术 193nm光刻技术
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下一代光刻技术的设备 被引量：7
7
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2004年第10期35-38,共4页
下一代光刻技术是指≤32nm工艺节点的光刻技术。介绍了下一代光刻技术与设备,包括X射线光刻技术、极紫外线光刻技术和纳米压印光刻技术等。
关键词 下一代光刻技术 X射线光刻技术 极紫外线光刻技术 纳米压印光刻技术
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SMT设备与PCB检测设备的发展动态 被引量：6
8
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2002年第2期63-68,107,共7页
介绍了SMT(表面贴装技术 )设备和PCB(印制电路板 )检测设备的制造厂商、设备型号。
关键词 发展动态 SMT PCB 设备 检测 表面贴装技术 印制电路板
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纳米器件的发展动态 被引量：8
9
作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2005年第8期345-349,共5页
介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,... 介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,主要介绍量子器件和半导体自旋器件的概况。 展开更多
关键词 纳米器件 纳米CMOS器件 纳米电子器件 量子器件
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光刻、OPC与DFM 被引量：5
10
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2006年第4期18-22,共5页
讨论了90/65nm芯片设计采用可制造性设计的必要性和优势。介绍了以RET/OPC为核心的可制造性设计。
关键词 芯片设计 光刻 光学邻近效应校正 可制造性设计 分辨率增强技术
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CMP/Post CMP工艺及其设备 被引量：7
11
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2003年第4期9-12,55,共5页
对CMP市场、Cu-CMP、低k-CMP、STI-CMP、W-CMP和PostCMP工艺及其设备进行了论述;并介绍了CMP所要求的研磨膏和研磨垫。
关键词 化学机械抛光 平坦化 市场 设备
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SOI技术步入实用化 被引量：7
12
作者 翁寿松 《电子与封装》 2003年第2期7-11,共5页
本文介绍了SOI器件的优点、SOI晶圆市场、制备SOI的方法和SOI器件。
关键词 绝缘硅 器件 市场
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300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势 被引量：7
13
作者 翁寿松 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期27-29,55,共4页
采取300mm晶圆是半导体生产发展的必然规律。300mm晶圆与90nm工艺是互动的。90nm新工艺主要包括193nm光刻技术、铜互连、低k绝缘层、CMP、高k绝缘层、应变硅和SOI等。本文着重讨论300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势。
关键词 300MM晶圆 芯片制造技术 发展趋势 90nm工艺 光刻 铜互连 低k绝缘层 应变硅
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低k绝缘层及其设备 被引量：7
14
作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2005年第2期90-94,共5页
铜互连、金属间低k绝缘层(k<3)和CMP工艺已成为制造高端IC的一个标准工艺。本文介绍了厚度已步入纳米尺度的低k绝缘层的最新研究动态和当前几种常用低k绝缘层材料,如FOx低k旋涂材料、黑金刚石系列低k薄膜和CORAL低k材料等。另外,还... 铜互连、金属间低k绝缘层(k<3)和CMP工艺已成为制造高端IC的一个标准工艺。本文介绍了厚度已步入纳米尺度的低k绝缘层的最新研究动态和当前几种常用低k绝缘层材料,如FOx低k旋涂材料、黑金刚石系列低k薄膜和CORAL低k材料等。另外,还介绍了有关低k绝缘层材料的几种设备,如生长设备、蚀刻设备和低kCMP设备。 展开更多
关键词 低k绝缘层 低k CMP 铜互连 设备
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193nm光刻技术延伸方法 被引量：2
15
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2004年第11期14-16,共3页
介绍了提高193nm光刻分辨力的方法,如浸入式光刻技术、相位移技术等。并介绍了193nm浸入式光刻机的优点和前景。
关键词 193nm光刻机 浸入式光刻机 光刻分辨力 相位移
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65nm/45nm工艺及其相关技术 被引量：4
16
作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2004年第7期10-14,共5页
介绍了65nm/45nm工艺的研究成果、157nmF2stepper技术、高k绝缘层和低k绝缘层等技术。着重讨论了157nmF2stepper的F2激光器、透镜材料、光刻胶和掩模材料问题。
关键词 65 nm/45 nm工艺 157 NM F2光刻机 高k/低k绝缘材料
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高k绝缘层研究动态 被引量：5
17
作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2005年第5期220-223,248,共5页
介绍了ITRS2003对高k绝缘层材料的要求、高k绝缘层材料必须满足的要求、高k绝缘材料(尤其是HfSiON材料)研究成果以及研究中存在的问题。
关键词 高k绝缘层 栅结构 栅介质 HfSiON薄膜
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超薄叠层芯片尺寸封装(UT-SCSP) 被引量：4
18
作者 翁寿松 《电子与封装》 2005年第1期11-12,共2页
本文介绍了最新的超薄叠层芯片尺寸封装(UT-SCSP),它是CSP封装与叠层封装相结合的产物。 它特别适用于高密度内存产品。
关键词 芯片尺寸封装 叠层封装 超薄叠层芯片尺寸封装 高密度内存
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低k电介质及其设备 被引量：5
19
作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 2008年第5期28-30,共3页
低k电介质、Cu互连和CMP已成为90/65/45nm芯片制造的标准工艺。90nm工艺要求k=3.0～2.9,65nm工艺要求k=2.8～2.7,45nm工艺要求k=2.6～2.5,大多采用2.5多孔的低k电介质,如TI、台积电。对于22nm工艺,可能采用碳纳米管(CNT)替代Cu互连。
关键词 多孔低k电介质 CU互连 化学机械抛光 碳纳米管 设备
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45nm工艺与关键技术 被引量：4
20
作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2007年第9期863-867,共5页
介绍了45 nm芯片所采用的关键工艺技术:193 nm ArF干法/浸没式光刻技术、低k电介质技术、高k电介质技术和应变硅技术等。英特尔45 nm全功能153 MB SRAM芯片与65 nm芯片相比,晶体管密度提高了2倍,晶体管开关速度提高20%以上,晶体管漏电... 介绍了45 nm芯片所采用的关键工艺技术:193 nm ArF干法/浸没式光刻技术、低k电介质技术、高k电介质技术和应变硅技术等。英特尔45 nm全功能153 MB SRAM芯片与65 nm芯片相比,晶体管密度提高了2倍,晶体管开关速度提高20%以上,晶体管漏电流降低到65 nm芯片的1/5,存储单元面积为0.346μm2。指出英特尔45 nm芯片MPU将在2007年下半年实现量产,并且继英特尔之后,TI、IBM、特许、英飞凌、三星、台积电和台联电等均已推出了45 nm芯片,说明45 nm芯片技术正在日益走向成熟。 展开更多
关键词 45 nm工艺 193 NM ArF光刻技术 低k电介质技术 高k电介质技术 应变硅技术
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