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光子探测器在芬兰HIP和克罗地亚RBI的研发制作（英文）
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作者 Brücken Erik Gadda Akiko +10 位作者 Ott Jennifer Naaranoja Tiina Martikainen Laura Karadzhinova-Ferrer Aneliya Kalliokoski Matti Golovlova Maria Kirschenmann Stefanie Litichevskyi Vladyslav Petrine Ana Luukka Panja Harkonen Jaakko 《湘潭大学学报（自然科学版）》 CAS 2018年第4期115-120,共6页
该文描述了碲化镉(CdTe)探测器,硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器(SiS)的设计与制作方法 .这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的.与硅工艺不同的是,CdTe工艺必须在低于150℃的温度下完成.我们... 该文描述了碲化镉(CdTe)探测器,硅漂移探测器和外加一层转换闪烁体硅探测器(SiS)的设计与制作方法 .这些硅及CdTe芯片制作工艺及其连接方法是在芬兰的Micronova中心完成的.与硅工艺不同的是,CdTe工艺必须在低于150℃的温度下完成.我们因此专门为CdTe探测器开发了一种低温原子层淀积的氧化铝(Al2O3)薄膜工艺,大小为(10×10×1)mm3的CdTe晶圆由一种无接触的光刻工艺完成.探测器性能是由电流-电压(I-V),电容-电压(C-V)、瞬间电流方法和精确微质子数方法来检测的.实验结果与具有材料和缺陷参数的TCAD模拟结果相符. 展开更多
关键词 硅探测器 碲化镉探测器 I-V、C-V 和TCT方法 原子层淀积(ALD)法
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