CF4和O2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究 被引量：5

1

作者 魏育才 《集成电路应用》 2019年第7期40-43,共4页

探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜... 探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜角变化越大。当光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比为2.4时,刻蚀完氮化硅的侧壁斜角可控制在45°~65°。 展开更多

关键词 CF4和O2等离子刻蚀 ICP刻蚀 氮化硅刻蚀 掩膜退缩 PA工艺

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电感耦合等离子体刻蚀对InGaP/GaAs台面形貌的影响 被引量：1

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作者 李碧媛 张永宏 +3 位作者 魏育才 徐智文 蔡松智 周必顺 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第3期219-223,243,共6页

制作InGaP/GaAs台面时,若使用湿法刻蚀需分多步进行,且易发生钻蚀问题,使得台面上的金属覆盖层易断裂。为改善InGaP/GaAs的台面形貌,以N2/Cl2混合气体为刻蚀剂,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀,探讨了Cl2的体积分数、腔体压力、源功率和... 制作InGaP/GaAs台面时,若使用湿法刻蚀需分多步进行,且易发生钻蚀问题,使得台面上的金属覆盖层易断裂。为改善InGaP/GaAs的台面形貌,以N2/Cl2混合气体为刻蚀剂,采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀,探讨了Cl2的体积分数、腔体压力、源功率和偏压功率等刻蚀条件对台面形貌的影响,并进一步研究刻蚀后台面形貌对金属台阶覆盖的影响。实验结果表明,Cl2的体积分数变化对刻蚀台面形貌影响最大,刻蚀后台面侧壁角的可控范围为64.1°~92.0°;而腔体压力、源功率和偏压功率对台面形貌的影响有限。当刻蚀台面侧壁角约为65°时,金属台阶覆盖良好;当刻蚀台面侧壁角约为75°时,金属台阶覆盖会出现裂纹;当刻蚀台面侧壁角约为90°时,金属台阶覆盖会断裂。 展开更多

关键词 ICP刻蚀 台面形貌 Cl2/N2 INGAP/GAAS 台阶覆盖

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洁净室精密空调的一种有效节能措施 被引量：1

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作者 张升 《建材与装饰》 2019年第7期136-137,共2页

本文针对洁净室空调系统的运行提出有效而可行的节能方案,并分析其成效,值得推广。本文中阐述的方法与步骤,可为洁净室业界空调专业做参考与节能实施。

关键词 空调 节约能源 洁净室

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一种GaAs基Si3N4薄膜斜坡电压测试方法及其应用

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作者 林锦伟 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第11期899-904,共6页

为快速、准确地评估Si3N4薄膜的可靠性,参照联合电子设备工程委员会(JEDEC)的相关标准,采用斜坡电压法在5 V/s和0.5 V/s两种加压速率下对厚度为100 nm的GaAs基Si3N4薄膜进行测试,测试样品的总面积不小于20 cm2。结合斜坡电压法的测试结... 为快速、准确地评估Si3N4薄膜的可靠性,参照联合电子设备工程委员会(JEDEC)的相关标准,采用斜坡电压法在5 V/s和0.5 V/s两种加压速率下对厚度为100 nm的GaAs基Si3N4薄膜进行测试,测试样品的总面积不小于20 cm2。结合斜坡电压法的测试结果,评估该Si3N4薄膜生产工艺的可靠性风险程度和Si3N4薄膜的耐压水平、缺陷密度和良率水平,并且为经时击穿(TDDB)线性电场模型预估Si3N4薄膜的寿命提供可靠数据。结果表明,当目标良率为99.99%时,5 V/s和0.5 V/s下Si3N4薄膜的耐压值分别为23 V和18 V;当目标良率为95%时,5 V/s和0.5 V/s下Si3N4薄膜的耐压值分别为87 V和82 V。另外,该Si3N4薄膜的非本征击穿比例为0.11%,该类型的击穿数据可用于评估生产工艺的可靠性风险程度。 展开更多

关键词 斜坡电压法 SI3N4 击穿电压 可靠性 经时击穿(TDDB)

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GaAs HBT中测信号防护处理

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作者 肖宗勇 陈剑平 +1 位作者 陈燕玲 徐智文 《微处理机》 2020年第2期10-14,共5页

在集成电路前段代工厂制作完成后,为确保出货电性及封装良率,客户会要求出货前对器件进行电性及可靠度测试。由于HBT砷化镓芯片高集成度及高频等因素,在中测时存在振荡与干扰,无法得到真实的电性良率,而且不同于手动探针台每次只测试单... 在集成电路前段代工厂制作完成后,为确保出货电性及封装良率,客户会要求出货前对器件进行电性及可靠度测试。由于HBT砷化镓芯片高集成度及高频等因素,在中测时存在振荡与干扰,无法得到真实的电性良率,而且不同于手动探针台每次只测试单一测试项,中测要对晶粒同时进行所有电性测试,进一步造成电性良率失真。针对此问题,对中测探针卡进行改良,通过比较TaN片电阻均匀性与手动探针台测量结果,以及观察电流值的高斯分布,证实中测结果的合理性。结果表明,对探针卡进行电磁屏蔽及电路匹配后,改善前后电性良率有显著提升,能满足快速且准确的检测目的。 展开更多

关键词 HBT器件 砷化镓 中测 探针卡 干扰 振荡

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复杂背景下断路器红外图形精确分割方法

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作者 张宇 袁小翠 +1 位作者 许志浩 康兵 《江西电力》 2024年第3期1-7,共7页

基于红外成像是断路器过热检测的有效方法,目标分割是红外图像故障诊断的关键环节。文中提出了一种复杂背景下红外图像断路器精确分割方法。利用Unet网络分割局部断路器获取轮廓信息,利用霍夫变换拟合断路器边缘轮廓直线,根据轮廓线与... 基于红外成像是断路器过热检测的有效方法,目标分割是红外图像故障诊断的关键环节。文中提出了一种复杂背景下红外图像断路器精确分割方法。利用Unet网络分割局部断路器获取轮廓信息,利用霍夫变换拟合断路器边缘轮廓直线,根据轮廓线与垂线的夹角旋转图像,矫正倾斜电气设备;对矫正后的红外图像标记断路器用于训练Yolov5s网络,利用该网络从复杂背景图像中粗分割断路器,减少背景信息干扰;对粗分割后的局部区域再次利用Unet网络精确分割出完整断路器。文中对400个样本进行测试,样本粗分割的准确性、召回率分别是97.3%和92.9%,断路器精确分割的错误分类低至0,为断路器的过热检测提供了精确的数据源。 展开更多

关键词 断路器 红外图像 故障诊断 语义分割

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浅谈电子信息通信工程中设备抗干扰问题

7

作者 张宇 芦昇 《环球飞行》 2024年第8期62-64,共3页

在21世纪信息技术飞速发展的背景下,电子信息通信技术已成为现代社会的重要支柱,在航空领域的应用,对确保飞行安全与地面服务的高效运行起到关键作用。然而,随着技术的进步和电子设备种类的激增,电磁干扰问题逐渐成为影响设备正常运行... 在21世纪信息技术飞速发展的背景下,电子信息通信技术已成为现代社会的重要支柱,在航空领域的应用,对确保飞行安全与地面服务的高效运行起到关键作用。然而,随着技术的进步和电子设备种类的激增,电磁干扰问题逐渐成为影响设备正常运行的主要障碍。对此,本文聚焦于航空领域内的电磁兼容性和干扰管理,对干扰航空无线电通信的种类与划分进行介绍,并提出航空干扰评估与抗干扰措施,保证航空通信的稳定性和安全性,支持航空行业的持续健康发展。 展开更多

关键词 航空 无线电通信 抗干扰

原文传递

经济周期视角下半导体企业的行为与竞争优势分析

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作者 吴传泽 《中国科技投资》 2024年第11期10-12,共3页

在经济周期背景下,半导体行业属于资本密集型和技术密集型行业,半导体企业资本投入较大,产品附加值较高、客户群体相对较为固定,在经济逆周期时,更能应对市场经济带来的挑战。新时期下,半导体企业要立足于经济周期的环境,增进竞争优势,... 在经济周期背景下,半导体行业属于资本密集型和技术密集型行业,半导体企业资本投入较大,产品附加值较高、客户群体相对较为固定,在经济逆周期时,更能应对市场经济带来的挑战。新时期下,半导体企业要立足于经济周期的环境,增进竞争优势,持续提升技术研发动能,积极融合新发展理念,促进半导体企业的持续稳步提升。企业要逐步优化自身管理模式,及时做好经济周期预判,并适时调整发展计划,稳步推进周期管理战略。基于此,本文深入分析了经济周期发展,以模拟及数模混合芯片设计和销售为切入点,通过案例分析深入研究企业竞争优势,并提出优化发展路径,以期推动中国半导体企业的持续发展。 展开更多

关键词 半导体 企业 经济周期 竞争 优势

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应用于5G微波开关的GaAs pin开关二极管 被引量：1

9

作者 陈建星 林伟铭 +5 位作者 邱文宗 林伟 林易展 郑伯涛 王淋雨 章剑清 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第6期460-465,共6页

研制了一种基于6英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs外延片的具有高隔离度、低插入损耗的pin开关二极管。采用台面垂直结构以提高器件的工作频率、改善表面击穿电压。提出了采用分步腐蚀法对高台面腐蚀的深度和均匀性进行精准控制。金属互连线使... 研制了一种基于6英寸(1英寸=2.54 cm)GaAs外延片的具有高隔离度、低插入损耗的pin开关二极管。采用台面垂直结构以提高器件的工作频率、改善表面击穿电压。提出了采用分步腐蚀法对高台面腐蚀的深度和均匀性进行精准控制。金属互连线使用空气桥互连技术,解决高台面连线困难的问题。p型欧姆接触金属采用Ti/Pt/Au,比接触电阻约为5×10-6Ω·cm2。在无源器件部分制备了电容密度约为597.5 pF/mm2的金属-绝缘体-金属(MIM)电容和方块电阻约为48.5Ω/□的TaN电阻并进行了钝化。该pin开关二极管的开启电压约为1.1 V,反向击穿电压约为25 V。使用该pin二极管设计制备了一款单刀双掷(SPDT)开关,在35 GHz频率下,测得该SPDT开关的隔离度约为28 dB,插入损耗约为1.2 dB,适用于5G微波通信的开关设计制造。 展开更多

关键词 GAAS PIN二极管 高台面 空气桥 单刀双掷(SPDT)开关

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单片集成的增强型和耗尽型pHEMT技术 被引量：1

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作者 林豪 林伟铭 +7 位作者 詹智梅 王潮斌 陈东仰 郑育新 肖俊鹏 林来福 林张鸿 李贵森 《红外》 CAS 2019年第9期18-22,共5页

随着射频/微波器件的快速发展及其应用领域的日益扩大,基于半导体单片集成技术的多种器件集成工艺不断发展。研究了一种采用AlGaAs-InGaAs的砷化镓化合物衬底。琥珀酸湿法蚀刻工艺对器件电性能影响较小。将耗尽型和增强型赝配高电子迁... 随着射频/微波器件的快速发展及其应用领域的日益扩大,基于半导体单片集成技术的多种器件集成工艺不断发展。研究了一种采用AlGaAs-InGaAs的砷化镓化合物衬底。琥珀酸湿法蚀刻工艺对器件电性能影响较小。将耗尽型和增强型赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistor,pHEMT)器件集成于同一芯片半导体工艺技术。结果表明,增强型晶体管Y型栅极的线宽为0.25 m,开启电压为0.3 V;耗尽型晶体管栅极的线宽为0.5 m,开启电压为-0.8 V,实现了在同一芯片上集成从负到正的栅极电压分布,为设计者提供了更为宽广的设计平台。这种集成技术可以应用于低噪声放大器、线性天线开关、滤波器以及功率控制装置等领域。 展开更多

关键词 增强型 耗尽型 PHEMT 低噪声放大器 单片微波集成电路 二维电子气

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具备深背部通孔的砷化镓集成无源器件的制作技术 被引量：1

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作者 陈智广 林伟铭 +5 位作者 李立中 庄永淳 马跃辉 黄光伟 吴靖 吴淑芳 《集成电路应用》 2019年第12期20-22,共3页

介绍一种具备深背部通孔特点的砷化镓无源器件制作的芯片滤波器,并对其射频特性进行了进一步的讨论。在背部通孔深度达到200μm且形貌垂直的基础上,制备出一背部垂直电感。测试结果表明:在3.3~4.2 GHz频带内,该芯片滤波器的插入损耗(IL)... 介绍一种具备深背部通孔特点的砷化镓无源器件制作的芯片滤波器,并对其射频特性进行了进一步的讨论。在背部通孔深度达到200μm且形貌垂直的基础上,制备出一背部垂直电感。测试结果表明:在3.3~4.2 GHz频带内,该芯片滤波器的插入损耗(IL)<1.6 dB,带内回波损耗<-30 dB,可以满足当前微波毫米波系统中的大规模应用。并且该芯片滤波器的设计尺寸为1.0 mm×1.0 mm×0.25 mm,与传统滤波器相比,面积缩减了近90%,符合当前通信系统器件小型化的发展趋势,具有广阔的应用前景。 展开更多

关键词 集成无源器件 砷化镓 深背部通孔 垂直电感

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GaAs基通孔刻蚀的崩边形成机理研究 被引量：1

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作者 黄光伟 马跃辉 +6 位作者 林伟铭 李立中 吴淑芳 陈智广 林豪 庄永淳 吴靖 《红外》 CAS 2019年第10期26-31,共6页

在砷化镓(GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device, IPD)的制作工艺中,通孔刻蚀是一道重要环节。蚀刻孔边缘的GaAs会被蚀刻,由此引发崩边并对器件性能及可靠性造成不利影响。本文中,用于通孔蚀刻的GaAs厚度不小于200μm,通孔边缘... 在砷化镓(GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device, IPD)的制作工艺中,通孔刻蚀是一道重要环节。蚀刻孔边缘的GaAs会被蚀刻,由此引发崩边并对器件性能及可靠性造成不利影响。本文中,用于通孔蚀刻的GaAs厚度不小于200μm,通孔边缘没有被蚀刻的痕迹,以实现金属导线的平滑连接。采用光阻和金属来充当掩膜,有效解决了单一光阻因厚度过高而变形或者厚度薄导致GaAs衬底被蚀刻的问题。通过优化工艺,在光阻厚度为32μm、金属掩膜厚度为0.5μm、金属蚀刻时间为60 s以及感应耦合等离子体(Inductively Couple Plasma, ICP)蚀刻4000 s的条件下,得到了孔深为200μm且通孔边缘平整的形貌。分析了GaAs崩边形成的主要原因与机理,并通过优化工艺解决了200μm通孔的崩边问题,从而提高了器件性能及可靠性。 展开更多

关键词 集成无源器件 砷化镓 深背部通孔 崩边

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基于GaAs背孔工艺监控研究

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作者 黄光伟 马跃辉 +2 位作者 陈智广 李立中 林伟铭 《电子与封装》 2021年第2期96-98,共3页

在GaAs背孔工艺制作中,通孔良率影响着后续溅镀、电镀金属层与正面金属互联,在该道关键制程中缺乏有效的监控方法。在背孔工艺中,采用FIB、SEM的方式对ICP蚀刻后的晶圆进行裂片分析,这无疑大大增加了研发成本,裂片分析也仅仅是当前晶圆... 在GaAs背孔工艺制作中,通孔良率影响着后续溅镀、电镀金属层与正面金属互联,在该道关键制程中缺乏有效的监控方法。在背孔工艺中,采用FIB、SEM的方式对ICP蚀刻后的晶圆进行裂片分析,这无疑大大增加了研发成本,裂片分析也仅仅是当前晶圆的通孔良率,且分析孔洞数量有限,本身存在局限。提出在晶圆正面依次沉积Si3N4/PI/Si3N4=600 nm/1.6μm/800 nm,采用ICP蚀刻,蚀刻气体为Cl2/BCl3,在光学显微镜(OM)20倍率下便可观察到晶圆正面第一特征蚀刻通孔印记和印记尺寸较原始尺寸单边大10μm的第二通孔特征,该监控方式节省研发成本且统计良率直观,可及时反馈通孔良率,监控产品的可靠性、可再现性。 展开更多

关键词 砷化镓 背孔 良率 监控 ICP蚀刻

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学习贯彻党的二十届三中全会精神 勇担进一步全面深化改革时代使命

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作者 本刊编辑部(整理) 胡巍 +4 位作者 郑洁燕 李敬星 刘淑蕾 崔根良 丁国兴 《中国税务》 2024年第9期20-25,共6页

深化财税体制改革对于以高质量发展全面推进中国式现代化意义重大。党的二十届三中全会审议通过的《中共中央关于进一步全面深化改革、推进中国式现代化的决定》共33处提到“税”字,包含多项涉税改革热点,在社会各界引发热烈反响。近期... 深化财税体制改革对于以高质量发展全面推进中国式现代化意义重大。党的二十届三中全会审议通过的《中共中央关于进一步全面深化改革、推进中国式现代化的决定》共33处提到“税”字,包含多项涉税改革热点,在社会各界引发热烈反响。近期,本刊邀请税务干部及纳税人缴费人代表,分享他们学习贯彻党的二十届三中全会精神的思考和体会。 展开更多

关键词 财税体制改革 改革热点 中国式现代化 税务干部 全面深化改革 纳税人 涉税 时代使命

原文传递

MEMS器件湿法腐蚀工艺均匀性的提升技术

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作者 闾新明 姚阳文 《电子工艺技术》 2024年第3期17-20,共4页

针对湿法腐蚀工艺下晶圆面内均匀性大于5%、湿法工艺无法兼容低成本和高质量的难点,研究了湿法工艺各个参数对片内均匀性的影响。分别讨论了腐蚀槽温度、晶圆进出腐蚀槽时间、晶圆出腐蚀槽到进水槽的时间间隔以及腐蚀槽循环流量对8英寸... 针对湿法腐蚀工艺下晶圆面内均匀性大于5%、湿法工艺无法兼容低成本和高质量的难点,研究了湿法工艺各个参数对片内均匀性的影响。分别讨论了腐蚀槽温度、晶圆进出腐蚀槽时间、晶圆出腐蚀槽到进水槽的时间间隔以及腐蚀槽循环流量对8英寸晶圆腐蚀均匀性的影响。综合单一因素对比结果,确认了优化后8英寸MEMS电容式麦克风的湿法腐蚀工艺条件。优化后,晶圆片内均匀性可以由原来的6.17%提升到3.47%,突破了晶圆内大面积湿法腐蚀片内均匀性大于5%的难点。麦克风重要特征参数吸合电压良率也从原来的91%提升到99%,满足规模化大批量生产的要求,为后续器件性能提升提供了新的研究思路。 展开更多

关键词 麦克风 腐蚀均匀性 温度 时间 流量

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