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电化学聚合电流密度对电容器热稳定性的影响
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作者 李广伟 《苏州科技大学学报(自然科学版)》 CAS 2017年第3期55-59,共5页
研究了电化学聚合电流密度对聚吡咯的微观形貌及聚吡咯铝电解电容器的电容量C、等效串联电阻Res以及电容器的高温稳定性能的影响,同时对比了不同聚合电流密度下的聚吡咯的微观结构的SEM图。实验结果表明:3 m A·cm^(-2)的聚合电流... 研究了电化学聚合电流密度对聚吡咯的微观形貌及聚吡咯铝电解电容器的电容量C、等效串联电阻Res以及电容器的高温稳定性能的影响,同时对比了不同聚合电流密度下的聚吡咯的微观结构的SEM图。实验结果表明:3 m A·cm^(-2)的聚合电流密度下得到的聚吡咯铝电解电容器的电性能和高温稳定性能较佳。 展开更多
关键词 导电聚合物 聚吡咯铝电解电容器 电化学聚合 聚合电流密度
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微纳米沟道光栅加工工艺研究
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作者 李广伟 《重庆科技学院学报(自然科学版)》 CAS 2016年第5期113-116,共4页
以ICP-501为刻蚀设备,以C_4F_8和SF_6为刻蚀气体,以Xe气为辅助气体,以lift-off方法得到的铬掩模对966线/mm的光栅进行刻蚀。结果表明,在选定的工艺条件下,刻蚀光栅结构与理论设计较为符合,衍射效率也接近于理论设计。
关键词 感应耦合 等离子体 铬掩模 光栅 深刻蚀
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1.74μm大应变InGaAs/InGaAsP半导体锁模激光器
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作者 段阳 林中晞 苏辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2024年第6期90-97,共8页
针对光频梳、医学光声成像及痕量气体探测等应用需要,研制了一种InP基碰撞锁模半导体激光器,可在1.74μm波段实现重复频率为19.3GHz的高效锁模,其射频(RF)谱半高全宽(FWHM)约14kHz。在可饱和吸收区未加偏压时,激光器的阈值电流为83mA,... 针对光频梳、医学光声成像及痕量气体探测等应用需要,研制了一种InP基碰撞锁模半导体激光器,可在1.74μm波段实现重复频率为19.3GHz的高效锁模,其射频(RF)谱半高全宽(FWHM)约14kHz。在可饱和吸收区未加偏压时,激光器的阈值电流为83mA,最大出光功率可达到25.83mW。固定吸收区偏置电压在-1.6V,增益区驱动电流高于130mA时,锁模激光器开始输出微波射频信号,并且RF谱的FWHM随着电流增加可下降至十几kHz。固定驱动电流为520mA,在吸收区偏置电压从-1.4V降至-2V过程中,激光发射光谱逐渐展宽,在-2V偏压下,光谱的FWHM为9.88nm,包含40多个间隔为0.2nm的纵模。对比分析了不同驱动电流和偏置电压下的射频频谱和发射光谱的变化趋势,证明了该锁模器件具有高效、稳定的锁模机制。 展开更多
关键词 半导体激光器 碰撞锁模 InP基材料 InGaAs/InGaAsP多量子阱
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大功率LED灯散热设计技术 被引量:4
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作者 曾传锐 陈继榕 吴赵平 《中国新技术新产品》 2018年第9期66-67,共2页
大功率LED灯在发光效率、使用寿命和光输出定向性等技术参数方面的性能均优于常规高压钠灯,因此被广泛应用于多个领域,尤其是在道路照明领域的应用非常普遍。散热性能差是大功率LED非常突出的一个问题,并且灯具的散热性能在一定程度上... 大功率LED灯在发光效率、使用寿命和光输出定向性等技术参数方面的性能均优于常规高压钠灯,因此被广泛应用于多个领域,尤其是在道路照明领域的应用非常普遍。散热性能差是大功率LED非常突出的一个问题,并且灯具的散热性能在一定程度上也会影响灯具的使用寿命,因而要使大功率LED灯具得到更广泛的应用,就必须解决散热问题。本文将在结构、材料等方面提出可行的设计方案,旨在优化大功率LED的散热性能,降低其应用约束条件。 展开更多
关键词 大功率LED 灯具 散热性 构成形式
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高功率半导体激光器散热方法的研究 被引量:1
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作者 李秋 《通讯世界》 2020年第6期9-10,共2页
散热管理是保障半导体激光器稳定性的重要因素之一。本文通过分析半导体激光器的传热过程,归纳总结了高功率半导体激光器的散热方法,希望能够给以后从事高功率半导体激光的研究人员提供一些帮助。
关键词 高功率半导体激光器 散热
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现代管理会计如何在企业运营中发挥降本增效的作用 被引量:1
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作者 官树腾 《商讯》 2019年第24期107-108,共2页
目前,随着国民经济的发展,给各行各业的发展提供有力保障的同时,也增加了各行各业的竞争力。随着全球的经济增长速度放缓,各个国家的金融贸易逆增长的趋势明显。在如此不稳定的经济大环境之下,我国的经济发展也受到了一定的冲击。从古... 目前,随着国民经济的发展,给各行各业的发展提供有力保障的同时,也增加了各行各业的竞争力。随着全球的经济增长速度放缓,各个国家的金融贸易逆增长的趋势明显。在如此不稳定的经济大环境之下,我国的经济发展也受到了一定的冲击。从古代到现代资金对于企业而言是其持续生产经营的根本,同时也是企业在激烈市场竞争中的参与基础,降本增效是企业持续稳定发展的手段。因此,本文对现代管理会计在企业中发挥降本增效的作用进行了详细的分析,并提出了优化其效用的相关建议。 展开更多
关键词 现代管理会计 企业运营 降本增效
原文传递
InP基长波长超辐射发光二极管的设计和制备
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作者 薛正群 《无线互联科技》 2021年第22期17-18,共2页
文章通过设计和优化外延和芯片结构实现InP高功率掩埋结构超辐射发光二极管芯片,测试结果显示:500 mA下芯片室温出光功率达到80 mW,增益谱宽超过40 nm,覆盖范围超过1 600 nm,芯片水平和垂直发散角分别为16°和18°,芯片可用于... 文章通过设计和优化外延和芯片结构实现InP高功率掩埋结构超辐射发光二极管芯片,测试结果显示:500 mA下芯片室温出光功率达到80 mW,增益谱宽超过40 nm,覆盖范围超过1 600 nm,芯片水平和垂直发散角分别为16°和18°,芯片可用于宽带及窄线宽光源。 展开更多
关键词 INP 长波长 超辐射发光二极管 高功率 宽谱宽
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InP基C波段高线性激光芯片的设计与制备
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作者 薛正群 《电子世界》 CAS 2021年第15期200-201,共2页
本文通过设计和优化InP/InGaAsP外延材料和芯片结构实现高线性掩埋结构(BH)FP激光芯片;通过不同腔长芯片测试结果显示:1200μm为优化腔长,芯片出光功率在400mA电流下超过130mW,光谱峰值波长在光通信C波段,芯片出光水平和垂直发散角分别... 本文通过设计和优化InP/InGaAsP外延材料和芯片结构实现高线性掩埋结构(BH)FP激光芯片;通过不同腔长芯片测试结果显示:1200μm为优化腔长,芯片出光功率在400mA电流下超过130mW,光谱峰值波长在光通信C波段,芯片出光水平和垂直发散角分别为5°和15°,试验结果为进一步优化高线性激光器提供基础。光通信InP半导体激光可在空气和光纤中传播、且体积小、寿命长、低成本、可直接调制等优点是下一代激光光源及其光电子集成发展的主要方向;其中光通信C波段,中心波长接近1550nm,为人眼安全波段,该波长波导耦合损耗小、光纤传播损耗低,是硅光光源、无人驾驶激光雷达光源、长距离主干网的主要激光光源;本文通过设计和优化实现光通信InP/InGaAsP高线性C波段BH-FP激光芯片,为后续进一步优化和制备高线性InP半导体激光器提供基础。 展开更多
关键词 半导体激光器 激光光源 光电子集成 高线性 光通信 人眼安全 外延材料 腔长
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