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单相程控电流源PI+重复控制 被引量:15
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作者 张旗 蔡逢煌 +1 位作者 黄丽梅 陈筱艺 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第A01期163-170,共8页
为解决小功率电流源输出波形质量不佳的问题,采用 PI+重复控制算法,应用在单相程控电流源逆变器的输出波形控制上。首先搭建小功率电流源逆变器模型,分析单电流环 PI 控制和 PI+重复控制下系统的传递函数,在此基础上设计 PI 控制器和重... 为解决小功率电流源输出波形质量不佳的问题,采用 PI+重复控制算法,应用在单相程控电流源逆变器的输出波形控制上。首先搭建小功率电流源逆变器模型,分析单电流环 PI 控制和 PI+重复控制下系统的传递函数,在此基础上设计 PI 控制器和重复控制器,并做参数设计。仿真对比表明,该复合控制策略比 PI 控制输出波形质量更好、控制精度更高。最后搭建一台功率为25W,输出范围为 0~5A 标准程控电流源实物样机并进行相应实验,验证了理论分析的可行性。 展开更多
关键词 电流源 LCL滤波器 全桥逆变器 比例积分 重复控制
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基于容许边界依赖ADT方法的DC/DC变换器控制 被引量:2
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作者 黄孝发 王武 +1 位作者 谢宇航 苏先进 《控制工程》 CSCD 北大核心 2022年第9期1580-1586,共7页
电力电子电路具有连续时间变量与离散事件互相混杂、互相作用的特点,是一类典型的混杂系统。基于混杂系统理论,利用多李雅普诺夫函数稳定性方法结合容许边界依赖平均驻留时间约束条件,设计了一种可使DC/DC变换器达到期望输出的切换规则... 电力电子电路具有连续时间变量与离散事件互相混杂、互相作用的特点,是一类典型的混杂系统。基于混杂系统理论,利用多李雅普诺夫函数稳定性方法结合容许边界依赖平均驻留时间约束条件,设计了一种可使DC/DC变换器达到期望输出的切换规则,其稳定性控制条件通过解线性矩阵不等式(LMI)得到。在此基础上,加入了比例积分控制器保证DC/DC变换器在负载扰动下的稳定性。此控制方法能保证系统稳定,同时可有效抑制系统的抖振并降低开关频率。最后,通过仿真得出了Buck、Boost、Buck/Boost电路的仿真曲线,并搭建Buck电路实验样机进行了验证,结果证明了所提方法的有效性。 展开更多
关键词 混杂系统 容许边界依赖平均驻留时间 线性矩阵不等式 DC/DC变换器
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混杂系统DC/DC变换器的自适应滑模控制 被引量:2
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作者 谢庭景 王武 +1 位作者 林琼斌 苏先进 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2019年第12期36-38,51,共4页
DC/DC变换器在工作时,输入电压或负载因外界不确定因素的影响,将导致系统出现运行工作不稳定等情况。在此采用混杂系统理论构建DC/DC变换器的观测器模型,设计自适应律观测输入电压和负载的变化,结合滑模控制响应速度快的优点,提出一种... DC/DC变换器在工作时,输入电压或负载因外界不确定因素的影响,将导致系统出现运行工作不稳定等情况。在此采用混杂系统理论构建DC/DC变换器的观测器模型,设计自适应律观测输入电压和负载的变化,结合滑模控制响应速度快的优点,提出一种新颖的自适应滑模控制(ASMC)方法。通过Lyapunov函数证明得出输入电压以及负载变化的自适应方程并将其应用于滑模控制,利用滑模等效控制恒定开关频率,同时采用一种新型指数趋近律,相比传统指数趋近律具有更快的收敛速度。最后,搭建仿真实验平台,通过与传统比例积分(PI)算法进行比较,验证所提自适应滑模控制算法的可行性。 展开更多
关键词 变换器 混杂系统 自适应滑模控制
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应用于车载充电机的高效率交错并联PFC设计 被引量:2
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作者 刘秋花 林琼斌 苏先进 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2018年第6期846-852,共7页
针对电动汽车充电机采用交错并联Boost功率因数校正电路拓扑作为前级,其高功率因数和低谐波电流特性能减少对电网的污染,给出电路详细设计过程及损耗分析.通过数字化控制方式与硬件优化设计,减低损耗,使功率因数校正变换器在全功率范围... 针对电动汽车充电机采用交错并联Boost功率因数校正电路拓扑作为前级,其高功率因数和低谐波电流特性能减少对电网的污染,给出电路详细设计过程及损耗分析.通过数字化控制方式与硬件优化设计,减低损耗,使功率因数校正变换器在全功率范围的转换效率均较高,满足铂金版效率要求,达到节能环保目标.实验证明,所设计的4 k W样机同时兼具良好的功率因数效果和全功率、高效率的优势,其设计方法是有效的. 展开更多
关键词 交错并联 功率因数校正 低谐波 损耗分析 效率
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双Buck逆变器损耗分析
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作者 陈佳桥 林琼斌 +2 位作者 卢志钢 蔡逢煌 苏先进 《电器与能效管理技术》 2017年第22期44-49,共6页
针对双Buck半桥逆变器,分别分析了采用传统Si开关器件和新型宽禁带Si C开关器件情况下的损耗,并制作了1台1 k W试验样机。理论分析与试验结果表明,通过独立二极管续流的双Buck型逆变器能充分发挥宽禁带Si C开关器件优势,开关损耗明显降... 针对双Buck半桥逆变器,分别分析了采用传统Si开关器件和新型宽禁带Si C开关器件情况下的损耗,并制作了1台1 k W试验样机。理论分析与试验结果表明,通过独立二极管续流的双Buck型逆变器能充分发挥宽禁带Si C开关器件优势,开关损耗明显降低;随着开关频率提高,Si C开关器件损耗增加不明显,说明Si C开关器件组成的双Buck型逆变器中随开关频率变化的损耗以磁性元件损耗变化为主。 展开更多
关键词 双BUCK逆变器 宽禁带SiC器件 磁性元件 损耗
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