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IC用高纯试剂中金属杂质分析 被引量：11
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作者 朱春富 吴琼 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期71-78,共8页
对ＨＣＩ、ＨＦ和ＨＮＯ；三种ＭＯＳ级高纯试剂中１８种金属杂质用发射光谱进行分析研究，取２０ｍｌ样品，加人适量甘露醇络合硼杂质，在有机玻璃防尘罩内低温挥发基体富集杂质，最后将杂质溶液转移到一对平头电极上，用电弧光谱进行... 对ＨＣＩ、ＨＦ和ＨＮＯ；三种ＭＯＳ级高纯试剂中１８种金属杂质用发射光谱进行分析研究，取２０ｍｌ样品，加人适量甘露醇络合硼杂质，在有机玻璃防尘罩内低温挥发基体富集杂质，最后将杂质溶液转移到一对平头电极上，用电弧光谱进行测定。检测限为０．２～４．０（ｎｇ／ｍｌ），加入标准的回收率绝大部分在９０％以上。 展开更多
关键词 集成电路 高纯试剂 金属杂质
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