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基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究
被引量：
3
1
作者
彭超
雷志锋
+3 位作者
张战刚
何玉娟
黄云
恩云飞
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第8期1755-1761,共7页
绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)器件的全介质隔离结构改善了其抗单粒子效应性能,但也使其对总剂量效应更加敏感.为了评估SOI器件的总剂量效应敏感性,本文提出了一种基于TCAD(Technology Computer Aided Design)的总剂量效应仿真...
绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)器件的全介质隔离结构改善了其抗单粒子效应性能,但也使其对总剂量效应更加敏感.为了评估SOI器件的总剂量效应敏感性,本文提出了一种基于TCAD(Technology Computer Aided Design)的总剂量效应仿真技术.通过对SOI器件三维结构进行建模,利用TCAD内置的辐射模型开展瞬态仿真,模拟氧化层中辐射感应电荷的产生、输运和俘获过程,从而分别评估绝缘埋层(Buried Oxide,BOX)和浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)氧化层中辐射感应陷阱电荷对器件电学性能的影响.基于该仿真技术,本文分别研究了不同偏置、沟道长度、体区掺杂浓度以及STI形貌对SOI MOSFET器件总剂量辐射效应的影响.仿真结果表明高浓度的体区掺杂、较小的STI凹槽深度和更陡峭的STI侧壁将有助于改善SOI器件的抗总剂量效应性能.
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关键词
绝缘体上硅
总剂量效应
浅沟槽隔离
TCAD仿真
下载PDF
职称材料
题名
基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究
被引量：
3
1
作者
彭超
雷志锋
张战刚
何玉娟
黄云
恩云飞
机构
电子元器件
可靠性
物理
及其
应用
技术
国家级
重点
实验室
工业和信息化部
电子
第五
研究所
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第8期1755-1761,共7页
基金
国家自然科学基金(No.61704031)
文摘
绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)器件的全介质隔离结构改善了其抗单粒子效应性能,但也使其对总剂量效应更加敏感.为了评估SOI器件的总剂量效应敏感性,本文提出了一种基于TCAD(Technology Computer Aided Design)的总剂量效应仿真技术.通过对SOI器件三维结构进行建模,利用TCAD内置的辐射模型开展瞬态仿真,模拟氧化层中辐射感应电荷的产生、输运和俘获过程,从而分别评估绝缘埋层(Buried Oxide,BOX)和浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)氧化层中辐射感应陷阱电荷对器件电学性能的影响.基于该仿真技术,本文分别研究了不同偏置、沟道长度、体区掺杂浓度以及STI形貌对SOI MOSFET器件总剂量辐射效应的影响.仿真结果表明高浓度的体区掺杂、较小的STI凹槽深度和更陡峭的STI侧壁将有助于改善SOI器件的抗总剂量效应性能.
关键词
绝缘体上硅
总剂量效应
浅沟槽隔离
TCAD仿真
Keywords
silicon on insulator
total ionizing dose effect
shallow trench isolation
technology computer aided design
分类号
TN386.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究
彭超
雷志锋
张战刚
何玉娟
黄云
恩云飞
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
3
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职称材料
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