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LD泵浦Nd∶GdVO_4/GaAs被动调Q激光器研究 被引量：6
1
作者 杜晨林 阮双琛 +3 位作者 于永芹 秦连杰 邵宗书 孟宪林 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期774-776,共3页
报道了采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶GdVO4 晶体 ,利用GaAs晶片兼作饱和吸收被动调Q元件和输出耦合镜 ,实现了 1.0 6 μm激光的被动调Q运转 在泵浦功率为 13.9W时 ,获得最高平均输出功率为 3.6W ,脉冲宽度为 2 5 2ns ,单脉冲能量... 报道了采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶GdVO4 晶体 ,利用GaAs晶片兼作饱和吸收被动调Q元件和输出耦合镜 ,实现了 1.0 6 μm激光的被动调Q运转 在泵浦功率为 13.9W时 ,获得最高平均输出功率为 3.6W ,脉冲宽度为 2 5 2ns ,单脉冲能量为 2 7μJ以及峰值功率为 10 展开更多
关键词 半导体激光器泵浦 ND:GDVO4晶体 GAAS 被动调Q
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Nd:GdVO_4热常数的测量和激光性能研究 被引量：4
2
作者 秦连杰 孟宪林 +7 位作者 杜晨林 祝俐 徐炳超 夏海瑞 徐惠忠 姜付义 程秀凤 赵朋 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期502-507,共6页
中频感应加热提拉法生长了低钕掺杂的GdVO_4晶体,用机械分析仪来测量Nd:GdVO_4晶体的热膨胀系数,沿c方向的热膨胀系数为7.42×10^(-6)/K,而沿α方向的热膨胀系数只有1.05×10^(-6)/K,比同比Nd_(0.0045)Y_(0.9946)VO_4晶体样品... 中频感应加热提拉法生长了低钕掺杂的GdVO_4晶体,用机械分析仪来测量Nd:GdVO_4晶体的热膨胀系数,沿c方向的热膨胀系数为7.42×10^(-6)/K,而沿α方向的热膨胀系数只有1.05×10^(-6)/K,比同比Nd_(0.0045)Y_(0.9946)VO_4晶体样品测量结果小。差示扫描热计法测量了Nd:GdVO_4晶体的比热,298K时为0.52J/g·K。首次用激光脉冲法测量了Nd:GdVO_4晶体的室温热导率。实验表明,Nd:GdVO_4晶体沿<001>方向的热导率数值达11.4W/m·K,比Nd:YAG晶体高(测得10.7W/m·K),其<100>方向的热导率为10.1W/m·K。激光实验显示在较高功率泵浦激光输出上Nd:GdVO_4晶体具有比Nd:YVO_4晶体更加优良的性能。 展开更多
关键词 ND:GDVO4 热常数 测量 激光性能 掺钕钒酸钆晶体 热导率 比热 热膨胀 晶体生长
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