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PECVD工艺参数对双层SiNx薄膜性能的影响 被引量：5
1
作者 周艺 欧衍聪 +3 位作者 郭长春 肖斌 何文红 胡旭尧 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期827-830,共4页
采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiNx薄膜,研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响,并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现:衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力对SiNx薄膜性能均... 采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiNx薄膜,研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响,并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现:衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力对SiNx薄膜性能均有重要影响,且优化工艺后的双层SiNx薄膜能有效提高多晶硅太阳电池光电性能。 展开更多
关键词 双层SiNx 减反膜 工艺参数 薄膜性能
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多晶硅太阳电池双层SiNx镀膜工艺研究 被引量：2
2
作者 周艺 欧衍聪 +4 位作者 郭长春 肖斌 何文红 黄岳文 金井升 《材料导报》 CSCD 北大核心 2012年第8期14-16,共3页
采用PECVD法,通过优化工艺参数,创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiNx膜,并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析。结果表明,对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiNx镀膜工艺,本工艺可有效延长多晶硅少子寿命、增强光谱吸收、降低多... 采用PECVD法,通过优化工艺参数,创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiNx膜,并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析。结果表明,对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiNx镀膜工艺,本工艺可有效延长多晶硅少子寿命、增强光谱吸收、降低多晶硅的表面反射率,其电性能明显提高,中短路电流提高了100mA,光电转换效率提高了1.34%。 展开更多
关键词 多晶硅太阳电池 PECVD 双层SiNx膜
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低温酸刻蚀对多晶硅表面织构化的影响 被引量：1
3
作者 周艺 郭长春 +3 位作者 欧衍聪 肖斌 李荡 高振洲 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期201-203,220,共4页
采用低温酸刻蚀,通过优化HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系配比及相关工艺参数,在多晶硅材料的表面制备了绒面结构,并进行SEM表面形貌分析和反射谱的测试。结果表明,低温刻蚀比常温刻蚀在生产工艺中更有利于控制反应速度,从而得到效果较好的绒... 采用低温酸刻蚀,通过优化HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系配比及相关工艺参数,在多晶硅材料的表面制备了绒面结构,并进行SEM表面形貌分析和反射谱的测试。结果表明,低温刻蚀比常温刻蚀在生产工艺中更有利于控制反应速度,从而得到效果较好的绒面结构。研究中发现,在不同HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系配比中,温度对反应速率的影响有较大差异,当HNO3含量相对较低时,低温刻蚀工艺有较好的效果。所得最佳绒面制备方案为:酸腐蚀溶液体系配比为VHF∶VHNO3∶VH2O=1∶4∶2,温度为3℃,反应速率控制为2.6μm/min。该方案已在25MW多晶硅太阳电池生产线上实施,不增加工艺难度和生产成本,适合于工业生产。 展开更多
关键词 低温刻蚀 多晶硅 表面织构化 腐蚀速率 温度
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表面织构化对于多晶硅太阳电池性能的影响
4
作者 周艺 何文红 +2 位作者 郭长春 欧衍聪 肖斌 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期593-594,632,共3页
表面织构化作为太阳电池生产工艺的起始工序,对于转换效率的影响至关重要。在HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系下,通过调整腐蚀时间制备了三种典型的多晶硅织构化表面,并利用扫描电子显微镜(SEM)和光电转换效率测试仪(IPCE)对其表面形貌和反射... 表面织构化作为太阳电池生产工艺的起始工序,对于转换效率的影响至关重要。在HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系下,通过调整腐蚀时间制备了三种典型的多晶硅织构化表面,并利用扫描电子显微镜(SEM)和光电转换效率测试仪(IPCE)对其表面形貌和反射率特性进行表征分析。结果表明:低反射率的织构化表面并未获得更高的转换效率,而在HF-HNO3-H2O腐蚀溶液体系下,腐蚀100 s制备得到的"蠕虫状"的腐蚀坑分布均匀,反射率约为26%;且可以很好匹配太阳电池生产工艺中的后续工序,制备得到的太阳电池效率为16.68%,Voc和Jsc分别为623 mV和34.55mA/cm2。该织构化方案已在25 MW多晶硅太阳电池生产线上实施,绒面质量得到保证,不增加工艺难度和生产成本,适合于工业生产。 展开更多
关键词 多晶硅 表面织构化 腐蚀时间 酸腐蚀 太阳电池性能
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