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侧栅晶体管太赫兹探测器的物理模型、结构制备与直流测试
1
作者
康亚茹
董慧
+4 位作者
刘晶
黄镇
李兆峰
颜伟
王晓东
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第4期526-532,共7页
针对侧栅结构高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMTs)太赫兹探测器,构建了器件的直流输运和太赫兹探测的物理模型。运用自对准工艺,成功制备了形态良好、接触可靠的侧栅结构,有效地解决了器件双侧栅与台面间的...
针对侧栅结构高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMTs)太赫兹探测器,构建了器件的直流输运和太赫兹探测的物理模型。运用自对准工艺,成功制备了形态良好、接触可靠的侧栅结构,有效地解决了器件双侧栅与台面间的接触问题,最终获得了不同栅宽(200 nm、800 nm和1400 nm)的侧栅GaN/AlGaN HEMT太赫兹探测器。通过直流测试表征发现,不同器件的栅宽与其阈值电压之间呈现出明显的线性关系,验证了侧栅结构HEMT太赫兹探测器的直流输运模型。上述结果为完整的侧栅HEMT太赫兹探测器的理论模型提供了实验验证和指导,为侧栅HEMT太赫兹探测器的发展提供了重要支持。
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关键词
氮化镓
太赫兹探测器
侧栅
高电子迁移率晶体管
下载PDF
职称材料
场效应晶体管太赫兹探测器在太赫兹成像领域的研究进展(下)
2
作者
靳晨阳
康亚茹
+5 位作者
黄镇
赵永梅
颜伟
李兆峰
王晓东
杨富华
《红外》
CAS
2024年第8期1-12,共12页
太赫兹(Terahertz,THz)波具有能量低、穿透性强、分辨率高等特性,因而THz成像技术在安全检测、医学诊断、无损探伤等领域具有广阔的应用前景。THz探测器作为THz成像系统的重要组成部分,其性能对成像分辨率、成像速度等有重要影响。由于...
太赫兹(Terahertz,THz)波具有能量低、穿透性强、分辨率高等特性,因而THz成像技术在安全检测、医学诊断、无损探伤等领域具有广阔的应用前景。THz探测器作为THz成像系统的重要组成部分,其性能对成像分辨率、成像速度等有重要影响。由于具备可室温工作、易大面积集成、响应速度快等特性,场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)THz探测器在成像应用中潜力巨大。综述了近年来FET THz探测器在THz成像领域的研究进展(包括成像阵列、材料选择等方面),分析了设计和制造中存在的问题;指出天线和像素间距是限制大规模阵列化的重要因素,并在此基础上对未来的研究方向进行了展望;指出新的材料和结构设计将进一步改善器件性能,从而实现更快速、更清晰的THz成像。
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关键词
太赫兹成像
场效应晶体管
太赫兹探测器
HEMT
CMOS
低维材料
下载PDF
职称材料
场效应晶体管太赫兹探测器在太赫兹成像领域的研究进展(上)
3
作者
靳晨阳
康亚茹
+5 位作者
黄镇
赵永梅
颜伟
李兆峰
王晓东
杨富华
《红外》
CAS
2024年第7期1-8,共8页
太赫兹(Terahertz,THz)波具有能量低、穿透性强、分辨率高等特性,因而THz成像技术在安全检测、医学诊断、无损探伤等领域具有广阔的应用前景。THz探测器作为THz成像系统的重要组成部分,其性能对成像分辨率、成像速度等有重要影响。由于...
太赫兹(Terahertz,THz)波具有能量低、穿透性强、分辨率高等特性,因而THz成像技术在安全检测、医学诊断、无损探伤等领域具有广阔的应用前景。THz探测器作为THz成像系统的重要组成部分,其性能对成像分辨率、成像速度等有重要影响。由于具备可室温工作、易大面积集成、响应速度快等特性,场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)THz探测器在成像应用中潜力巨大。综述了近年来FET THz探测器在THz成像领域的研究进展(包括成像阵列、材料选择等方面),分析了设计和制造中存在的问题;指出天线和像素间距是限制大规模阵列化的重要因素,并在此基础上对未来的研究方向进行了展望;指出新的材料和结构设计将进一步改善器件性能,从而实现更快速、更清晰的THz成像。
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关键词
太赫兹成像
场效应晶体管
太赫兹探测器
HEMT
CMOS
低维材料
下载PDF
职称材料
题名
侧栅晶体管太赫兹探测器的物理模型、结构制备与直流测试
1
作者
康亚茹
董慧
刘晶
黄镇
李兆峰
颜伟
王晓东
机构
中国科学院大学集成电路学院
中国科学院大学材料与光电
研究
中心
中国科学院半导体
研究
所半导体集成技术工程
研究
中心
中国科学技术大学微电子学院
湖北
九峰山
实验室
研究
中心
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第4期526-532,共7页
基金
国家自然科学基金(61971395)。
文摘
针对侧栅结构高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistors,HEMTs)太赫兹探测器,构建了器件的直流输运和太赫兹探测的物理模型。运用自对准工艺,成功制备了形态良好、接触可靠的侧栅结构,有效地解决了器件双侧栅与台面间的接触问题,最终获得了不同栅宽(200 nm、800 nm和1400 nm)的侧栅GaN/AlGaN HEMT太赫兹探测器。通过直流测试表征发现,不同器件的栅宽与其阈值电压之间呈现出明显的线性关系,验证了侧栅结构HEMT太赫兹探测器的直流输运模型。上述结果为完整的侧栅HEMT太赫兹探测器的理论模型提供了实验验证和指导,为侧栅HEMT太赫兹探测器的发展提供了重要支持。
关键词
氮化镓
太赫兹探测器
侧栅
高电子迁移率晶体管
Keywords
GaN-based
terahertz detector
lateral gate
high electron mobility transistors
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
场效应晶体管太赫兹探测器在太赫兹成像领域的研究进展(下)
2
作者
靳晨阳
康亚茹
黄镇
赵永梅
颜伟
李兆峰
王晓东
杨富华
机构
中国科学院半导体
研究
所半导体集成技术工程
研究
中心
中国科学院大学材料与光电
研究
中心
中国科学院大学集成电路学院
中国科学院大学电子电气与通信工程学院
中国科学院大学材料科学与光电技术学院
湖北
九峰山
实验室
研究
中心
出处
《红外》
CAS
2024年第8期1-12,共12页
基金
国家自然科学基金项目(61971395,52075519)。
文摘
太赫兹(Terahertz,THz)波具有能量低、穿透性强、分辨率高等特性,因而THz成像技术在安全检测、医学诊断、无损探伤等领域具有广阔的应用前景。THz探测器作为THz成像系统的重要组成部分,其性能对成像分辨率、成像速度等有重要影响。由于具备可室温工作、易大面积集成、响应速度快等特性,场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)THz探测器在成像应用中潜力巨大。综述了近年来FET THz探测器在THz成像领域的研究进展(包括成像阵列、材料选择等方面),分析了设计和制造中存在的问题;指出天线和像素间距是限制大规模阵列化的重要因素,并在此基础上对未来的研究方向进行了展望;指出新的材料和结构设计将进一步改善器件性能,从而实现更快速、更清晰的THz成像。
关键词
太赫兹成像
场效应晶体管
太赫兹探测器
HEMT
CMOS
低维材料
Keywords
terahertz imaging
field effect transistor
terahertz detector
HEMT
CMOS
low dimensional material
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
场效应晶体管太赫兹探测器在太赫兹成像领域的研究进展(上)
3
作者
靳晨阳
康亚茹
黄镇
赵永梅
颜伟
李兆峰
王晓东
杨富华
机构
中国科学院半导体
研究
所半导体集成技术工程
研究
中心
中国科学院大学材料与光电
研究
中心
中国科学院大学集成电路学院
中国科学院大学电子电气与通信工程学院
中国科学院大学材料科学与光电技术学院
湖北
九峰山
实验室
研究
中心
出处
《红外》
CAS
2024年第7期1-8,共8页
基金
国家自然科学基金项目(61971395,52075519)。
文摘
太赫兹(Terahertz,THz)波具有能量低、穿透性强、分辨率高等特性,因而THz成像技术在安全检测、医学诊断、无损探伤等领域具有广阔的应用前景。THz探测器作为THz成像系统的重要组成部分,其性能对成像分辨率、成像速度等有重要影响。由于具备可室温工作、易大面积集成、响应速度快等特性,场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)THz探测器在成像应用中潜力巨大。综述了近年来FET THz探测器在THz成像领域的研究进展(包括成像阵列、材料选择等方面),分析了设计和制造中存在的问题;指出天线和像素间距是限制大规模阵列化的重要因素,并在此基础上对未来的研究方向进行了展望;指出新的材料和结构设计将进一步改善器件性能,从而实现更快速、更清晰的THz成像。
关键词
太赫兹成像
场效应晶体管
太赫兹探测器
HEMT
CMOS
低维材料
Keywords
terahertz imaging
field effect transistor
terahertz detector
HEMT
CMOS
low dimensional material
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
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操作
1
侧栅晶体管太赫兹探测器的物理模型、结构制备与直流测试
康亚茹
董慧
刘晶
黄镇
李兆峰
颜伟
王晓东
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
2
场效应晶体管太赫兹探测器在太赫兹成像领域的研究进展(下)
靳晨阳
康亚茹
黄镇
赵永梅
颜伟
李兆峰
王晓东
杨富华
《红外》
CAS
2024
0
下载PDF
职称材料
3
场效应晶体管太赫兹探测器在太赫兹成像领域的研究进展(上)
靳晨阳
康亚茹
黄镇
赵永梅
颜伟
李兆峰
王晓东
杨富华
《红外》
CAS
2024
0
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职称材料
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