以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为偶联剂,采用溶胶-凝胶法,在Fe Si Cr软磁合金表面包覆上SiO_2壳层。对包覆粉末进行压制成型和退火热处理,制备了高频下低损耗的Fe Si Cr/SiO_2软磁复合材料。通过XRD、FTIR、XPS、SEM等...以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为偶联剂,采用溶胶-凝胶法,在Fe Si Cr软磁合金表面包覆上SiO_2壳层。对包覆粉末进行压制成型和退火热处理,制备了高频下低损耗的Fe Si Cr/SiO_2软磁复合材料。通过XRD、FTIR、XPS、SEM等手段对包覆粉末的相结构、成分及表面微结构进行表征,通过四探针电阻仪、B-H分析仪等对复合材料电阻率、磁导率、功率损耗、品质因数等性能参数进行研究。结果表明:通过SiO_2绝缘包覆处理可大幅度提高FeSiCr软磁合金电阻率,降低高频下功率损耗,提高材料品质因数;随着TEOS添加量提高,包覆效果及材料性能呈现先提升后恶化的趋势,添加量为12 m L时,软磁复合材料综合性能最佳。展开更多
文摘以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为偶联剂,采用溶胶-凝胶法,在Fe Si Cr软磁合金表面包覆上SiO_2壳层。对包覆粉末进行压制成型和退火热处理,制备了高频下低损耗的Fe Si Cr/SiO_2软磁复合材料。通过XRD、FTIR、XPS、SEM等手段对包覆粉末的相结构、成分及表面微结构进行表征,通过四探针电阻仪、B-H分析仪等对复合材料电阻率、磁导率、功率损耗、品质因数等性能参数进行研究。结果表明:通过SiO_2绝缘包覆处理可大幅度提高FeSiCr软磁合金电阻率,降低高频下功率损耗,提高材料品质因数;随着TEOS添加量提高,包覆效果及材料性能呈现先提升后恶化的趋势,添加量为12 m L时,软磁复合材料综合性能最佳。
