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HgCdTe器件中载流子扩散长度的硼离子注入效应研究 被引量：1
1
作者 陈贵宾 全知觉 +1 位作者 王少伟 陆卫 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期595-598,共4页
报道了非直接接触、高分辨率的激光束诱导电流谱表征技术在检测半导体材料、器件工艺中的应用.研究结果表明:p型HgCdTe薄膜经硼离子注入后形成的n型区面积大于实际的离子注入区域;对不同注入剂量系列单元不同区域载流子扩散长度进行了提... 报道了非直接接触、高分辨率的激光束诱导电流谱表征技术在检测半导体材料、器件工艺中的应用.研究结果表明:p型HgCdTe薄膜经硼离子注入后形成的n型区面积大于实际的离子注入区域;对不同注入剂量系列单元不同区域载流子扩散长度进行了提取,表明n区载流子扩散长度随硼离子注入剂量增加而减小. 展开更多
关键词 离子注入 P-N结 激光束诱导电流谱(LBIC) 扩散长度
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