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题名硼轻掺杂对a-Si∶H光电导层性能影响的研究
被引量：3
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作者
钱祥忠
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机构
电子科技大学光电子技术系
淮南工业学院数理系淮南
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出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2001年第3期254-257,共4页
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基金
安徽省自然科学基金资助项目! (99JL0 191)
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文摘
用等离子体增强化学气相沉积法制备了厚为 1μm左右的B轻掺杂a Si∶H光电导层 ,得到了a Si∶H的暗电导率与淀积工艺参数和B掺杂比关系的实验曲线 ,利用该曲线确定了最佳工艺参数和最佳掺杂比。测量了最佳参数下淀积的a Si∶H薄膜的电学和光学性能及其受掺杂比的影响。结果表明 ,当B掺杂比增大时 ,a Si∶H的暗电导率先减小后增大 ,并可发生几个数量级的变化。光电导率减小 ,折射率略有降低 ,线性吸收系数显著增大 ,光学带隙减小。测量的数据表明 ,我们制备的B轻掺杂a Si∶H光电导层满足投影机用液晶光阀的要求。
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关键词
硼轻掺杂
光导层
掺杂比
等离子体增强化学气相沉积
硅氢薄膜
投影机
液晶光阀
非晶半导体
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Keywords
Boron light doped,a Si∶H photoconductive layer,Doping ratio,PECVD
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分类号
TN141
[电子电信—物理电子学]
TN304.2
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