GaN HEMT的出现,使得有关电子设备性能的大幅度提升成为了可能。为了尽快实现该器件的工程化应用,需要对器件的可靠性进行相关研究。基于阿伦尼乌斯模型对某型号GaN HEMT进行了加速寿命试验,结果显示,该功率管MTTF>2×106h(85℃...GaN HEMT的出现,使得有关电子设备性能的大幅度提升成为了可能。为了尽快实现该器件的工程化应用,需要对器件的可靠性进行相关研究。基于阿伦尼乌斯模型对某型号GaN HEMT进行了加速寿命试验,结果显示,该功率管MTTF>2×106h(85℃,长脉宽,大占空比)。相关结果可为用户开展GaN功率管的可靠性设计等相关研究提供数据支持。展开更多