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基于带隙基准的改进型像元共享CTIA红外读出电路设计
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作者 王坤 关晓宁 +5 位作者 康智博 张凡 张焱超 邓旭光 周峰 芦鹏飞 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期816-821,共6页
为了提高红外读出电路动态范围、增强红外成像质量,加入暗电流抑制模块电路,设计了一种四像元分时共享的电容反馈跨阻放大器(CTIA)和带隙基准源相互配合的高性能红外读出电路。通过带隙基准源产生两个基准电压586 mV和293 mV,其中293 m... 为了提高红外读出电路动态范围、增强红外成像质量,加入暗电流抑制模块电路,设计了一种四像元分时共享的电容反馈跨阻放大器(CTIA)和带隙基准源相互配合的高性能红外读出电路。通过带隙基准源产生两个基准电压586 mV和293 mV,其中293 mV基准电压值的温漂系数达到1.49×10-6/℃,可对分流管的栅极和源极提供稳定的电压偏置,实现对暗电流的精准撇除。结果表明,该电路可实现电流信号从10 pA~10 nA宽动态范围的积分电压读出,读出数据通过线性拟合,拟合优度R 2达到0.9992,说明电路性能良好。此研究未来可应用到线列和面阵的红外探测器中。 展开更多
关键词 探测器 读出电路 暗电流抑制 像元共享 带隙基准
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T2SL红外探测器高量子效率机理的研究进展
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作者 杨雪艳 孙童 +5 位作者 关晓宁 赵雅琪 张凡 张焱超 芦鹏飞 周峰 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期822-831,共10页
二类超晶格(T2SL)红外探测器灵敏度高、响应速度快,适用于更远距离成像、更高速度的运动目标追踪。量子效率(QE)是决定光电探测器能否高质量成像的关键指标之一,提高T2SL红外探测器的QE具有重要意义。为了更直观地理解T2SL红外探测器QE... 二类超晶格(T2SL)红外探测器灵敏度高、响应速度快,适用于更远距离成像、更高速度的运动目标追踪。量子效率(QE)是决定光电探测器能否高质量成像的关键指标之一,提高T2SL红外探测器的QE具有重要意义。为了更直观地理解T2SL红外探测器QE的提高方式,梳理了中长波T2SL红外探测器提高QE的方法,归纳了QE在不同调控手段下能达到的程度,重点讨论了能带结构设计、吸收层厚度设定、吸收层掺杂类型选择、材料改进等方面对T2SL红外探测器QE的影响情况,并对T2SL红外探测器高QE的研究现状和未来发展进行了展望。 展开更多
关键词 探测器 二类超晶格 量子效率 吸收层
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AlAsSb的外延再生长对InAs/GaSb红外探测器暗电流抑制效果研究
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作者 严定钰 沈祥 +3 位作者 王庶民 石张勇 张焱超 张凡 《宁波大学学报(理工版)》 CAS 2023年第3期87-93,共7页
采用分子束外延(MBE)技术外延再生长AlAsSb,对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格(T2SLs)长波红外探测器的表面缺陷进行钝化,实现了暗电流的显著降低.首先,研究了湿法腐蚀浅台面的最佳腐蚀液配比,获得了低横向腐蚀、光滑的侧壁以及均匀的腐蚀界面.随... 采用分子束外延(MBE)技术外延再生长AlAsSb,对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格(T2SLs)长波红外探测器的表面缺陷进行钝化,实现了暗电流的显著降低.首先,研究了湿法腐蚀浅台面的最佳腐蚀液配比,获得了低横向腐蚀、光滑的侧壁以及均匀的腐蚀界面.随后,使用AlAsSb/AlAs/GaAs、AlAsSb/GaSb两种不同的外延再生长组合和单一的SiO_(2)薄层分别对刻蚀后的台面进行钝化,同时保留一个没有钝化的样品作为对照,最后对4种不同钝化条件下探测器的暗电流特性进行了测量.结果发现,使用AlAsSb/GaSb外延再生长钝化层的器件暗电流得到了进一步降低,使用SiO_(2)钝化层的效果次之,而使用AlAsSb/AlAs/GaAs外延再生长钝化层的性能相对较差.上述结果表明,外延再生长钝化技术是降低长波红外探测器暗电流的一种有效方法. 展开更多
关键词 外延再生长 表面钝化 InAs/GaSbⅡ类超晶格 长波红外探测器 湿法刻蚀
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