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基于带隙基准的改进型像元共享CTIA红外读出电路设计
1
作者
王坤
关晓宁
+5 位作者
康智博
张凡
张焱超
邓旭光
周峰
芦鹏飞
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第6期816-821,共6页
为了提高红外读出电路动态范围、增强红外成像质量,加入暗电流抑制模块电路,设计了一种四像元分时共享的电容反馈跨阻放大器(CTIA)和带隙基准源相互配合的高性能红外读出电路。通过带隙基准源产生两个基准电压586 mV和293 mV,其中293 m...
为了提高红外读出电路动态范围、增强红外成像质量,加入暗电流抑制模块电路,设计了一种四像元分时共享的电容反馈跨阻放大器(CTIA)和带隙基准源相互配合的高性能红外读出电路。通过带隙基准源产生两个基准电压586 mV和293 mV,其中293 mV基准电压值的温漂系数达到1.49×10-6/℃,可对分流管的栅极和源极提供稳定的电压偏置,实现对暗电流的精准撇除。结果表明,该电路可实现电流信号从10 pA~10 nA宽动态范围的积分电压读出,读出数据通过线性拟合,拟合优度R 2达到0.9992,说明电路性能良好。此研究未来可应用到线列和面阵的红外探测器中。
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关键词
探测器
读出电路
暗电流抑制
像元共享
带隙基准
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职称材料
T2SL红外探测器高量子效率机理的研究进展
2
作者
杨雪艳
孙童
+5 位作者
关晓宁
赵雅琪
张凡
张焱超
芦鹏飞
周峰
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第6期822-831,共10页
二类超晶格(T2SL)红外探测器灵敏度高、响应速度快,适用于更远距离成像、更高速度的运动目标追踪。量子效率(QE)是决定光电探测器能否高质量成像的关键指标之一,提高T2SL红外探测器的QE具有重要意义。为了更直观地理解T2SL红外探测器QE...
二类超晶格(T2SL)红外探测器灵敏度高、响应速度快,适用于更远距离成像、更高速度的运动目标追踪。量子效率(QE)是决定光电探测器能否高质量成像的关键指标之一,提高T2SL红外探测器的QE具有重要意义。为了更直观地理解T2SL红外探测器QE的提高方式,梳理了中长波T2SL红外探测器提高QE的方法,归纳了QE在不同调控手段下能达到的程度,重点讨论了能带结构设计、吸收层厚度设定、吸收层掺杂类型选择、材料改进等方面对T2SL红外探测器QE的影响情况,并对T2SL红外探测器高QE的研究现状和未来发展进行了展望。
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关键词
探测器
二类超晶格
量子效率
吸收层
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职称材料
AlAsSb的外延再生长对InAs/GaSb红外探测器暗电流抑制效果研究
3
作者
严定钰
沈祥
+3 位作者
王庶民
石张勇
张焱超
张凡
《宁波大学学报(理工版)》
CAS
2023年第3期87-93,共7页
采用分子束外延(MBE)技术外延再生长AlAsSb,对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格(T2SLs)长波红外探测器的表面缺陷进行钝化,实现了暗电流的显著降低.首先,研究了湿法腐蚀浅台面的最佳腐蚀液配比,获得了低横向腐蚀、光滑的侧壁以及均匀的腐蚀界面.随...
采用分子束外延(MBE)技术外延再生长AlAsSb,对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格(T2SLs)长波红外探测器的表面缺陷进行钝化,实现了暗电流的显著降低.首先,研究了湿法腐蚀浅台面的最佳腐蚀液配比,获得了低横向腐蚀、光滑的侧壁以及均匀的腐蚀界面.随后,使用AlAsSb/AlAs/GaAs、AlAsSb/GaSb两种不同的外延再生长组合和单一的SiO_(2)薄层分别对刻蚀后的台面进行钝化,同时保留一个没有钝化的样品作为对照,最后对4种不同钝化条件下探测器的暗电流特性进行了测量.结果发现,使用AlAsSb/GaSb外延再生长钝化层的器件暗电流得到了进一步降低,使用SiO_(2)钝化层的效果次之,而使用AlAsSb/AlAs/GaAs外延再生长钝化层的性能相对较差.上述结果表明,外延再生长钝化技术是降低长波红外探测器暗电流的一种有效方法.
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关键词
外延再生长
表面钝化
InAs/GaSbⅡ类超晶格
长波红外探测器
湿法刻蚀
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职称材料
题名
基于带隙基准的改进型像元共享CTIA红外读出电路设计
1
作者
王坤
关晓宁
康智博
张凡
张焱超
邓旭光
周峰
芦鹏飞
机构
北京邮电大学集成电路学院
浙江
超
晶
晟
锐
光电
有限公司
北京空间机电研究所
出处
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第6期816-821,共6页
基金
河南省重点研发专项项目(231111210400)。
文摘
为了提高红外读出电路动态范围、增强红外成像质量,加入暗电流抑制模块电路,设计了一种四像元分时共享的电容反馈跨阻放大器(CTIA)和带隙基准源相互配合的高性能红外读出电路。通过带隙基准源产生两个基准电压586 mV和293 mV,其中293 mV基准电压值的温漂系数达到1.49×10-6/℃,可对分流管的栅极和源极提供稳定的电压偏置,实现对暗电流的精准撇除。结果表明,该电路可实现电流信号从10 pA~10 nA宽动态范围的积分电压读出,读出数据通过线性拟合,拟合优度R 2达到0.9992,说明电路性能良好。此研究未来可应用到线列和面阵的红外探测器中。
关键词
探测器
读出电路
暗电流抑制
像元共享
带隙基准
Keywords
detectors
readout circuit
dark current suppression
pixel sharing
bandgap reference
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
TN362
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职称材料
题名
T2SL红外探测器高量子效率机理的研究进展
2
作者
杨雪艳
孙童
关晓宁
赵雅琪
张凡
张焱超
芦鹏飞
周峰
机构
北京邮电大学集成电路学院
浙江
超
晶
晟
锐
光电
有限公司
出处
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第6期822-831,共10页
基金
红外探测器全国重点实验室开放课题资助项目(IRDT-23-S01)。
文摘
二类超晶格(T2SL)红外探测器灵敏度高、响应速度快,适用于更远距离成像、更高速度的运动目标追踪。量子效率(QE)是决定光电探测器能否高质量成像的关键指标之一,提高T2SL红外探测器的QE具有重要意义。为了更直观地理解T2SL红外探测器QE的提高方式,梳理了中长波T2SL红外探测器提高QE的方法,归纳了QE在不同调控手段下能达到的程度,重点讨论了能带结构设计、吸收层厚度设定、吸收层掺杂类型选择、材料改进等方面对T2SL红外探测器QE的影响情况,并对T2SL红外探测器高QE的研究现状和未来发展进行了展望。
关键词
探测器
二类超晶格
量子效率
吸收层
Keywords
detector
type-Ⅱ superlattice
quantum efficiency
absorption layer
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
AlAsSb的外延再生长对InAs/GaSb红外探测器暗电流抑制效果研究
3
作者
严定钰
沈祥
王庶民
石张勇
张焱超
张凡
机构
宁波大学高等技术研究院
浙江
省
光电
探测材料及器件重点实验室
浙江
超
晶
晟
锐
光电
有限公司
查尔姆斯理工大学微米技术与纳米科学学院
出处
《宁波大学学报(理工版)》
CAS
2023年第3期87-93,共7页
基金
国家自然科学基金联合项目(U21A2056)
浙江省重点研发计划(2021C01025)
宁波市“科技创新2025”重大专项(2020Z009)。
文摘
采用分子束外延(MBE)技术外延再生长AlAsSb,对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格(T2SLs)长波红外探测器的表面缺陷进行钝化,实现了暗电流的显著降低.首先,研究了湿法腐蚀浅台面的最佳腐蚀液配比,获得了低横向腐蚀、光滑的侧壁以及均匀的腐蚀界面.随后,使用AlAsSb/AlAs/GaAs、AlAsSb/GaSb两种不同的外延再生长组合和单一的SiO_(2)薄层分别对刻蚀后的台面进行钝化,同时保留一个没有钝化的样品作为对照,最后对4种不同钝化条件下探测器的暗电流特性进行了测量.结果发现,使用AlAsSb/GaSb外延再生长钝化层的器件暗电流得到了进一步降低,使用SiO_(2)钝化层的效果次之,而使用AlAsSb/AlAs/GaAs外延再生长钝化层的性能相对较差.上述结果表明,外延再生长钝化技术是降低长波红外探测器暗电流的一种有效方法.
关键词
外延再生长
表面钝化
InAs/GaSbⅡ类超晶格
长波红外探测器
湿法刻蚀
Keywords
epitaxial regrowth passivation
surface passivation
InAs/GaSb type-Ⅱ superlattice
long wavelength infrared detector
wet etching
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于带隙基准的改进型像元共享CTIA红外读出电路设计
王坤
关晓宁
康智博
张凡
张焱超
邓旭光
周峰
芦鹏飞
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
2
T2SL红外探测器高量子效率机理的研究进展
杨雪艳
孙童
关晓宁
赵雅琪
张凡
张焱超
芦鹏飞
周峰
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
3
AlAsSb的外延再生长对InAs/GaSb红外探测器暗电流抑制效果研究
严定钰
沈祥
王庶民
石张勇
张焱超
张凡
《宁波大学学报(理工版)》
CAS
2023
0
下载PDF
职称材料
已选择
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