低温气相硅外延前氩微波等离子原位溅射清洗对薄膜界面的损伤 被引量：4

1

作者 叶志镇 Z.Zhou R.Reif 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第2期113-117,共5页

本文研究了在超高真空低温CVD（chemicalvapordeposition）硅外延中，ECR（electroncyclotronresonance）微波等离子原位溅射清洗对外延层界面损伤的情况。超高分辨透射电镜（TEM）照片表明，界面引起的损伤是较严重的，损伤层的宽度与... 本文研究了在超高真空低温CVD（chemicalvapordeposition）硅外延中，ECR（electroncyclotronresonance）微波等离子原位溅射清洗对外延层界面损伤的情况。超高分辨透射电镜（TEM）照片表明，界面引起的损伤是较严重的，损伤层的宽度与衬底偏压的高低和溅射时间的长短直接相关。 展开更多

关键词 低温硅外延 溅射清洗 界面损伤 薄膜 界面

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洁净硅片在真空中加热时表面状态的XPS谱研究

2

作者 叶志镇 袁骏 赵炳辉 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第3期179-184,共6页

用X射线电子谱（XPS）评价了由改进的RCA方法清洗，又经HF处理的洁净（111）硅片在高真空和超高真空中加低热时的表面状态。实验表时，清洗后的硅片表面沾污中的氧（O）比较少而碳（C）相对多一些，同时存在微量的氟（F）。如果清洗工... 用X射线电子谱（XPS）评价了由改进的RCA方法清洗，又经HF处理的洁净（111）硅片在高真空和超高真空中加低热时的表面状态。实验表时，清洗后的硅片表面沾污中的氧（O）比较少而碳（C）相对多一些，同时存在微量的氟（F）。如果清洗工艺操作得当，可望获得较干净的衬底表面。洁净的硅片在8×10-6Pa的真空中存放12h后，表面吸附的C比O增加得更快。给出了在高低真空中硅片加低热前后表面状态的变化情况，并实时检测在超高真空中加低热时表面状态的XPS谱，同时对实验结果给予分析、讨论。 展开更多

关键词 硅片 表面评价 高真空系统 低温加热 XPS谱

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超高真空退火及X射线辐照对多孔硅发光膜的影响

3

作者 季振国 陈立登 +2 位作者 马向阳 姚鸿年 阙端麟 《真空科学与技术》 CSCD 1995年第5期339-342,共4页

研究X射线及超高真空退火对发光多孔硅膜（PSL）发光特性的影响。通过光电子谱原位检测分析，发现X射线辐照及其空退火均可使发光多孔硅膜失去发光能力，同时伴随着Si2p光电子峰高结合能部分有较大的下降。根据实验结果认为：发光多孔... 研究X射线及超高真空退火对发光多孔硅膜（PSL）发光特性的影响。通过光电子谱原位检测分析，发现X射线辐照及其空退火均可使发光多孔硅膜失去发光能力，同时伴随着Si2p光电子峰高结合能部分有较大的下降。根据实验结果认为：发光多孔硅中的发光物质为含氟缺氧的二氧化硅。 展开更多

关键词 发光 多孔硅 二氧化硅 超高真空退火 X射线辐照

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微氮硅单晶中氧沉滨 被引量：5

4

作者 杨德仁 姚鸿年 阙端麟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期422-428,共7页

实验研究了微氮硅单晶在７００℃，１０５０℃单步退火及二步退火的氧沉淀，指出破、氮杂质对低温退火生成的氧沉淀有明显促进作用，而对中温退火的氧沉淀基本没有影响，主要取决于原始氧浓度．实验还研究了低温预退火促进氧沉淀及氧沉... 实验研究了微氮硅单晶在７００℃，１０５０℃单步退火及二步退火的氧沉淀，指出破、氮杂质对低温退火生成的氧沉淀有明显促进作用，而对中温退火的氧沉淀基本没有影响，主要取决于原始氧浓度．实验还研究了低温预退火促进氧沉淀及氧沉淀延迟现象，探讨了碳氮杂质在氧沉淀中的作用． 展开更多

关键词 硅单晶 氮 氧 沉淀 缺陷

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硅材料的吸杂研究 被引量：5

5

作者 杨德仁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期53-56,共4页

本文综述了硅材料中吸杂技术和吸杂机理,硅中氧碳氮杂质和氧沉淀对吸杂的影响和作用等研究的新进展,并就硅材料吸杂中存在的问题作了评述。

关键词 硅片 吸杂技术 集成电路

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多孔硅发光膜的研究 被引量：4

6

作者 陈立登 季振国 +2 位作者 马向阳 姚鸿年 阙端麟 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第21期1944-1948,共5页

Canham在1990年报道了多孔硅光致发光,并提出发光多孔硅具有尺度为几个纳米的量子线阵结构。其后不久,Richter等制作了第一个多孔硅光发射器件。目前,有关多孔硅发光的机理研究,提出了几种设想。多数研究者倾向于多孔硅的量子线阵结构... Canham在1990年报道了多孔硅光致发光,并提出发光多孔硅具有尺度为几个纳米的量子线阵结构。其后不久,Richter等制作了第一个多孔硅光发射器件。目前,有关多孔硅发光的机理研究,提出了几种设想。多数研究者倾向于多孔硅的量子线阵结构使带隙增宽,导致可见荧光。但是,到目前为止,发光多孔硅的量子线阵结构尚无直接的实验证据。另外一些观点有:多孔硅中的硅氢烷发光;附着在硅表面的某种分子发光。 展开更多

关键词 多孔硅 光致发光 量子线阵

原文传递

发光多孔硅的X射线光电子能谱深度剖析 被引量：2

7

作者 季振国 陈立登 +2 位作者 马向阳 姚鸿年 阙端麟 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期57-63,共7页

用X射线光电子能谱测量了经电解腐蚀后硅片表面的发光物质.发现发光膜中与发光有关的物质为硅氧化合物,其成分与二氧化硅接近,但O/Si小于2,并含有约百分之一数量级的氟,由氩离子刻蚀条件估算发光膜的厚度为微米数量级.随氩离子束的轰击... 用X射线光电子能谱测量了经电解腐蚀后硅片表面的发光物质.发现发光膜中与发光有关的物质为硅氧化合物,其成分与二氧化硅接近,但O/Si小于2,并含有约百分之一数量级的氟,由氩离子刻蚀条件估算发光膜的厚度为微米数量级.随氩离子束的轰击,发光膜的发光强度下降,波长红移. 展开更多

关键词 发光多孔硅 X射线 光电子能谱 深度剖析

原文传递

直拉硅中氮与氧的相互作用 被引量：1

8

作者 刘培东 李立本 +1 位作者 阙端麟 余思明 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 1995年第2期112-115,共4页

应用红外光谱技术研究了ＣＺ硅中氮与氧的相互作用，实验发现硅中氮的行为不仅与热处理温度有关，而且与热处理时间、样品的热历史等因素有关，由此得出，硅中氮与氧的相互作用实际上分为三个阶段：（１）氮氧复合物的形成，（２）氮氧... 应用红外光谱技术研究了ＣＺ硅中氮与氧的相互作用，实验发现硅中氮的行为不仅与热处理温度有关，而且与热处理时间、样品的热历史等因素有关，由此得出，硅中氮与氧的相互作用实际上分为三个阶段：（１）氮氧复合物的形成，（２）氮氧复合物的脱溶，（３）以氮为中心的氧沉淀的长大。 展开更多

关键词 氮氧复合物 氧沉淀 硅 热处理

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微氮硅中热施主和浅热施主的低温远红外研究

9

作者 杨德仁 阙端麟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期608-610,共3页

利用低温（８Ｋ）远红外吸收技术，研究了硅单晶中氮杂质对热施主及浅热施主形成的影响，指出氮原子有抑制硅中热施主形成的能力，而微氮硅中的浅热施主和氧－氮复合体直接相关。

关键词 微氮硅 热施主 浅热施主 低温远红外

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微氮硅单晶中新的氧沉淀形态

10

作者 杨德仁 王幼文 +1 位作者 姚鸿年 阙端麟 《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》 1993年第2期173-176,共4页

直拉(CZ)硅单晶中的氧杂质在器件制造的热处理工艺中,结合原生微缺陷或其它杂质原子,形成氧沉淀,严重影响着硅材料的器件的质量,引起了人们的重视.近年来,研究者对氧沉淀的形核、生长、形态和杂质原子的关系等方面,进行了广泛的探索.

关键词 氧 沉淀 氮 掺杂 硅 单晶

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发挥校内基地优势积极改进实践教学

11

作者 杨启基 《高等工程教育研究》 北大核心 1991年第4期37-40,共4页

高等学校、尤其是工科院校的学生实习是贯彻教育与生产劳动相结合的方针、提高人才培养质量的重要教学环节。然而,由于种种原因,安排实习、特别是安排校外实习,成了各高校面临的一大难题。

关键词 高等教育 实习

全文增补中

新颖的超高真空CVD外延设备与低温低压硅外延研究

12

作者 叶志镇 Z.H.Zhou R.Reif 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第5期330-335,共6页

为实现低温低压外延新工艺，建立了一台具有多项原位监控功能的新颖的超高真空CVD（chemicalvapordeposition）外延设备，并用此设备，（100）和（111）硅片分别在550℃和650℃下由硅烷热解法成功地生长了硅外延层。高分辨率的横断面透... 为实现低温低压外延新工艺，建立了一台具有多项原位监控功能的新颖的超高真空CVD（chemicalvapordeposition）外延设备，并用此设备，（100）和（111）硅片分别在550℃和650℃下由硅烷热解法成功地生长了硅外延层。高分辨率的横断面透射电镜（XTEM）照片表明，低温硅外延层中存在一些缺陷，这些缺陷都由衬底表面引起的，然后扩展进入外延层。此外，衬底｛100｝Si和｛111｝Si因晶向不同，不仅获得外延层所需的最低温度不同，而且外延层中的缺陷特征差异也很大。 展开更多

关键词 超高真空 CVD 低温低压 硅外延

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微氮硅单晶热处理性质研究

13

作者 杨德仁 姚鸿年 阙端麟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期402-408,共7页

实验对微氮硅单晶进行了不同温度、时间、时序的热处理研究，着重调查了硅晶体中氮杂质浓度在热处理时的变化．实验指出，热处理时氛浓度的下降取决于样品热历史，热处理温度及其它杂质的影响，实验发现微氮样品高温热处理时，氮浓度消... 实验对微氮硅单晶进行了不同温度、时间、时序的热处理研究，着重调查了硅晶体中氮杂质浓度在热处理时的变化．实验指出，热处理时氛浓度的下降取决于样品热历史，热处理温度及其它杂质的影响，实验发现微氮样品高温热处理时，氮浓度消失，低温再退火时氮浓度重新回升，以及碳杂质抑制氮浓度下降的新事实，并结合红外吸收光谱的研究，提出微氮硅单晶中存在稳定性不同的二种氧氮复合体的观点． 展开更多

关键词 硅单晶 热处理 氮 性能

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