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气氛掺氮直拉硅单晶中氮关施主的光热电离光谱研究 被引量：1
1
作者 张溪文 阙端麟 +1 位作者 石晓红 沈学础 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期337-343,共7页
以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD（NitrogenRelatedDonor）．确认NRD的形成温区为300～800℃，900℃以上退火将被不可逆消除．指出NRD可能有N－O复合体和氧凝聚态浅施主两种形式，各有不... 以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD（NitrogenRelatedDonor）．确认NRD的形成温区为300～800℃，900℃以上退火将被不可逆消除．指出NRD可能有N－O复合体和氧凝聚态浅施主两种形式，各有不同的热处理行为． 展开更多
关键词 气氛掺氮 硅单晶 氮关施主 施主 光热电离光谱
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非晶硅太阳能电池研究现状 被引量：9
2
作者 吴建荣 杜丕一 +3 位作者 韩高荣 寿瑾晖 张溪文 朱懿 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期38-39,共2页
综述了非晶硅太阳能电池的研究现状,讨沦了非晶硅太阳能电池的制备方法、发展及趋势,总结了影响非晶硅太阳能电池性能的一些因素。
关键词 非晶硅 太阳能电池 单结电池 叠层电池
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煅烧温度对花朵状钨酸铋光催化活性的影响（英文） 被引量：10
3
作者 盛珈怡 李晓金 许宜铭 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第3期508-512,共5页
钨酸铋在水相体系中能光催化降解有机污染物,而对于钨酸铋光催化活性影响因素的研究非常少.本文研究了煅烧温度对花朵状钨酸铋光催化活性的影响.以钨酸钠和硝酸铋为原料,在160°C下水热反应20 h,合成催化剂,并经不同温度煅烧3 h.用... 钨酸铋在水相体系中能光催化降解有机污染物,而对于钨酸铋光催化活性影响因素的研究非常少.本文研究了煅烧温度对花朵状钨酸铋光催化活性的影响.以钨酸钠和硝酸铋为原料,在160°C下水热反应20 h,合成催化剂,并经不同温度煅烧3 h.用X射线衍射(XRD)、拉曼(Raman)光谱、紫外-可见漫反射吸收光谱(UVVis DRS)和荧光(PL)光谱表征样品.结果表明,这些样品具有十分相似的相组成和电子结构.然而,对于水中苯酚的降解,钨酸铋的光催化活性显示出了很大的差异.钨酸铋的光催化活性随着煅烧温度的升高,先上升后下降,最优煅烧温度为350°C,并且不受样品比表面积大小的影响.这些样品的活性差异主要归结于钨酸铋的结晶度、吸光性和表面缺陷对其光生载流子分离效率的综合影响. 展开更多
关键词 钨酸铋 半导体 光催化 苯酚 降解
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β-Bi_2O_3修饰Bi_2WO_6光催化降解苯酚及其可能机理 被引量：9
4
作者 李晓金 盛珈怡 +1 位作者 陈海航 许宜铭 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第3期540-544,共5页
采用简单混合法制备了一系列Bi2O3/Bi2WO6复合光催化剂.在紫外光降解水中苯酚的过程中,Bi2O3/Bi2WO6的光催化活性随Bi2O3含量的增加呈现先增大后减小的趋势.当Bi2O3最佳负载量等于12.5%(质量分数,w)时,该复合光催化剂的活性大约是单一Bi... 采用简单混合法制备了一系列Bi2O3/Bi2WO6复合光催化剂.在紫外光降解水中苯酚的过程中,Bi2O3/Bi2WO6的光催化活性随Bi2O3含量的增加呈现先增大后减小的趋势.当Bi2O3最佳负载量等于12.5%(质量分数,w)时,该复合光催化剂的活性大约是单一Bi2WO6的4倍.固体样品表征表明,Bi2O3主要以β-Bi2O3存在,复合光催化剂是Bi2O3和Bi2WO6的简单混合物.此外,在电催化氧化水的过程中,β-Bi2O3/Bi2WO6薄膜电极的光电流远大于β-Bi2O3和Bi2WO6薄膜电极的光电流之和.Bi2O3对Bi2WO6光催化的促进作用是由于前者接受后者的光生空穴,提高Bi2WO6光生载流子的分离效率,从而加快了O2的还原和苯酚的降解. 展开更多
关键词 氧化铋 钨酸铋 光催化 电荷转移 有机物降解
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电阻开关式非挥发性随机存储器的机理及其材料 被引量：6
5
作者 季振国 陈伟峰 毛启楠 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期195-204,共10页
在众多新型非挥发存储器中,电阻式存储器具有结构简单,存储密度高,读写速度快,数据保持时间长,制作方法与传统CMOS工艺兼容性好等优点成为研究的热点。本文简要回顾了电阻式存储器器件的结构、机制、材料以及制备方法,并讨论了电阻式存... 在众多新型非挥发存储器中,电阻式存储器具有结构简单,存储密度高,读写速度快,数据保持时间长,制作方法与传统CMOS工艺兼容性好等优点成为研究的热点。本文简要回顾了电阻式存储器器件的结构、机制、材料以及制备方法,并讨论了电阻式存储器的单极性和双极性电阻开关特性,最后着重介绍了电阻开关特性的块体主导机制和界面主导机制。 展开更多
关键词 电阻式存储器 非挥发性 随机存储器 电阻开关
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纳米La-Bi-Te热电材料的溶剂热合成及其表征 被引量：3
6
作者 吉晓华 赵新兵 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期951-954,1008,共5页
以氯化铋、碲粉、氯化镧或氧化镧为原料,采用180℃溶剂热合成和400℃、50MPa、1h热压技术制备了含稀土的新型Bi2Te3基热电材料.TEM、SEM和XRD分析显示,溶剂热合成产物为Bi2Te3基化合物、LaTe以及单质Bi、Te的混合物,颗粒尺寸约30nm.在... 以氯化铋、碲粉、氯化镧或氧化镧为原料,采用180℃溶剂热合成和400℃、50MPa、1h热压技术制备了含稀土的新型Bi2Te3基热电材料.TEM、SEM和XRD分析显示,溶剂热合成产物为Bi2Te3基化合物、LaTe以及单质Bi、Te的混合物,颗粒尺寸约30nm.在热压过程中粉末继续反应形成单相的含La三元Bi2Te3,其晶体结构与二元Bi2Te3相同.热压后的微观组织为随机取向的层片状晶粒,层片厚度在100nm以下,电学参数测量表明,材料的热电功率因子在180℃时达到最大值2×10-4W·m·K-2. 展开更多
关键词 半导体材料 热电材料 溶剂热合成 BI2TE3 稀土 热电性能
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具有RHEED在线监控功能的超高真空CVD系统及3＂硅片低温外延研究 被引量：5
7
作者 叶志镇 曹青 +5 位作者 张侃 赵炳辉 李剑光 阙端麟 谢琪 雷震霖 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第12期932-935,共4页
本文报道了自己研制的一台超高真空化学汽相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统，本底真空达１０－７Ｐａ．该系统配有反射高能电子衍射仪，可对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控．利用该设备进行了硅低温外延实验，生长温度为７８... 本文报道了自己研制的一台超高真空化学汽相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统，本底真空达１０－７Ｐａ．该系统配有反射高能电子衍射仪，可对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控．利用该设备进行了硅低温外延实验，生长温度为７８０℃，得到了表面平整、缺陷密度低、界面杂质分布陡峭的薄外延层． 展开更多
关键词 硅片 低温外延 CVD RHEED 在线监控
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石墨烯制备与带隙调控的研究进展 被引量：5
8
作者 焦小亮 张悦炜 +3 位作者 何潺 徐剑峰 杨靖霞 洪樟连 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期12-17,共6页
石墨烯的独特结构和性能使其在纳米电子、半导体器件等领域中的研究成为热点课题。综述了石墨烯的结构特性及制备方法,重点评述了石墨烯带隙调控的方法及其原理,概括了各种方法可实现的带隙调节范围及研究现状,并介绍了半导体石墨烯在... 石墨烯的独特结构和性能使其在纳米电子、半导体器件等领域中的研究成为热点课题。综述了石墨烯的结构特性及制备方法,重点评述了石墨烯带隙调控的方法及其原理,概括了各种方法可实现的带隙调节范围及研究现状,并介绍了半导体石墨烯在纳米电子器件上的应用前景,提出今后值得关注的研究方向。 展开更多
关键词 石墨烯 半导体 禁带宽度 带隙调控 纳米电子器件
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生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响 被引量：1
9
作者 卢洋藩 叶志镇 +3 位作者 曾昱嘉 徐伟中 朱丽萍 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期275-278,共4页
研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响.
关键词 ZNO P型掺杂 金属有机化学气相沉积 射频等离子体
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溅射压强对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响 被引量：1
10
作者 马全宝 朱丽萍 +4 位作者 叶志镇 何海平 王敬蕊 胡少华 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期285-288,共4页
通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的ZnO:Ga薄膜具有C轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明,ZnO:Ga... 通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的ZnO:Ga薄膜具有C轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明,ZnO:Ga薄膜的形貌强烈依赖于沉积压强的变化.沉积的ZnO:Ga薄膜最低电阻率可达4.48×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透射率超过90%. 展开更多
关键词 ZNO:GA 透明导电氧化物薄膜 磁控溅射 光电特性
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衬底温度对全氟取代酞菁锌固体薄膜微结构的影响 被引量：3
11
作者 陈顺国 孙景志 +1 位作者 黄骥 汪茫 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期511-514,共4页
用 UV-Vis光谱、 X射线衍射 (XRD)和原子力显微镜 (AFM)对全氟取代酞菁锌 (F1 6 Pc Zn)在不同温度下的石英衬底上的分子堆砌方式进行了研究 ,F1 6 Pc Zn分子沉积按 3个阶段进行 .首先通过 F-原子与石英衬底的强相互作用形成“card-pack... 用 UV-Vis光谱、 X射线衍射 (XRD)和原子力显微镜 (AFM)对全氟取代酞菁锌 (F1 6 Pc Zn)在不同温度下的石英衬底上的分子堆砌方式进行了研究 ,F1 6 Pc Zn分子沉积按 3个阶段进行 .首先通过 F-原子与石英衬底的强相互作用形成“card-packing”奠基层 ,进而形成“amorphous accumulation”过渡层 ,最后形成有序的“brick-stacking”结晶层 .三种分子堆砌方式对应的吸收光谱谱峰分别出现在 640 ,670和 81 0 nm附近 . 81 0nm附近吸收峰形状的变化说明衬底温度升高有利于“brick-stacking”堆砌方式的实现 ,AFM观察的结果证实衬底温度升高使结晶微畴增大 .常温下结晶层中分子以单斜点阵平行排列 ,点阵常数 a为 1 .494nm ,在2 5 0～ 3 0 0℃下分子发生位型微调 ,F1 6 Pc Zn分子采取更致密的堆积方式 (a=1 .42 8nm) . 展开更多
关键词 分子堆砌 表面形貌 薄膜
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2023年中国光伏技术进展综述 被引量：1
12
作者 王一波 赵颖 +9 位作者 汪雷 王文静 辛颢 李美成 茆美琴 苏建徽 张彦虎 董颖华 吕俊 李海玲 《太阳能》 2024年第7期8-19,共12页
2023年中国光伏技术发展迅速,从晶体硅、硅片、晶体硅太阳电池及其光伏组件、薄膜太阳电池及其光伏组件、新型太阳电池、光伏发电系统集成与应用、光伏功率变换器及平衡部件、光伏电站全生命周期数智化技术、光伏发电标准及实证测试、... 2023年中国光伏技术发展迅速,从晶体硅、硅片、晶体硅太阳电池及其光伏组件、薄膜太阳电池及其光伏组件、新型太阳电池、光伏发电系统集成与应用、光伏功率变换器及平衡部件、光伏电站全生命周期数智化技术、光伏发电标准及实证测试、太阳电池光电转换效率等方面对2023年中国光伏技术发展情况进行了系统总结,客观描绘了中国光伏技术创新地图全貌。得到以下结论:1)三氯氢硅法(改良西门子法)和硅烷法技术的能耗指标达到国际先进水平,多次装料拉晶(RCz)技术仍是主要的硅棒生产方式,结合颗粒硅料的连续直拉单晶(CCz)技术持续取得进展。2)n型太阳电池的市场份额快速增加,TOPCon太阳电池大规模量产,HJT太阳电池产能持续增加,BC太阳电池实现批量生产。晶体硅太阳电池、钙钛矿太阳电池、钙钛矿/硅叠层太阳电池、CZTSSe薄膜太阳电池、有机太阳电池等太阳电池的光电转换效率屡创世界纪录。3)多层次立体化光伏发电应用体系不断丰富,大型地面光伏电站、分布式光伏电站、海上漂浮式光伏电站、天基/空间光伏发电系统、山地光伏电站等多元化应用模式蓬勃发展。 展开更多
关键词 光伏发电 太阳电池 光伏组件 光电转换效率 系统集成
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下电极对ZnO薄膜电阻开关特性的影响 被引量：5
13
作者 李红霞 陈雪平 +3 位作者 陈琪 毛启楠 席俊华 季振国 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期392-397,共6页
本文采用直流磁控溅射法在三种不同的下电极(BEs)上制备了ZnO薄膜,获得了W/ZnO/BEs存储器结构.研究了不同的下电极材料对器件电阻开关特性的影响.研究结果表明,以不同下电极所制备的器件都具有单极性电阻开关特性.在低阻态时,ZnO薄膜的... 本文采用直流磁控溅射法在三种不同的下电极(BEs)上制备了ZnO薄膜,获得了W/ZnO/BEs存储器结构.研究了不同的下电极材料对器件电阻开关特性的影响.研究结果表明,以不同下电极所制备的器件都具有单极性电阻开关特性.在低阻态时,ZnO薄膜的导电机理为欧姆传导,而高阻态时薄膜的导电机理为空间电荷限制电流.不同下电极与ZnO薄膜之间的肖特基势垒高度对电阻开关过程中的操作电压有较大的影响,并基于导电细丝模型对不同下电极上ZnO薄膜的低阻态阻值及reset电流的变化进行了解释. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 电阻开关 下电极
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量子点显示——中国显示行业“换道超车”的曙光 被引量：4
14
作者 金一政 彭笑刚 《浙江大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期635-637,共3页
用量子点进行显示具有高性能、低成本等优势.作为一项"颠覆性技术",量子点显示将在显示行业掀起一场技术革命,为我国显示产业突破国外技术和专利封锁,占据产业科技制高点,实现"换道超车"提供了良好的契机.主要介绍... 用量子点进行显示具有高性能、低成本等优势.作为一项"颠覆性技术",量子点显示将在显示行业掀起一场技术革命,为我国显示产业突破国外技术和专利封锁,占据产业科技制高点,实现"换道超车"提供了良好的契机.主要介绍了量子点发光显示关键材料与器件研究的相关进展,以及其在中国显示行业的应用现状与前景. 展开更多
关键词 量子点 显示 发光二极管 溶液加工 色纯度
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PLD法制备锑掺杂p型ZnO薄膜 被引量：1
15
作者 潘新花 叶志镇 +2 位作者 朱丽萍 顾修全 何海平 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期279-281,共3页
采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上生长了掺锑(Sb)的p型ZnO薄膜.X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性,霍尔测试表明ZnO薄膜呈p型导电特性,XPS分析表明Sb掺入了ZnO薄膜,且Sb掺人ZnO中是占据Zn的位置,而不是O的晶格位置.通过... 采用脉冲激光沉积方法在石英衬底上生长了掺锑(Sb)的p型ZnO薄膜.X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性,霍尔测试表明ZnO薄膜呈p型导电特性,XPS分析表明Sb掺入了ZnO薄膜,且Sb掺人ZnO中是占据Zn的位置,而不是O的晶格位置.通过优化温度获得了电学性能优良的p型ZnO薄膜,其电阻率为2.21Ω·cm,迁移率为1.23cm2/(V·s),空穴浓度为2.30×1018cm-3. 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 p-ZnO 锑掺杂
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脉冲激光沉积法Li-N双受主共掺p型ZnO薄膜的生长及其特性
16
作者 张银珠 叶志镇 +3 位作者 吕建国 何海平 顾修全 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期322-325,共4页
采用脉冲激光沉积技术制备了Li-N双受主共掺杂p型ZnO薄膜,其中Li来自Li掺杂ZnO陶瓷靶,N来自N2O生长气氛.室温Hall测试发现Li-N共掺p型ZnO薄膜的最低电阻率为3.99Ω·cm,迁移率为0.17cm2/(V·s),空穴浓度为9.12×1018cm-3.P... 采用脉冲激光沉积技术制备了Li-N双受主共掺杂p型ZnO薄膜,其中Li来自Li掺杂ZnO陶瓷靶,N来自N2O生长气氛.室温Hall测试发现Li-N共掺p型ZnO薄膜的最低电阻率为3.99Ω·cm,迁移率为0.17cm2/(V·s),空穴浓度为9.12×1018cm-3.PL谱测试发现了与Li受主和N受主态相关的发光峰,其受主能级分别约为120和222meV.由p-ZnO:(Li,N)薄膜制备的ZnO同质p-n结具有整流特性. 展开更多
关键词 Li-N双受主共掺杂 p-ZnO 脉冲激光沉积
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PLD法合成MgxZn1-xO纳米柱阵列
17
作者 顾修全 朱丽萍 +3 位作者 叶志镇 何海平 张银珠 赵炳辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期329-332,共4页
使用脉冲激光沉积法(PLD)在Si(100)衬底上无催化生长出了MgxZn1-xO纳米柱阵列.扫描电镜结果发现:在较大的范围内,直径为30～50nm、长度约为60nm均匀分布的纳米柱阵列生长在一层厚度约为70nm的纳米晶薄膜上.XRD结果中的(002)峰和PL谱中... 使用脉冲激光沉积法(PLD)在Si(100)衬底上无催化生长出了MgxZn1-xO纳米柱阵列.扫描电镜结果发现:在较大的范围内,直径为30～50nm、长度约为60nm均匀分布的纳米柱阵列生长在一层厚度约为70nm的纳米晶薄膜上.XRD结果中的(002)峰和PL谱中的带边发射峰相对于纯ZnO薄膜都发生了不同程度的偏移,表明了Mg组分的掺入改变了ZnO的晶格常数和带隙宽度.分析了MgxZn1-xO纳米柱的生长机制. 展开更多
关键词 PLD ZNO 能带工程 纳米材料
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原位分散法制备纳米SiO2改性涂料及其光老化性能 被引量：3
18
作者 陈海锋 王智宇 +2 位作者 陈建军 樊先平 钱国栋 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期9-12,共4页
室温下以正硅酸乙酯(TEOS)、乙醇和氨水为原料,通过改性Stober方法制备了含粒径200 nm、无团聚、均匀分散的纳米SiO2球形粒子的浓缩液,使用这种稳定的纳米浓缩液制备了纳米SiO2改性聚丙烯酸酯(PEA)涂膜:紫外可见光谱分析表明,该纳米SiO... 室温下以正硅酸乙酯(TEOS)、乙醇和氨水为原料,通过改性Stober方法制备了含粒径200 nm、无团聚、均匀分散的纳米SiO2球形粒子的浓缩液,使用这种稳定的纳米浓缩液制备了纳米SiO2改性聚丙烯酸酯(PEA)涂膜:紫外可见光谱分析表明,该纳米SiO2粒子对200 nm～400 nm的紫外光具有强烈的屏蔽作用,可以大幅度提高pEA膜在紫外辐照下的耐老化性能.使用以纳米SiO2粒子的浓缩液为纳米改性添加剂的原位分散法纳米涂料制备工艺,制备了纳米SiO2改性PEA外墙涂料;按GB/T9755-2001国家标准的人工老化性能测试表明,原位分散法纳米SiO2改性PEA外墙涂料人工老化1 800 h无粉化,远超国标优等品600 h的要求. 展开更多
关键词 原位分散法 纳米SIO2 光老化性
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硅、锗材料在Si(100)表面的生长研究 被引量：3
19
作者 汪雷 唐景昌 +2 位作者 杨德仁 王学森 胡艳芳 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2002年第2期104-106,111,共4页
利用扫描隧道显微镜和超高真空实验装置系统进行了Si(10 0 )表面生长Si,Ge的实验研究。分析了所生成表面的形貌、结构等物理性质。研究表明 :Si在Si(10 0 )表面的同质生长可以形成纳米结构薄膜。Ge在Si(10 0 )表面生长形成规则的三维小... 利用扫描隧道显微镜和超高真空实验装置系统进行了Si(10 0 )表面生长Si,Ge的实验研究。分析了所生成表面的形貌、结构等物理性质。研究表明 :Si在Si(10 0 )表面的同质生长可以形成纳米结构薄膜。Ge在Si(10 0 )表面生长形成规则的三维小岛。而在Si/Ge/Si(10 0 )多层膜上生长则形成大小二种三维岛。 展开更多
关键词 锗 硅 扫描隧道显微镜 半导体材料 表面生长 半导体薄膜 结构
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用PLD方法制备Li掺杂的p型ZnMgO
20
作者 仇明侠 叶志镇 +2 位作者 顾修全 何海平 朱丽萍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期326-328,共3页
在玻璃衬底上用PLD方法成功制备出具有高度(0002)取向性的、晶体质量较好的Li掺杂为0.4%的p型 Zn0.8Mg0.2O薄膜.衬底温度对薄膜的电学性能及结晶质量有重要影响,实验表明:在500℃时薄膜的电学性能最好,其载流子浓度为5.1×1018cm-3... 在玻璃衬底上用PLD方法成功制备出具有高度(0002)取向性的、晶体质量较好的Li掺杂为0.4%的p型 Zn0.8Mg0.2O薄膜.衬底温度对薄膜的电学性能及结晶质量有重要影响,实验表明:在500℃时薄膜的电学性能最好,其载流子浓度为5.1×1018cm-3,电阻率为6.58Ω·cm,霍尔迁移率为0.189cm2/(V·s),且制备出的薄膜在可见光区具有90%的高透射率及在室温下光学禁带宽度3.625eV. 展开更多
关键词 Li掺杂 PLD方法 p型ZnMgO
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