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TiN镀膜玻璃的常压化学气相沉积法制备及其光电性能研究 被引量：8
1
作者 张涛 赵高凌 韩高荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期309-311,共3页
本研究以TiCl4和NH3为反应气体,N2为保护气氛,用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃基板上沉积制备得到了一系列不同反应温度和原料浓度的TiN薄膜。利用X射线衍射(XRD)和方块电阻仪研究了反应温度和原料浓度对薄膜结晶性能和电性能的影响... 本研究以TiCl4和NH3为反应气体,N2为保护气氛,用常压化学气相沉积法(APCVD)在玻璃基板上沉积制备得到了一系列不同反应温度和原料浓度的TiN薄膜。利用X射线衍射(XRD)和方块电阻仪研究了反应温度和原料浓度对薄膜结晶性能和电性能的影响规律。研究结果表明随着基板温度升高、TiCl4浓度的增加,薄膜结晶性能提高,同时电阻率降低。在反应温度为600℃时得到了结晶性能较好的TiN薄膜,其方块电阻为186.7Ω,红外光反射率为0.2526。 展开更多
关键词 TIN 常压化学气相沉积 方块电阻
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两步沉淀法合成锆钛酸铅相形成的反应机理 被引量：2
2
作者 徐刚 赵高凌 +3 位作者 翁文剑 杜丕一 沈鸽 韩高荣 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期733-738,共6页
用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)研究了两步沉淀法合成钙钛矿相锆钛酸铅(PbZrxTi1–xO3,PZT)的相形成机理和准结晶学相界。结果显示:两步沉淀法合成的PZT粉体为纯钙钛矿相,低温煅烧时,优先形成菱方相PZT。XRD分析结果表明:900℃煅... 用X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)研究了两步沉淀法合成钙钛矿相锆钛酸铅(PbZrxTi1–xO3,PZT)的相形成机理和准结晶学相界。结果显示:两步沉淀法合成的PZT粉体为纯钙钛矿相,低温煅烧时,优先形成菱方相PZT。XRD分析结果表明:900℃煅烧合成的PZT粉体,摩尔组成在0.47≤x≤0.55范围时,菱方相和四方相共存,两相相等的组成点为x=0.515。基于PbO–PZT和PZT–ZrxTi1–xO3(ZT)2个反应界面以及离子扩散,提出了关于两步沉淀法合成PZT相形成反应机理的模型。 展开更多
关键词 锆钛酸铅 铁电 准结晶学相界 X射线衍射 合成
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GaAs MESFET自升温效应的分析 被引量：1
3
作者 王静 程思琪 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期80-85,共6页
分析了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ由于沟道电流功耗而引起的器件自升温效应。以基本的Ｐｏｉｓｏｎ方程、电流方程及热流方程为基础，采用二维数值分析法，确定了器件内部自升温效应下的温度分布特点，以及决定器件自升温幅度的主要因素。
关键词 自升温效应 MESFET 微波半导体器件
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喷流床中喷动气入口出料规律的研究
4
作者 刘华彦 王樟茂 +1 位作者 赵炳辉 阙端麟 《化学反应工程与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期293-299,共7页
在３００ｍｍ的喷流床中，用砂作为流化颗粒，以空气作为流化和喷动气，考察了流化气速、喷动气速、静床高、大颗粒浓度及锥形气体分布器开孔率等对大颗粒在喷动气入口管出料量的影响。从而提出大颗粒下料速率的经验关联式为ｖｐ＝１... 在３００ｍｍ的喷流床中，用砂作为流化颗粒，以空气作为流化和喷动气，考察了流化气速、喷动气速、静床高、大颗粒浓度及锥形气体分布器开孔率等对大颗粒在喷动气入口管出料量的影响。从而提出大颗粒下料速率的经验关联式为ｖｐ＝１．９５３×１０－３ｃｂ（Ｕｓ／ｕｔ）－１４．３５ｅｘｐ（－１．３２Ｕｆ／Ｕｍｆ）维持喷动流化床不出料的最小喷动气速计算式为Ｕｓｍｉｎ／ｕｔ＝０．２３１Ｕｆ／Ｕｍｆ＋０． 展开更多
关键词 喷流床 出料规律 喷动流化床 喷动气速
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微机电系统及相关技术的研究现状与发展方向
5
作者 胡幸鸣 叶志镇 《机电工程》 CAS 1995年第4期49-51,共3页
本文分析了微机电系统的特点与先进性，着重介绍了美国麻省理工学院（ＭＩＴ）在微机电系统与技术方面具有国际先进水平的研究成果。
关键词 微机电系统 制造 发展
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