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8-信道MMI阵列波导光栅复用/解复用器的研制(英文) 被引量：2
1
作者 马慧莲 杨建义 +1 位作者 江晓清 王明华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期38-42,共5页
本文首先详细分析了基于自镜象效应的 MMI DMUX器件的基本工作原理 ,在此基础上 ,在 Ga As/Ga Al As系材料上完成了对 8信道 MMI DMUX的具体设计 .该器件的输入、输出单模波导和 SIE多模波导采用离散谱折射率法进行优化设计 ,最后获得... 本文首先详细分析了基于自镜象效应的 MMI DMUX器件的基本工作原理 ,在此基础上 ,在 Ga As/Ga Al As系材料上完成了对 8信道 MMI DMUX的具体设计 .该器件的输入、输出单模波导和 SIE多模波导采用离散谱折射率法进行优化设计 ,最后获得了当输入、输出单模波导宽度为 3μm、SIE多模波导宽度和长度分别为 40 μm和 1 731 .45μm时 ,该器件对 8信道波长的隔离度为～ 2 6d B,理论传输损耗为～ 0 .2 4 d B. 展开更多
关键词 阵列波导光栅 复用/解复用器 多模干涉 离散谱折射率法 MMIDMUX器件
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用择优腐蚀技术制作MMI型GaAs光功率分配器 被引量：1
2
作者 马慧莲 杨建义 +1 位作者 李瑾 王明华 《光通信研究》 北大核心 2000年第5期50-53,62,共5页
通过对器件结构进行优化设计和择优腐蚀技术 ,用 H3 PO4 - H2 O2 - H2 O系腐蚀液制作了能直接与单模光纤阵列相耦合的 MMI型 Ga As1× 4光功率分配器 .最后用 1 .3 μm波长的He- Ne激光进行了测试 ,发现该器件基本实现了功率均分要... 通过对器件结构进行优化设计和择优腐蚀技术 ,用 H3 PO4 - H2 O2 - H2 O系腐蚀液制作了能直接与单模光纤阵列相耦合的 MMI型 Ga As1× 4光功率分配器 .最后用 1 .3 μm波长的He- Ne激光进行了测试 ,发现该器件基本实现了功率均分要求 ,功率离散度为 0 .1 55d B. 展开更多
关键词 GAAS 择优腐蚀 MMI型 光功率分配器 光通信
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高亮度红色Ga1-xAlxAs/Ga1-yAlyAs发光二极管研究
3
作者 王明华 康晓黎 +2 位作者 李锡华 陈德华 宋南辛 《光学仪器》 1997年第Z1期107-109,共3页
研制成功了 Ga<sub>1-x</sub>Al<sub>x</sub>As/Ga<sub>1-y</sub>yAl<sub>y</sub>As 双异质结红色(670nm 发光二极管。本项研究采用了具有独创的双层石墨相外延,并改进了电极制作技术... 研制成功了 Ga<sub>1-x</sub>Al<sub>x</sub>As/Ga<sub>1-y</sub>yAl<sub>y</sub>As 双异质结红色(670nm 发光二极管。本项研究采用了具有独创的双层石墨相外延,并改进了电极制作技术,取得了很好的结果。 展开更多
关键词 发光二极管(LED) 高亮度 Ga1-xAlxAs/Ga1-yAlyAs
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高亮度红色Ga_(1-x)Al_xAs/Ga_(1-y)Al_yAs发光二极管研究
4
作者 王明华 廉晓黎 +2 位作者 李锡华 陈德华 宋南辛 《光学仪器》 1997年第4期107-109,共3页
研制成功了Ga1-xAlxAs／Ga1-yAlyAs双异质结红色（670nm发光二极管。本项研究采用了具有独创的双层石墨相外延，并改进了电极制作技术，取得了很好的结果。
关键词 发光二级管 高亮度 镓铝砷 红色
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