ITO薄膜的能带结构和电导特性 被引量：9

1

作者 张治国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期840-845,共6页

从ITO薄膜的电镜照片、XRD分析出发,构造了该材料的平衡及非平衡能带结构简图.用克龙尼克-潘纳模型给出了带尾态分布.通过测量,得到了一个未见报道过的滞回式I-V特性曲线,这个实验值和理论模型给出的值大体相当.分析了I-V特性的形成机制... 从ITO薄膜的电镜照片、XRD分析出发,构造了该材料的平衡及非平衡能带结构简图.用克龙尼克-潘纳模型给出了带尾态分布.通过测量,得到了一个未见报道过的滞回式I-V特性曲线,这个实验值和理论模型给出的值大体相当.分析了I-V特性的形成机制,证明了能带结构模型的合理性.最后,测量了ITO薄膜的温度特性,结果显示,方块电阻与温度的关系曲线斜率从正变化到负. 展开更多

关键词 ITO薄膜 能带结构 I-V特性

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紫外波段高透过率铜铟掺杂SnO_2薄膜的研究 被引量：2

2

作者 张治国 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期8172-8177,共6页

采用反应蒸发的方法,在玻璃、Corning7059玻璃及石英玻璃衬底上制备了SnO2:(Cu,In)透明导电薄膜,对薄膜的各种元素的含量做了分析,给出了各种元素在膜中的分布情况;测量了薄膜的透过率,结果显示个别样品对紫外线有较高透过率,退火过程... 采用反应蒸发的方法,在玻璃、Corning7059玻璃及石英玻璃衬底上制备了SnO2:(Cu,In)透明导电薄膜,对薄膜的各种元素的含量做了分析,给出了各种元素在膜中的分布情况;测量了薄膜的透过率,结果显示个别样品对紫外线有较高透过率,退火过程对透过率有影响.测量了电阻率与温度的关系,同时解释了样品的阻-温特性.对材料的光学带隙与吸收系数的关系做了讨论,给出了用透过率曲线确定光学带隙的简易方法.讨论了扩展态迁移率与迁移率边和费米能级之间的关系.结果显示,用铜、铟掺杂的氧化锡透明导电膜达到了降低成本的目的,个别样品有较宽的带隙. 展开更多

关键词 金属氧化物薄膜 电阻率 光电特性

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高低结的真空制备及霍尔效应的快速测量

3

作者 苏大生 黄锦霞 张治国 《泉州师范学院学报》 2015年第2期84-88,共5页

针对MD-450C型的真空镀膜机不能完成浅PN结的后期工艺处理问题,文章介绍了真空镀膜机的改造以及利用改造后的设备进行高低结的真空制备.通过对四电极霍尔效应样品的桥式等效电路的讨论,得出了浅PN结两侧导电类型同时测量的快速方法.

关键词 高低结 真空制备 霍尔效应 快速测量

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垂直多结光伏型集成硅X射线探测器的实现和实验

4

作者 张治国 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第24期427-435,共9页

介绍垂直多结器件的结构,给出了热迁移制结的工艺条件和结果;介绍了处理器件电极引线的隔离线方法,解决了经过热迁移掺杂后光刻电极套不准的难题,解决了把所有P型区域连接起来的问题,达到了敏感区金属零遮挡的目的.描述了利用展宽电极... 介绍垂直多结器件的结构,给出了热迁移制结的工艺条件和结果;介绍了处理器件电极引线的隔离线方法,解决了经过热迁移掺杂后光刻电极套不准的难题,解决了把所有P型区域连接起来的问题,达到了敏感区金属零遮挡的目的.描述了利用展宽电极尺度的方法实现多单元器件的集成;给出了X光强与光电流电压之间的数学模型和几个重要参数,介绍了器件输出电压与X光强度之间的测量关系,理论与实际情况符合得非常好.最后对测量数据做了分析,证明器件有足够的灵敏度和分辨率. 展开更多

关键词 垂直多结 集成X射线探测器 性能及测量

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锡氧化物电热膜材料能带的研究 被引量：1

5

作者 张治国 《泉州师范学院学报》 2005年第6期34-37,47,共5页

从电热转换元件的电毁现象出发,利用膜材料电性能的各向同性的性质,建立了一维晶粒列模型,给出了晶粒列模型的平衡态能带图和带尾态分布;分析了电子在越过晶间势垒时受到的散射情况.根据带尾态的分布给出了晶粒子大小与材料电导的关系.

关键词 锡氧化物薄膜 能带 晶粒子线度 电导率

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纳米Co/Fe/Cu合金的X射线衍射分析

6

作者 王锋 《泉州师范学院学报》 2003年第2期28-32,共5页

通过X射线衍射和磁电阻测量 ,对快淬法制备的铸态和退火处理的Co15-xFexCu85(X =0 ,3 ,6,9,12 ,15 )系列样品颗粒合金进行了结构和输运性质的研究 .发现了造成Co -Fe -Cu合金输运性质变化的Co、CoFe相分离过程 ,这结果与Co -Fe -Cu合金... 通过X射线衍射和磁电阻测量 ,对快淬法制备的铸态和退火处理的Co15-xFexCu85(X =0 ,3 ,6,9,12 ,15 )系列样品颗粒合金进行了结构和输运性质的研究 .发现了造成Co -Fe -Cu合金输运性质变化的Co、CoFe相分离过程 ,这结果与Co -Fe -Cu合金相图相一致 .在快淬CoFeCu样品中磁电阻效应小于CoCu样品 .条带是多晶体 。 展开更多

关键词 纳米Co/Fe/Cu合金 X射线衍射 铸态 输运性质 相图 磁电阻效应 非均匀相合金

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ZnO薄膜的反应蒸发法制备及其光电特性

7

作者 张治国 《泉州师范学院学报》 2008年第6期29-33,共5页

分析热蒸发时锌液滴在舟内跳动的原因,给出解决问题的方法.用反应蒸发法制备成功ZnO导电薄膜,并给出薄膜的形貌显微照片、XRD图谱、光电效应的测量结果以及其结果与电阻率、薄膜光电子迁移率的关系.

关键词 ZNO薄膜 反应蒸发 光电效应

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纳米氧化锌薄膜掺杂失效的重要因素

8

作者 张治国 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第25期2133-2138,共6页

从纳晶薄膜的形貌出发,根据纳晶氧化锌薄膜的几种构成归纳了几点近似说明.这几点说明旨在把纳晶薄膜和单晶薄膜区分开来,同时利用Kronig-Penney模型计算了纳晶薄膜的带尾态分布,设定了一个特征函数,给出了不同c/b值下带尾态分布图.根据... 从纳晶薄膜的形貌出发,根据纳晶氧化锌薄膜的几种构成归纳了几点近似说明.这几点说明旨在把纳晶薄膜和单晶薄膜区分开来,同时利用Kronig-Penney模型计算了纳晶薄膜的带尾态分布,设定了一个特征函数,给出了不同c/b值下带尾态分布图.根据这些图形的特点进一步分析了纳晶氧化锌薄膜的掺杂失效现象和薄膜成为绝缘体的条件,得出了纳晶氧化锌薄膜的电导出现的条件,也给出了制备P型氧化锌材料的条件.当纳晶晶粒达到微晶量级时,带尾态变得连续起来,回归单晶的特点.最后给出大晶粒材料具有导电优势. 展开更多

关键词 纳米薄膜 氧化锌 掺杂失效

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三元金属氧化物透明导电薄膜的制备及特性

9

作者 张治国 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z2期200-205,共6页

介绍 Sn In Cu 三种金属合金的氧化物薄膜的合成,对各种元素的含量做了分析,证明薄膜的透过率可以和 ITO 薄膜持平,对紫外线有较高透过率。指出了退火过程对透过率的影响.通过对元素能谱的测量,发现薄膜中元素含量与金属的比含量有关.... 介绍 Sn In Cu 三种金属合金的氧化物薄膜的合成,对各种元素的含量做了分析,证明薄膜的透过率可以和 ITO 薄膜持平,对紫外线有较高透过率。指出了退火过程对透过率的影响.通过对元素能谱的测量,发现薄膜中元素含量与金属的比含量有关.对比了薄膜和衬底的元素含量,清楚了测量中出现的疑点。同时也给出了各种元素在膜中的分布情况、电导率与温度的关系.对材料的光学带隙与吸收系数的关系做了描述,对扩展态迁移率与迁移率边和费米能级之间的关系进行了讨论. 展开更多

关键词 金属氧化物 导电膜 反应蒸发 光电特性

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锡氧化物电热膜的过电压耐量问题

10

作者 张治国 《泉州师范学院学报》 2009年第2期25-29,共5页

从电热转换元件的电毁现象出发,利用膜材料电性能的各向同性性质,建立了一维晶粒列模型,给出了晶粒列模型的平衡态能带图和带尾态分布以及在外加电压下的非平衡态能带图,并分析了自由电子在越过晶间势垒时受到的加速和散射的情况.通过... 从电热转换元件的电毁现象出发,利用膜材料电性能的各向同性性质,建立了一维晶粒列模型,给出了晶粒列模型的平衡态能带图和带尾态分布以及在外加电压下的非平衡态能带图,并分析了自由电子在越过晶间势垒时受到的加速和散射的情况.通过导出数学模型,得出了电子束的电毁能量应大于等于晶体结合能的结论,并得到了晶粒子大小不同的膜材料有不同的过电压耐量的比值,为元件的工艺设计、可靠性研究和过电压保护器件研究提供了参考. 展开更多

关键词 锡氧化物薄膜 电热材料 电毁电压比

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用串接电光偏转器提高时空变换装置进行激光脉冲整形的能力 被引量：6

11

作者 曾文章 张生佳 +4 位作者 韦辉 马忠林 许世忠 刘百玉 陈绍和 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期985-988,共4页

介绍了在时空变换装置中用两个电光偏转器串接和并接的工作原理 ,从理论上分析了用其提高激光脉冲整形的能力 ,进行了激光脉冲削波实验 ,实验结果与理论分析一致。用两个偏转器串接后 。

关键词 光电子学 电光偏转器 串接 并接 激光脉冲 整形

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应用MATLAB实现数字水印算法 被引量：3

12

作者 余燕忠 王新伟 《电子科技》 2004年第6期27-32,共6页

介绍了数字水印算法中常用的 MATLAB 函数,应用 MATLAB 语言实现了一个空间域数字水印算法的嵌入、提取和攻击过程,并给出了程序运行的结果。

关键词 MATLAB 空间域算法 数字水印

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基于CRC码的脆弱数字水印算法

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作者 余燕忠 陈世煜 刘良坤 《计算机应用研究》 CSCD 北大核心 2005年第9期144-146,共3页

提出了一个用于珍贵作品完整性认证的脆弱数字水印算法。其特点是在认证时不需要原始水印,理论和实验结果证实所提算法具有很强的认证能力。

关键词 脆弱数字水印 CRC码 认证

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颗粒合金膜Co_(20)Ni_xCu_(80-x)巨磁电阻和磁性能

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作者 王锋 张志东 《真空》 CAS 北大核心 2006年第4期55-57,共3页

研究了用快淬制备的铸态和退火处理后的颗粒合金膜Co20N ixCu80-x(0≤X≤20)的磁电阻和磁性能。与高N i的样品相反的是,低N i的样品在低温下ΔR/R上升。无论低N i或高N i样品的剩余磁化强度M r和矫顽力HC都随退火温度的上升而增加。

关键词 巨磁电阻 快淬 颗粒合金膜

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SiO_2:Er和Si_xO_2:Er薄膜室温Er^(3+)1.54μm波长的电致发光

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作者 袁放成 冉广照 +6 位作者 陈源 戴伦 乔永平 张伯蕊 秦国刚 马振昌 宗婉华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期492-495,共4页

在 n+ -Si衬底上用磁控溅射淀积掺 Er氧化硅 (Si O2 :Er)薄膜和掺 Er富硅氧化硅 (Six O2 :Er,x>1 )薄膜 ,薄膜经适当温度退火后 ,蒸上电极 ,形成发光二极管 (LED)。室温下在大于 4V反偏电压下发射了来自 Er3+的 1 .5 4μm波长的红外... 在 n+ -Si衬底上用磁控溅射淀积掺 Er氧化硅 (Si O2 :Er)薄膜和掺 Er富硅氧化硅 (Six O2 :Er,x>1 )薄膜 ,薄膜经适当温度退火后 ,蒸上电极 ,形成发光二极管 (LED)。室温下在大于 4V反偏电压下发射了来自 Er3+的 1 .5 4μm波长的红外光。测量了由 Si O2 :Er/n+ -Si样品和 Six O2 :Er/n+ -Si样品分别制成的两种 LED,其 Er3+1 .5 4μm波长的电致发光峰强度 ,后者明显比前者强。还发现电致发光强度与 Si O2 :Er/n+ -Si样品和 Six O2 :Er/n+ 展开更多

关键词 铒 富硅氧化硅 电致发光 纳米硅

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