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题名退火条件对Sn量子点生长和红外光学性质的影响
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作者
赵希磊
梁勇
张忠锁
黄高鹏
王科范
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机构
河南大学微系统物理研究所和光伏材料省重点实验室
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出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第14期19-21,36,共4页
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基金
教育部"博士生创新计划"同步辐射研究生创新基金资助项目(20090655S)
河南大学省部共建项目(SBGJ090514)
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文摘
首次采用固相外延生长技术在Si(001)表面直接生长Sn量子点,并应用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和同步辐射傅里叶红外光谱(FTIR)研究了退火条件对量子点样品的表面形貌、结晶性和红外光学性质的影响。AFM结果表明,随着退火温度的升高和退火时间的延长,量子点的平均尺寸变大,面密度减小。XRD结果显示,外延得到的Sn量子点为四方结构的β-Sn,与衬底的相对取向为Sn(110)//Si(001)。由于β-Sn量子点的尺寸仍较大,同步辐射FTIR谱中没有观察到量子点的特征吸收峰。
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关键词
Sn量子点
固相外延
同步辐射红外光谱
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Keywords
Sn quantum dot, solid phase epitaxy, synchrotron FTIR
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分类号
O782.8
[理学—晶体学]
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题名Sn量子点的研究进展
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作者
赵希磊
王科范
张伟风
顾玉宗
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机构
河南大学微系统物理研究所和光伏材料省重点实验室
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出处
《材料导报（纳米与新材料专辑）》
EI
2010年第1期74-76,84,共4页
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基金
教育部"博士生创新计划"同步辐射研究生创新基金资助项目(20090655S)
河南大学省部共建项目(SBGJ090514)
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文摘
Sn量子点可用于制作单电子器件、高密度存储单元、红外探测器以及发射器等,具有重要的研究意义。介绍了离子注入、分子束外延、磁控溅射和固相外延等各种制备Sn量子点的生长技术,综述了Sn量子点的光学性质、电学性质以及理论计算研究结果,指出了Sn量子点研究面临的关键问题以及研究方向。
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关键词
Sn量子点
生长技术
光学性质
电学性质
理论计算
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Keywords
Sn quantum dot, growth technique, optical property, electrical property, theoretical calculation
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分类号
TN4
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名化学腐蚀法制备ZnO量子点及其光学性质研究
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作者
赵希磊
王科范
张伟风
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机构
安徽省地震局
河南大学微系统物理研究所和光伏材料省重点实验室
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出处
《材料导报（纳米与新材料专辑）》
EI
CAS
2014年第2期27-29,共3页
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基金
安徽省地震局科研合同制项目资助项目(201415)
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文摘
采用化学腐蚀法调节ZnO量子点尺寸,并成功观察到量子限制效应。实验结果表明,在未添加表面活性剂样品的PL谱上未观察到发光峰的移动;而添加表面活性剂后,ZnO量子点样品的发光峰随尺寸减小而蓝移,出现了明显的量子限制效应。另外,PL谱中的带隙增加量与采用有效质量模型的理论计算结果一致。
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关键词
ZnO量子点
化学腐蚀法
PL谱
TEM图像
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Keywords
ZnO quantum dot, chemical etching method, PL spectra, TEM image
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分类号
TN304.2
[电子电信—物理电子学]
O6-339
[理学—化学]
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