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短沟道器件阈电压模型
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作者 孙彦卿 石广源 +1 位作者 唐仁兴 李蓬 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 1988年第3期20-25,共6页
本文从yau的模型出发,推导出短沟道MOSFET阈电压表达式:得到了与实验一致的结果;并发现,短沟道器件更适合于低温下工作。
关键词 阈电压 表面势 层电荷 电压模型 短沟效应 硅栅 开关速度 按比例缩小 功函数 模型理论
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