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InGaN绿光LED中p型GaN层的优化设计
1
作者
郝锐
马学进
+2 位作者
马昆旺
周仕忠
李国强
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期20-24,共5页
InGaN绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得该结构的稳定性下降。由于量子阱结构生长完成之后的p型GaN的生长温度要远高于量子阱结构生长温度,因此,p型GaN的生长过程对多量子阱质量有重大影响。论文...
InGaN绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得该结构的稳定性下降。由于量子阱结构生长完成之后的p型GaN的生长温度要远高于量子阱结构生长温度,因此,p型GaN的生长过程对多量子阱质量有重大影响。论文探讨了p型GaN的生长温度与厚度对绿光LED的材料结构及器件性能的影响。研究发现,p-GaN过高的生长温度和过大的厚度都能加剧多量子阱结构中In组分的波动,使得发光峰宽化,同时降低绿光量子阱的发光效率。论文据此提出了优化的p型GaN生长温度与厚度,探讨了量子阱保护层对InGaN绿光LED性能的影响,该结构有利于增强绿光LED发光波长的稳定性。
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关键词
INGAN
绿光LED
P型GAN
外延生长
X射线衍射
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职称材料
垒层Si掺杂对多量子阱InGaN绿光LED性能的影响
2
作者
郝锐
马学进
+2 位作者
马昆旺
林志霆
李国强
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期186-189,263,共5页
InGaN系绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得绿光器件的量子限制Stark效应更显著。对内建电场的屏蔽可以有效提高载流子的辐射复合效率。论文探讨了绿光多量子阱中垒层的Si掺杂对绿光器件性能的影响...
InGaN系绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得绿光器件的量子限制Stark效应更显著。对内建电场的屏蔽可以有效提高载流子的辐射复合效率。论文探讨了绿光多量子阱中垒层的Si掺杂对绿光器件性能的影响。研究发现,多量子阱中垒层适度Si掺杂(3.4×1016 cm-3)可以改善多量子阱结构界面质量和In组分波动,在外加正向电流的作用下更大程度地屏蔽极化电场;同时,还能够增强电流的横向扩展性,提高活化区的有效发光面积。然而,多量子阱中垒层的过度Si掺杂对于绿光LED器件的性能带来诸多的负面影响,比如加剧阱垒晶格失配、漏电途径明显增加等,致使器件光效大幅度降低。
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关键词
绿光LED
INGAN
多量子阱
Si掺杂
量子限制Stark效应
下载PDF
职称材料
题名
InGaN绿光LED中p型GaN层的优化设计
1
作者
郝锐
马学进
马昆旺
周仕忠
李国强
机构
华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室
江门
市
奥伦
德光
电
有限公司
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期20-24,共5页
基金
国家自然科学基金项目(51002052)
广东省重大科技专项项目(2011A080801018)
广东省战略新兴产业LED专项资金项目(2011A0813010101)
文摘
InGaN绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得该结构的稳定性下降。由于量子阱结构生长完成之后的p型GaN的生长温度要远高于量子阱结构生长温度,因此,p型GaN的生长过程对多量子阱质量有重大影响。论文探讨了p型GaN的生长温度与厚度对绿光LED的材料结构及器件性能的影响。研究发现,p-GaN过高的生长温度和过大的厚度都能加剧多量子阱结构中In组分的波动,使得发光峰宽化,同时降低绿光量子阱的发光效率。论文据此提出了优化的p型GaN生长温度与厚度,探讨了量子阱保护层对InGaN绿光LED性能的影响,该结构有利于增强绿光LED发光波长的稳定性。
关键词
INGAN
绿光LED
P型GAN
外延生长
X射线衍射
Keywords
InGaN
green LED
p-GaN
epitaxial growth
X-ray diffraction
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
垒层Si掺杂对多量子阱InGaN绿光LED性能的影响
2
作者
郝锐
马学进
马昆旺
林志霆
李国强
机构
华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室
江门
奥伦
德光
电
有限公司
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第2期186-189,263,共5页
基金
国家自然科学基金项目(51002052)
广东省重大科技专项项目(2011A080801018)
广东省战略新兴产业LED专项资金项目(2011A081301014)
文摘
InGaN系绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得绿光器件的量子限制Stark效应更显著。对内建电场的屏蔽可以有效提高载流子的辐射复合效率。论文探讨了绿光多量子阱中垒层的Si掺杂对绿光器件性能的影响。研究发现,多量子阱中垒层适度Si掺杂(3.4×1016 cm-3)可以改善多量子阱结构界面质量和In组分波动,在外加正向电流的作用下更大程度地屏蔽极化电场;同时,还能够增强电流的横向扩展性,提高活化区的有效发光面积。然而,多量子阱中垒层的过度Si掺杂对于绿光LED器件的性能带来诸多的负面影响,比如加剧阱垒晶格失配、漏电途径明显增加等,致使器件光效大幅度降低。
关键词
绿光LED
INGAN
多量子阱
Si掺杂
量子限制Stark效应
Keywords
green LEDs
InGaN
MQWs
Si-doping
QCSE
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InGaN绿光LED中p型GaN层的优化设计
郝锐
马学进
马昆旺
周仕忠
李国强
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
下载PDF
职称材料
2
垒层Si掺杂对多量子阱InGaN绿光LED性能的影响
郝锐
马学进
马昆旺
林志霆
李国强
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
下载PDF
职称材料
已选择
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