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Eu掺杂GaN薄膜的阴极荧光特性
被引量:
2
1
作者
韩晶晶
王晓丹
+3 位作者
夏永禄
陈飞飞
李祥
毛红敏
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期1268-1271,共4页
通过MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长Ga N薄膜,利用离子注入方法将Eu3+离子注入到Ga N基质中。X射线衍射结果表明:经过退火处理后,修复了部分离子注入所导致的晶格损伤。利用阴极荧光光谱可得到Ga N:Eu3+材料在623 nm处有很强的红光发射,...
通过MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长Ga N薄膜,利用离子注入方法将Eu3+离子注入到Ga N基质中。X射线衍射结果表明:经过退火处理后,修复了部分离子注入所导致的晶格损伤。利用阴极荧光光谱可得到Ga N:Eu3+材料在623 nm处有很强的红光发射,该发射峰来源于Eu3+离子的内部4f能级跃迁。另外,Eu3+离子注入会在样品中引入电荷转移态,产生408 nm附近的发光。退火处理有助于获得更强的电荷转移态发光和Eu离子特征发光。Ga N基质的黄光峰与Eu离子之间存在能量交换,将能量传递给Eu离子,促进Eu离子发光。
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关键词
氮化镓
阴极荧光
铕
发光
能量传递
下载PDF
职称材料
题名
Eu掺杂GaN薄膜的阴极荧光特性
被引量:
2
1
作者
韩晶晶
王晓丹
夏永禄
陈飞飞
李祥
毛红敏
机构
江苏省
微
纳
热流
技术
与
能源
应用
重点
实验室
苏州
科技
大学
数理学
院
中国科学
院
苏州
纳
米
技术
与
纳
米仿生研究所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期1268-1271,共4页
基金
国家自然科学基金(61306004
51002179)
+3 种基金
江苏省自然科学基金(BK20130263)
江苏省十三五重点学科(20168765)
苏州科技大学科研基金(XKZ201609)
苏州科技大学研究生培养创新工程(SKCX17_034)资助项目~~
文摘
通过MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长Ga N薄膜,利用离子注入方法将Eu3+离子注入到Ga N基质中。X射线衍射结果表明:经过退火处理后,修复了部分离子注入所导致的晶格损伤。利用阴极荧光光谱可得到Ga N:Eu3+材料在623 nm处有很强的红光发射,该发射峰来源于Eu3+离子的内部4f能级跃迁。另外,Eu3+离子注入会在样品中引入电荷转移态,产生408 nm附近的发光。退火处理有助于获得更强的电荷转移态发光和Eu离子特征发光。Ga N基质的黄光峰与Eu离子之间存在能量交换,将能量传递给Eu离子,促进Eu离子发光。
关键词
氮化镓
阴极荧光
铕
发光
能量传递
Keywords
gallium nitride
cathodoluminescence
europium
luminescence
energy transfer
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Eu掺杂GaN薄膜的阴极荧光特性
韩晶晶
王晓丹
夏永禄
陈飞飞
李祥
毛红敏
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
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职称材料
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