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Eu掺杂GaN薄膜的阴极荧光特性 被引量:2
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作者 韩晶晶 王晓丹 +3 位作者 夏永禄 陈飞飞 李祥 毛红敏 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1268-1271,共4页
通过MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长Ga N薄膜,利用离子注入方法将Eu3+离子注入到Ga N基质中。X射线衍射结果表明:经过退火处理后,修复了部分离子注入所导致的晶格损伤。利用阴极荧光光谱可得到Ga N:Eu3+材料在623 nm处有很强的红光发射,... 通过MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长Ga N薄膜,利用离子注入方法将Eu3+离子注入到Ga N基质中。X射线衍射结果表明:经过退火处理后,修复了部分离子注入所导致的晶格损伤。利用阴极荧光光谱可得到Ga N:Eu3+材料在623 nm处有很强的红光发射,该发射峰来源于Eu3+离子的内部4f能级跃迁。另外,Eu3+离子注入会在样品中引入电荷转移态,产生408 nm附近的发光。退火处理有助于获得更强的电荷转移态发光和Eu离子特征发光。Ga N基质的黄光峰与Eu离子之间存在能量交换,将能量传递给Eu离子,促进Eu离子发光。 展开更多
关键词 氮化镓 阴极荧光 发光 能量传递
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