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忆阻器类脑芯片与人工智能 被引量：3
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作者 陈子龙 程传同 +4 位作者 董毅博 张欢 张恒杰 毛旭瑞 黄北举 《微纳电子与智能制造》 2019年第4期58-70,共13页
现阶段计算与存储分离的"冯·诺依曼"体系在功耗和速率方面已经不能满足人工智能、物联网等新技术的发展需求,存算一体化的类脑计算方案有望解决这一问题,迅速成为研究热点。忆阻器是一种新型微电子基础器件,其电阻可通... 现阶段计算与存储分离的"冯·诺依曼"体系在功耗和速率方面已经不能满足人工智能、物联网等新技术的发展需求,存算一体化的类脑计算方案有望解决这一问题,迅速成为研究热点。忆阻器是一种新型微电子基础器件,其电阻可通过外场连续调节且具有非易失性、小尺寸、低能耗、高速和CMOS兼容等优良特性,被认为是快速实现存算一体化计算最具潜力的类突触器件。与此同时,光电子器件和神经元遵从动力学数学同构性,借助这种同构性可用光电子器件模拟神经元行为并实现类脑计算,基于光子器件的类脑芯片正在往更高集成度、更低功耗、更高性能方向发展,其将会在类脑计算领域发挥越来越重要的作用。介绍忆阻器材料和器件方面的研究进展,具体包括石墨烯材料低温生长,小尺寸钙钛矿忆阻器件、Parylene忆阻器件、WTiO_x忆阻器件以及光子集成类突触器件及芯片等方面研究,并讨论忆阻器在类脑芯片和人工智能领域的应用前景。 展开更多
关键词 忆阻器 光电子器件 类脑芯片 人工智能
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