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基于FPGA的自动驾驶HIL视频注入系统设计 被引量：3
1
作者 丁晟 董天天 +1 位作者 郑雪芳 秦昌琪 《电子器件》 CAS 北大核心 2023年第4期1075-1082,共8页
针对在实验室内场条件下,对自动驾驶控制器(ADCU)进行视频场景构造的传统技术手段无法满足硬件在环(HIL)仿真要求的问题,设计了一套基于FPGA的自动驾驶HIL视频注入系统。该系统利用FPGA内丰富的可编程资源和外围高速接口,将计算机显卡... 针对在实验室内场条件下,对自动驾驶控制器(ADCU)进行视频场景构造的传统技术手段无法满足硬件在环(HIL)仿真要求的问题,设计了一套基于FPGA的自动驾驶HIL视频注入系统。该系统利用FPGA内丰富的可编程资源和外围高速接口,将计算机显卡输出的Displayport视频接口转换为车载摄像头低电压差分信号(LVDS)视频接口,从而实现了对ADCU控制器的原位视频注入,满足HIL仿真测试的要求。同时,为了增强视频注入的灵活性,在原始视频中叠加马赛克、泥点、水滴、噪点等特效。根据使用和实测结果,视频注入系统能够实现满足自动驾驶HIL仿真要求的视频注入功能,各类特效叠加效果满足用户要求,为实验室内场条件下的ADCU测试、调试及演示提供了重要的技术手段。 展开更多
关键词 视频注入 HIL 自动驾驶 ADCU FPGA
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MIM电容上下级板一步刻蚀的结构分析
2
作者 沈宇栎 《集成电路应用》 2024年第7期71-73,共3页
阐述在一张光罩下,通过一次干法刻蚀,一步刻蚀出相对面积较小上极板和面积较大下级板的电容物理结构。对比传统的通过两道光罩和两次干法刻蚀形成不同面积的上、下级板结构,新的一步刻蚀方法简化了工艺流程。通过多个试验批次验证,新的... 阐述在一张光罩下,通过一次干法刻蚀,一步刻蚀出相对面积较小上极板和面积较大下级板的电容物理结构。对比传统的通过两道光罩和两次干法刻蚀形成不同面积的上、下级板结构,新的一步刻蚀方法简化了工艺流程。通过多个试验批次验证,新的一步刻蚀物理结构,其上下级板距离能够达到与传统结构一样的效果,防止刻蚀过程中金属反溅影响击穿电压电性能的问题。 展开更多
关键词 MIM电容 干法刻蚀 IPD 物理结构
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电磁吸波与极化转换融合型超表面设计
3
作者 贺云 刘鹏成 +3 位作者 付琴 张芝铭 匡元海 曹昭旺 《重庆理工大学学报（自然科学）》 CAS 北大核心 2024年第3期294-299,共6页
针对微波信号多频带吸收与雷达通信信号兼容性的应用需求,利用人工电磁超表面极大设计自由度的特点,结合电磁吸收和极化转换2种电磁波调控机理,设计了一种多阵列单元融合型超表面结构。采用HFSS电磁仿真软件对超表面的电磁吸收性能和极... 针对微波信号多频带吸收与雷达通信信号兼容性的应用需求,利用人工电磁超表面极大设计自由度的特点,结合电磁吸收和极化转换2种电磁波调控机理,设计了一种多阵列单元融合型超表面结构。采用HFSS电磁仿真软件对超表面的电磁吸收性能和极化转换性能进行仿真,并分析其综合调控机理及宽带吸波特性,提出一种将“工”字开口环极化转换超表面阵列单元引入电阻加载的交叉偶极子超表面单元中的设计方法。融合偶极子超表面在低频段的电磁吸波特性以及“工”字开口环超表面在高频段的电磁极化转换特性,扩展超表面结构的电磁吸波带宽。研究结果表明:超表面结构的吸波范围可覆盖2.08~8.36 GHz和13.32~18.46 GHz双频带,多调控机理融合型电磁超表面设计方法具有可行性。 展开更多
关键词 超表面 电磁吸收 极化转换 宽频带 反射系数
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具有高电流密度的小电流沟槽肖特基势垒二极管 被引量：1
4
作者 庄翔 张超 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期199-204,共6页
研制了一种DFN1006-2L封装的小电流沟槽肖特基势垒二极管,其具有高电流密度、超低正向压降和低漏电特性。与常规平行条状结构排布的沟槽肖特基势垒二极管不同,该器件采用圆形网状结构排布设计,增加了器件中肖特基区域面积,提高了电流密... 研制了一种DFN1006-2L封装的小电流沟槽肖特基势垒二极管,其具有高电流密度、超低正向压降和低漏电特性。与常规平行条状结构排布的沟槽肖特基势垒二极管不同,该器件采用圆形网状结构排布设计,增加了器件中肖特基区域面积,提高了电流密度、降低了正向压降。该器件基于6英寸(1英寸=2.54 cm)CMOS工艺平台制备。与采用SOD-323封装的1 A、40 V平面小电流肖特基势垒二极管B5819WS相比,通过对沟槽结构关键尺寸和工艺条件的设计和优化,封装尺寸缩小88%,电流密度555 A/cm^(2)下正向压降典型值为0.519 V,反向电流100μA下反向击穿电压为48.98 V,反向电压40 V下反向漏电流为3.02μA。该器件具有更高的电流密度,可满足印制电路板(PCB)小型化需求。 展开更多
关键词 沟槽肖特基势垒二极管 正向压降 反向电流 电流密度 方形扁平无引脚(DFN)封装
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关于电子镇流器中两只三极管温度不平衡的讨论
5
作者 华卫生 严研 《中国照明电器》 2009年第1期27-29,共3页
在电子镇流器设计中,逆变电路中上下两只三极管的选配一般以其放大倍数hFE和存储时间ts的一致性为依据,但仍然会出现温度不平衡的现象。本文着重讨论造成不平衡的因素。
关键词 三极管功耗 开关时间 击穿电压 电阻率
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制造企业成本管理存在的问题及对策研究 被引量：1
6
作者 王海霞 《财富生活》 2021年第4期84-85,共2页
随着市场经济的快速发展,企业面临的市场竞争也日趋激烈,部分制造类企业采用的传统管理方式已经不适用于现今的市场环境。要提高企业自身的竞争力,企业必须推进科学的成本管理。作为现代企业管理的一个重要组成部分,企业成本管理贯穿于... 随着市场经济的快速发展,企业面临的市场竞争也日趋激烈,部分制造类企业采用的传统管理方式已经不适用于现今的市场环境。要提高企业自身的竞争力,企业必须推进科学的成本管理。作为现代企业管理的一个重要组成部分,企业成本管理贯穿于企业生产经营活动的全过程,它包括了成本预算、核算、分析、决策与控制等程序。本文先分析了当前我国制造类企业成本管理方面存在的问题,并对这些问题进行深入分析,提出对应的措施建议,以期给企业的成本管理提供一定参考,促进制造类企业的可持续性发展。 展开更多
关键词 制造企业 成本管理 成本预算
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半导体芯片切割加工品质的评价方法分析
7
作者 徐洋 《电子世界》 CAS 2021年第16期51-52,共2页
随着科学技术的迅猛发展,电子信息产业逐渐成为各国主流发展企业投资的对象,所以,作为元器件重要组成部分的半导体芯片的研发和制造也逐渐被重视起来。其中,日本在该领域的科研成果较为突出,通过对日本部分相关著名企业实际生产线的跟... 随着科学技术的迅猛发展,电子信息产业逐渐成为各国主流发展企业投资的对象,所以,作为元器件重要组成部分的半导体芯片的研发和制造也逐渐被重视起来。其中,日本在该领域的科研成果较为突出,通过对日本部分相关著名企业实际生产线的跟进和学习,在对质量控制方法和生产规范等方面进行深入分析后,整理出具有建设性的检测项目和检测方法。为检测关于半导体芯片制造过程中所涉及的新型实验项目和方法的有效性,通过设计完善且详尽的切割实验说明,进行实验验证,对比各项指标的出错率,以实现规范化和标准化的芯片切割加工品质评价过程的开展。同时为优质设计高速切割机和切割工艺提供参考依据。本文通过对半导体芯片的深入研究,结合先进的高速切割设备,以实验为主要研究形式,对芯片切割加工品质进行评价,同时,为高速切割机的合理化设计及切割工艺的改进提出相应的参考建议,最后得出品质评价方法规范化的标准说明。 展开更多
关键词 半导体芯片 电子信息产业 切割加工 切割工艺 科研成果 合理化设计 品质评价 评价方法
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开通脉宽对功率半导体器件双脉冲测试的影响 被引量：1
8
作者 张文亮 余伟 +3 位作者 杨飞 崔雷 廖辰玮 李文江 《机车电传动》 北大核心 2023年第5期152-161,共10页
为更好地开展功率半导体器件的双脉冲测试,文章系统性地研究了开通脉宽对功率半导体器件双脉冲测试的影响。通过理论分析结合仿真验证的方式分别研究了IGBT器件和MOSFET器件开关特性与开通脉宽之间的关系,研究发现,IGBT器件和MOSFET器... 为更好地开展功率半导体器件的双脉冲测试,文章系统性地研究了开通脉宽对功率半导体器件双脉冲测试的影响。通过理论分析结合仿真验证的方式分别研究了IGBT器件和MOSFET器件开关特性与开通脉宽之间的关系,研究发现,IGBT器件和MOSFET器件都会受到关断延时电流偏差和测量自热效应的影响:如果开通脉宽太小,关断延时电流偏差会影响双脉冲测试结果;如果开通脉宽太大,测量自热效应会显著影响双脉冲测试结果;同时,当开通脉宽太小时,IGBT器件的双脉冲测试结果还会额外受到非稳态开关效应影响,而非稳态开关效应会导致测试波形振荡严重,可能损坏器件,但MOSFET器件不会受到非稳态开关效应的影响。研究结果表明,IGBT器件和MOSFET器件都存在一个合理的开通脉宽(或负载电感电感值)范围,在该范围内器件的开关特性几乎不受开通脉宽的影响,而上限临界脉宽建议通过产品手册的热阻抗曲线进行估算,下限临界脉宽建议通过双脉冲实测的方式来确认。 展开更多
关键词 功率半导体器件 双脉冲测试 测量自热效应 非稳态开关效应 关断延时电流偏差
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