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Langmuir单探针诊断射频辉光放电等离子体及其数据处理 被引量：35
1
作者 池凌飞 林揆训 +3 位作者 姚若河 林璇英 余楚迎 余云鹏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期1313-1317,共5页
Langmuir探针是诊断等离子体参数的重要手段 .报道了在氩气射顿 (13 5 6MHz)辉光放电等离子体中使用调谐单探针进行诊断 ,对探针I V特性曲线的统计噪声进行了数字滤波的光滑化处理 ,而后求二次微商 .在相同的放电条件下 ,使用自行设计... Langmuir探针是诊断等离子体参数的重要手段 .报道了在氩气射顿 (13 5 6MHz)辉光放电等离子体中使用调谐单探针进行诊断 ,对探针I V特性曲线的统计噪声进行了数字滤波的光滑化处理 ,而后求二次微商 .在相同的放电条件下 ,使用自行设计的微分电路 ,对探针特性二次微商进行在线测量 .这两种方法得到的二次微商结果能够较好地符合 . 展开更多
关键词 LANGMUIR探针 二次微商 数值滤波 微分电路 数据处理 等离子体 诊断技术
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氢化非晶硅薄膜中氢含量及键合模式的红外分析 被引量：26
2
作者 罗志 林璇英 +4 位作者 林舜辉 余楚迎 林揆训 余云鹏 谭伟锋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期169-174,共6页
Fourier红外透射 (FTIR)谱技术是研究氢化非晶硅 (a Si∶H)薄膜中氢的含量 (CH)及硅—氢键合模式 (Si Hn)最有效的手段 .对用等离子体化学气相沉积 (PCVD)方法在不同的衬底温度 (Ts)下制备出的氢化非晶硅薄膜 ,通过红外透射光谱的基线... Fourier红外透射 (FTIR)谱技术是研究氢化非晶硅 (a Si∶H)薄膜中氢的含量 (CH)及硅—氢键合模式 (Si Hn)最有效的手段 .对用等离子体化学气相沉积 (PCVD)方法在不同的衬底温度 (Ts)下制备出的氢化非晶硅薄膜 ,通过红外透射光谱的基线拟合、高斯拟合分析 ,得到了薄膜中的氢含量 ,硅氢键合模式及其组分 ,并分析了这些参量随衬底温度变化的规律 . 展开更多
关键词 氢化非晶硅薄膜 红外吸收谱 氢含量 硅-氢键合模式
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混合纤芯光子晶体光纤超平坦色散的研究 被引量：29
3
作者 吴维庆 陈雄文 +3 位作者 周辉 周开锋 林旭升 兰胜 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期109-113,共5页
利用平面波展开法,系统地研究了一种具有混合纤芯结构的光子晶体光纤的色散特性.数值计算结果表明,通过优化结构参量,这种新型结构的光子晶体光纤在通信窗口1.55μm附近可以获得带宽超过800nm的超平坦色散区域(色散曲线的变化范围不超过... 利用平面波展开法,系统地研究了一种具有混合纤芯结构的光子晶体光纤的色散特性.数值计算结果表明,通过优化结构参量,这种新型结构的光子晶体光纤在通信窗口1.55μm附近可以获得带宽超过800nm的超平坦色散区域(色散曲线的变化范围不超过±0.6ps·km^(-1)·nm^(-1)). 展开更多
关键词 光子晶体光纤 平坦色散 平面波展开法
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低温制备高质量多晶硅薄膜技术及其应用 被引量：17
4
作者 黄创君 林璇英 +2 位作者 林揆训 余楚迎 姚若河 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期561-563,共3页
多晶硅薄膜是集晶体硅材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体 ,在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料。本文综述低温 ( <6 0 0℃ )制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展及其应用 ,着重讨论用等离子体化学气相... 多晶硅薄膜是集晶体硅材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体 ,在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料。本文综述低温 ( <6 0 0℃ )制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展及其应用 ,着重讨论用等离子体化学气相沉积 (PECVD)硅基薄膜固相晶化制备多晶硅技术及其在薄膜硅太阳能电池上的应用。 展开更多
关键词 多晶硅 固相晶化 非晶硅氢合金薄膜 薄膜硅太阳能电池
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侧光式LED背光源的导光板网点设计 被引量：27
5
作者 黄翀 姜言森 +1 位作者 沈奕 吴永俊 《应用光学》 CAS CSCD 2008年第5期689-692,共4页
导光板是背光模组的关键组件,决定了出光效率以及出光均匀度。以2颗LED灯的侧背光为例,建立其相应模型,并运用光学理论推导出导光板网点排布规律,得到一个形式简约的公式,并将其进行扩展应用,推出了多颗灯情况下的导光板排布规律;另外... 导光板是背光模组的关键组件,决定了出光效率以及出光均匀度。以2颗LED灯的侧背光为例,建立其相应模型,并运用光学理论推导出导光板网点排布规律,得到一个形式简约的公式,并将其进行扩展应用,推出了多颗灯情况下的导光板排布规律;另外将其进行等效应用,得到了线光源情况下的导光板的排布规律。 展开更多
关键词 背光源 导光板 网点设计 LED
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非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析 被引量：21
6
作者 林揆训 林璇英 +3 位作者 梁厚蕴 池凌飞 余楚迎 黄创君 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期863-866,共4页
在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火 10min .退火温度为 5 0 0℃时 ,薄膜表面形成了硅铝的混合相 ,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 ;退火温度为 5 5 0℃时 ,大部分 (约 80 % )的非晶硅晶化为多晶硅 ,平均晶... 在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火 10min .退火温度为 5 0 0℃时 ,薄膜表面形成了硅铝的混合相 ,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 ;退火温度为 5 5 0℃时 ,大部分 (约 80 % )的非晶硅晶化为多晶硅 ,平均晶粒尺寸为 5 0 0nm ;退火温度为 6 0 0℃时 ,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅 ,其平均晶粒尺寸约为1 5 μm . 展开更多
关键词 固相晶化 多晶硅薄膜 非晶硅薄膜 低温快速晶化 结构分析
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a-Si∶H薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜 被引量：17
7
作者 陈城钊 方健文 林璇英 《浙江师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2002年第3期246-249,共4页
利用固相晶化法获得多晶硅薄膜 (退火温度 70 0～ 80 0℃ ) ,采用XRD、Raman等分析手段进行了表征与分析 .研究结果表明 :晶粒平均尺寸随着退火温度的降低、掺杂浓度的减少、薄膜厚度的增加而增加 ;并且退火后薄膜暗电导率提高了 2～
关键词 多晶硅薄膜 固相晶化法 α—Si:H薄膜 平均晶粒尺寸 退火温度 掺杂浓度 薄膜厚度
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射频辉光放电等离子体的电探针诊断 被引量：10
8
作者 林揆训 余云鹏 +1 位作者 林璇英 王洪 《核聚变与等离子体物理》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期56-64,共9页
本文简要叙述了探针诊断技术的作用，比较了单、双探针测量技术的异同，分析了当前所碰到的主要问题和各种可能的解决办法，着重报导了我们提出和制作的加热调谐单探针装置，不仅抑制了射频干扰，还克服了中毒效应对探针测量的影响。首... 本文简要叙述了探针诊断技术的作用，比较了单、双探针测量技术的异同，分析了当前所碰到的主要问题和各种可能的解决办法，着重报导了我们提出和制作的加热调谐单探针装置，不仅抑制了射频干扰，还克服了中毒效应对探针测量的影响。首次成功地测量了射频辉光放电硅烷等离子体的电子能量分布函数、电子平均能量和密度。并对测量结果进行了简要的分析。 展开更多
关键词 辉光放电 探针诊断 等离子体诊断
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散斑相关成像:从点扩展函数到光场全要素 被引量：21
9
作者 谢向生 刘忆琨 +1 位作者 梁浩文 周建英 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期65-76,共12页
散射光学成像恢复是光学成像领域最重要的研究课题之一。科学家已经提出各种技术实现不同散射环境下的成像恢复。其中,散斑相关性的解卷积技术具有成像质量高、恢复速度快和易于集成等优点。简要综述了散斑相关成像的进展,从光学记忆效... 散射光学成像恢复是光学成像领域最重要的研究课题之一。科学家已经提出各种技术实现不同散射环境下的成像恢复。其中,散斑相关性的解卷积技术具有成像质量高、恢复速度快和易于集成等优点。简要综述了散斑相关成像的进展,从光学记忆效应和解卷积原理出发,介绍点扩展函数新物理特性及其在成像恢复中的应用,总结点扩展函数的间接获取方法,最后提出光场全要素(plenoptics)的概念。光场的全要素探索有望在更复杂散射环境中提供更全面的信息,使散射光学成像技术在生物、医疗、海洋、军事和日常生活等场景中更具应用前景。 展开更多
关键词 成像系统 散斑相关成像 散射介质成像 散射
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用SiCl_4-H_2低温沉积多晶硅薄膜微结构的Raman分析 被引量：14
10
作者 林璇英 黄创君 +3 位作者 林揆训 余运鹏 余楚迎 黄锐 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期1558-1561,共4页
用拉曼散射谱研究以SiCl4 H2 为气源 ,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术 ,在 2 0 0℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征 .结果表明 ,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物 ,随射频功率增加 ,晶相结构的... 用拉曼散射谱研究以SiCl4 H2 为气源 ,用射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术 ,在 2 0 0℃低温下沉积多晶硅薄膜的微结构特征 .结果表明 ,薄膜表层包含有大量微晶相的纳米硅晶粒和非晶相的硅聚合物 ,随射频功率增加 ,晶相结构的成分增大 .另一方面 ,深度拉曼谱分布的研究也显示薄膜的晶化度和晶粒尺度随纵向深度的增加逐渐增大 .因此可以认为 ,在多晶硅薄膜生长的最初阶段 ,空间反应过程对低温晶化起重要作用 . 展开更多
关键词 拉曼散射光谱 多晶硅薄膜 晶体结构 射频辉光放电等离子体增强化学气相沉积技术 晶化度
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声速测量实验有关问题的研究 被引量：21
11
作者 陈洁 苏建新 《物理实验》 2008年第6期31-33,38,共4页
在物理实验中常利用在1对换能器之间形成的驻波测量声速.该实验是通过调节两换能器之间的距离观察接收换能器上声压(幅度或相位)变化规律获得波长.但部分文献在陈述换能器上声压随两换能器之间的距离的变化关系时,没有表达清楚或者表述... 在物理实验中常利用在1对换能器之间形成的驻波测量声速.该实验是通过调节两换能器之间的距离观察接收换能器上声压(幅度或相位)变化规律获得波长.但部分文献在陈述换能器上声压随两换能器之间的距离的变化关系时,没有表达清楚或者表述错误.本文以一维黏性媒质波动方程为基础,详细给出了声压随两换能器之间的距离的变化关系. 展开更多
关键词 声速测量 驻波 相位
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铝诱导非晶硅薄膜的场致低温快速晶化及其结构表征 被引量：19
12
作者 陈一匡 林揆训 +2 位作者 罗志 梁锐生 周甫方 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期582-586,共5页
铝诱导非晶硅薄膜晶化可以降低退火温度、缩短退火时间 ,是制备多晶硅薄膜的一种重要方法 .在此基础上 ,通过在退火过程中加入电场加速了界面处硅、铝原子间的互扩散 ,实现了非晶硅薄膜的快速低温晶化 .实验结果表明 ,外加电场 ,退火温... 铝诱导非晶硅薄膜晶化可以降低退火温度、缩短退火时间 ,是制备多晶硅薄膜的一种重要方法 .在此基础上 ,通过在退火过程中加入电场加速了界面处硅、铝原子间的互扩散 ,实现了非晶硅薄膜的快速低温晶化 .实验结果表明 ,外加电场 ,退火温度为 4 0 0℃ ,退火时间为 6 0min时 ,薄膜的晶化率大于 6 0 % ;退火温度为 4 5 0℃退火时间为30min时 ,薄膜已经呈现明显的晶化现象 ;退火温度为 5 0 0℃退火时间为 15min时 ,薄膜的x射线多晶峰强度与非晶峰强度之比为未加电场的 3— 展开更多
关键词 非晶硅薄膜 多晶硅薄膜 铝诱导 晶体结构 退火温度 退火时间 外加电场
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GaAs颗粒镶嵌薄膜的非线性光学性质研究 被引量：16
13
作者 姚伟国 石旺舟 +2 位作者 林揆训 戚震中 何怡贞 《中国科学（A辑）》 CSCD 1996年第7期636-641,共6页
采用单光束的Z扫描技术研究了GaAs颗粒镶嵌薄膜的非线性光吸收和非线性光折射特性,获得了增强的三阶光学非线性响应.实验测得的非线性折射率系数为 10^(-3)esu和非线性光吸收系数为10^(-1)cm/W量级.研究了产生饱和吸收时的光跃迁选择定... 采用单光束的Z扫描技术研究了GaAs颗粒镶嵌薄膜的非线性光吸收和非线性光折射特性,获得了增强的三阶光学非线性响应.实验测得的非线性折射率系数为 10^(-3)esu和非线性光吸收系数为10^(-1)cm/W量级.研究了产生饱和吸收时的光跃迁选择定则,观察到了饱和吸收现象和双激子态的双光子吸收现象,实现其饱和吸收和双光子吸收所需的辐射光强小于10~4w/cm^2结果表明:增强主要起源于量子限域效应,在强限域条件下,库仑作用效应被更强的限域作用所掩盖.GaAs颗粒表现出类似于二能级系统的光学非线性响应特征. 展开更多
关键词 量子限域 砷化镶 非线性 光学性质 薄膜
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PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究 被引量：9
14
作者 邱春文 石旺舟 黄羽中 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第3期201-204,共4页
在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍。分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成... 在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍。分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m+n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团。 展开更多
关键词 PECVD法 多晶硅薄膜 低温沉积 太阳能电池 等离子体增强化学气相沉积法
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液晶光阀的电光色散特性研究 被引量：15
15
作者 黄翀 周学平 +3 位作者 欧阳艳东 林旭升 吴永俊 黄远明 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期539-541,共3页
分析液晶光阀（LCLV）的电光色散特性，重点研究扭曲向列型液晶光阀TB3639的电光色散特性。在温度为27℃时，将TB3639液晶光阀置于频率为1000Hz的交流电场中，测出电光特性T-λ曲线，同时得到不同波长的T-V电光特性曲线，确定对比度与... 分析液晶光阀（LCLV）的电光色散特性，重点研究扭曲向列型液晶光阀TB3639的电光色散特性。在温度为27℃时，将TB3639液晶光阀置于频率为1000Hz的交流电场中，测出电光特性T-λ曲线，同时得到不同波长的T-V电光特性曲线，确定对比度与光波波长的函数关系k（λ），并得出电光色散特性关系曲线k（λ）～λ。分析结果表明，TB3639液晶光阀在可见光区域，具有相对较高的对比度，其色散较小。波长在450～750nm区域其对比度均大于0．8；其中波长在550～670nm区域其对比度变化不大，均大于0．95，其色散最小。 展开更多
关键词 液晶光阀 光谱色散 电光特性
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液晶显示器防紫外光谱特性分析 被引量：16
16
作者 黄翀 欧阳艳东 +1 位作者 吴永俊 詹前贤 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期637-639,共3页
近年来液晶显示器件朝着彩色化和大型化方向发展 ,户外应用也将越来越多 ,紫外光对液晶器件产生影响也逐渐显现出来 ,防紫外光将越显重要。通过测量ITO玻璃及偏光片对各波段紫外光的光谱特性 ,分析比较一般偏光片 (LN 12 0 5T)和防紫外... 近年来液晶显示器件朝着彩色化和大型化方向发展 ,户外应用也将越来越多 ,紫外光对液晶器件产生影响也逐渐显现出来 ,防紫外光将越显重要。通过测量ITO玻璃及偏光片对各波段紫外光的光谱特性 ,分析比较一般偏光片 (LN 12 0 5T)和防紫外偏光片 (F 12 2 5DU)的紫外透射光谱 ,偏光片F 12 2 5DU对紫外线有比较好的吸收 ,能挡住各种波长的紫外光。使用防紫外F 12 2 5DU偏光片的新型液晶显示器 ,能较好的解除紫外的影响 ,从而提高了户外型液晶显示器产品的性能。 展开更多
关键词 液晶显示器 防紫外光谱特性 紫外光 偏光片 紫外透射光谱
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大学物理类课程思政融合的探索与实践 被引量：16
17
作者 杨玮枫 池凌飞 +3 位作者 张宏丹 吕秀品 林舜辉 陈敏 《物理与工程》 2021年第5期52-55,60,共5页
物理学是研究物质世界最普遍、最基本的运动规律及其相互联系的科学,是人类认识自然和改造自然的有力工具,是自然科学的基石。学习物理学的过程对学生世界观、人生观、价值观和科学素质培养起着重要的作用。物理学也是多学科交叉、转移... 物理学是研究物质世界最普遍、最基本的运动规律及其相互联系的科学,是人类认识自然和改造自然的有力工具,是自然科学的基石。学习物理学的过程对学生世界观、人生观、价值观和科学素质培养起着重要的作用。物理学也是多学科交叉、转移和渗透的支撑点,其中大学物理类课程(含实验课)更是高等学校理工科各专业最重要的必修基础课之一。本文的主要目的是以唯物主义的世界观与用物理学研究问题的方法和手段相结合,通过具体实例展示如何将思政教育融入物理类课程指导讲解课程中的基本原理和规律,为学生今后从事科学研究工作和工程技术工作打下坚实的基础。 展开更多
关键词 大学物理 思政建设 教学改革
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基于JAVA的集成型工作流引擎的设计 被引量：3
18
作者 蔡明彦 邱桂明 《汕头大学学报（自然科学版）》 2004年第3期58-63,共6页
针对中小型项目的工作流应用 ,设计了一个基于JAVA的集成型工作流引擎 ,该工作流引擎由工作流元模型、工作流执行引擎以及客户端接口三部分组成 .文中给出了工作流引擎各部分设计 ,并做了详细的说明 .在该设计的基础上 ,已经开发出了一... 针对中小型项目的工作流应用 ,设计了一个基于JAVA的集成型工作流引擎 ,该工作流引擎由工作流元模型、工作流执行引擎以及客户端接口三部分组成 .文中给出了工作流引擎各部分设计 ,并做了详细的说明 .在该设计的基础上 ,已经开发出了一套工作流引擎软件 ,并应用在多个项目中 ,证实其具有高效性和可扩展性 .使用该引擎可以容易地整合业务逻辑和业务流程 ,降低项目的开发成本 . 展开更多
关键词 JAVA 集成型 工作流引擎 业务流程 工作流元模型 客户端接口 工作流执行引擎
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磁控反应溅射法低温制备氮化硅薄膜 被引量：8
19
作者 邱春文 陈雄文 +1 位作者 石旺舟 欧阳艳东 《汕头大学学报（自然科学版）》 2003年第2期35-39,共5页
采用射频 (RF)磁控反应溅射法制备出氮化硅薄膜 .从红外吸收光谱可见 ,氮气参加了反应并生成 Si- N键 ,薄膜中含有少量的 Si- O键和 Si- H键 ;薄膜的成分与制备过程中基片温度、射频功率等工艺参数密切相关 ,当基片温度升高到 40 0℃时 ... 采用射频 (RF)磁控反应溅射法制备出氮化硅薄膜 .从红外吸收光谱可见 ,氮气参加了反应并生成 Si- N键 ,薄膜中含有少量的 Si- O键和 Si- H键 ;薄膜的成分与制备过程中基片温度、射频功率等工艺参数密切相关 ,当基片温度升高到 40 0℃时 ,薄膜中基本不再含 Si- H键 ,氮化硅薄膜的纯度得到提高 . 展开更多
关键词 氮化硅薄膜 射频磁控反应溅射法 制备过程 制备工艺 红外吸收光谱 基片温度 射频功率
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Ca_2SnO_4：Eu^(3+)的固相反应形成机理及发光性质研究 被引量：11
20
作者 符史流 尹涛 柴飞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期647-651,共5页
利用高温固相反应法合成了Ca_(2-x)Eu_xSnO_4发光粉末样品,采用X射线衍射技术和荧光光谱等测试手段对样品的固相反应形成机理及光谱特性进行了研究.对于CaCO_3和SnO_2(2:1)混合粉料,在1250℃进行固相反应时将优先反应生成不稳定的中间相... 利用高温固相反应法合成了Ca_(2-x)Eu_xSnO_4发光粉末样品,采用X射线衍射技术和荧光光谱等测试手段对样品的固相反应形成机理及光谱特性进行了研究.对于CaCO_3和SnO_2(2:1)混合粉料,在1250℃进行固相反应时将优先反应生成不稳定的中间相CaSnO_3,该相再与CaO继续反应生成最后稳定的目标相Ca_2SnO_4.Ca_(2-x)Eu_xSnO_4样品在240～360nm范围内存在着Eu^(3+)-O^(2-)电荷迁移吸收带,随着Eu^(3+)掺杂浓度(x=0.01～0.15)的增加,吸收带峰位从274nm红移至292nm附近.Ca_2SnO_4:Eu^(3+)发光体的发射以电偶极跃迁~2D_o-~7F_2为主导地位,在紫外光激发下产生强的红光发射.在Ca_2SnO_4基质中,Eu^(3+)离子的多声子弛豫过程几率小,当Eu^(3+)掺杂浓度较低时,可以观察到来自于Eu^(3+)较高激发态能级~5D_2和~5D_1上的辐射跃迁.Eu^(3+)离子在同构的Ca_2SnO_4和Sr_2CeO_4基质中的发射光谱形状类似,但Ca_2SnO_4:Eu^(3+)的红光发射强度远大于Sr_2CeO_4:Eu^(3+). 展开更多
关键词 Ca2SnO4:Eu^3+ 反应机理 光致发光 掺杂浓度
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